在电子技术中,三极管是使用极其普遍的一种元器件,三级管的参数与许多电参量的测量方案、测量结果都有十分密切的关系,因此,在电子设计中,三极管的管脚、类型的判断和测量非常重要。测量三极管管脚的方法有多种,其中实验室常用的是利用万用表和三极管各管脚的特点进行测量,但由于三极管各个引脚间的电压、电流关系复杂,且三极管本身体积较小,给测量带来很大不便,而目前市场上还没有对三极管管脚、类型自动判别的装置。因此,设计出一款能够自动判别三极管管脚、类型的电路显得尤为重要。
1 硬件电路组成原理
根据目前常用三极管的类型及管脚排列方式,设计的自动判别电路包含中心控制单元、转换电路、检测放大电路和显示电路四个部分,其中用AT89C2051作为中心控制单元。
2 硬件电路设计
图所示为三极管管脚类型自动判别硬件电路原理图,该硬件电路主要包括单片机AT89C2051、反相器CD4069、光电耦合器4N25、74LS06、74LS07、若干电阻和电容等元器件。
首先由单片机的P3.0~P3.2 口送出三位二进制码(高低不同的电平),分别送至三极管的1、2、3号引脚。对于不同的三极管,在单片机送出不同的编码时,其1、2、3 号引脚上的电流方向不同,有流入和流出两种情况,用两只光电耦合器反向并联来检测哪个方向上有电流通过,此时三位二进制码变成六位二进制码。将检测到的来自光电耦合器的电信号进行放大,由于此时输出的信号并非标准的高低电平,不能直接被单片机识别,相位也不符合要求,故加一级反相器CD4069 进行反相,然后将反相器输出的标准的六位二进制码送至单片机的P1.0~P1.5 口。单片机根据从P1 口读出的数据与单片机内部预先写入的数据进行比较,当满足相应的条件时从P3.3~P3.7 口输出检测结果,最后用发光二极管来显示对应的三极管类型。3 软件设计
由于常用的中小功率三极管中NPN 的三极管管脚排列顺序有EBC、ECB、BCE 三种(有极少数例外,可忽略不计),而PNP 的只有EBC 一种排列顺序。所以,按照此规律进行软件的编写。总体编程思想是在各种不同管脚排列顺序的三极管三个管脚上加上不同电压,测试其电流情况并将其转化为二进制码。将这些二进制码写入单片机,外部输入的数据与单片机内部的二进制码进行比较,如果读入数据与内部事先写入的某个数据相等,则所测的三极管就为这个数据所对应的三极管的管型和管脚,然后用对应的发光二极管点亮指示出管型、管脚。
图所示为制作的PCB 板图,实物制作成功后,取一只三极管,将管脚按1、2、3 顺序插入产品的测试孔中,保证接触良好,然后按下电源键,系统自动复位后运行,由LED 指示出所测三极管对应的管型和管脚。LED 灯的顺序与管脚管型是一一对应的,若左边第一只LED 灯亮则所测三极管为NPN型,管脚排列顺序为BEC;若左边第二只LED 灯亮则所测三极管为PNP 型,管脚排列顺序为EBC;若左边第三只LED 灯亮则所测三极管为NPN 型,管脚排列顺序为ECB;若左边第四只LED 灯亮则所测三极管为NPN 型,管脚排列顺序为EBC;若四只LED 灯同时闪烁则可能是被测三极管已坏或有引脚接触不良,单片机中未写该管型对应的程序。
在制作实物的过程中,可以从左至右依次在LED灯的一侧标明所对应的管脚和类型,也可以用不同颜色的LED 灯来显示不同的管脚和管型。4 结论
根据硬件电路和软件设计进行电路的焊接和调试,设计所得的判别仪可以快速准确地判断小功率三极管的管脚和类型,并由相应的指示电路显示出判断结果,比用万用表测量要方便快捷很多。
本设计由于采用单片机作为中心控制单元,故可扩展性强。比如可在本作品的基础上增加测量三极管β值的电路,可用数码管显示出β值。另外,本设计现在只能测量常见中小功率的三极管,若加上驱动电路、限流电路,修改部分源程序也可测量大功率三极管。
上一篇:探访企业生产流程:移动电源的生产过程(图)
下一篇:开关电源技术知识;防雷击浪涌的开关电源电路设计
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:35
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC
- 贸泽推出《人工智能:生命科学的下一波浪潮》电子书
- AI+FPGA,低功耗智能探测系统将不再是难题
- 西门子 Xcelerator为 Music Tribe 打造电子制造智能工厂
- ST全新SIO双模收发器,双输出更高效
- 2020年上半年智能手机显示面板市场,三星已占半壁江山
- Commvault助力骆驼集团提质增效,为数字化转型进程保驾护航
- vivo Y73s 5G发布售价1998元:中端系列又添新成员
- 郭明錤:6.1英寸的 iPhone 12 将是新 iPhone 最受欢迎型号
- iPhone 12 流言:Face ID 更快,变焦更佳,Pro版本续航更加优秀
- Google终于为iPad上的Chrome增多个窗口支持