推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:39
意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管,具备更好的节能降噪特性
2022 年 6 月 23 日,中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗,同时优化体寄生二极管特性,降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时,STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低,因此可以采用节省空间且热效率高的 Pow
[电源管理]
IR推出双输出SupIRBuck稳压器
全新双输出器件对5V到12V输入、1V到21V输入 (使用5V外偏置) 单电源轨操作进行了优化。IR3891和IR3892采用了纤巧的5×6mm PQFN封装,在165mm2的小巧占位面积内,分别为需要4A/通道或者6A/通道的应用带来极为紧凑的解决方案。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR3892单面电路板设计与传统的利用两个6A单输出转换器的设计相比,缩减电路板面积达46%。该器件也可用于双面电路板设计,可将传统设计中电路板面积所需空间减少到30%以下。”
IR3891和IR3892配备获得专利的调变电路,能够在无抖动及无噪声的情况下以更高频率或带宽操作,实现更理想的瞬态响应,并可减少输出电容器数量和缩小整体系
[电源管理]
MOSFET芯片需求加剧 缺货之势持续蔓延
2017年第三季度至今,受产能供需吃紧的影响,大部分被动元件出现缺货潮,其中以 MOSFET 芯片 为最。据了解,尽管英飞凌以及恩智浦等IDM厂商不断增加产能,但是其市场缺口仍保持在30%左右,且随着消费类电子、电动汽车以及物联网等相关领域需求的不断增长,这种情况越来越严重。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 MOSFET 芯片 缺货潮下产业链的发展状况 据数据显示,2016年 MOSFET 芯片 市场总规模为205亿美元,2017年MMOSFET芯片市场总规模预计为220亿美元。2017年12月25日,江苏长电科技向客户发布涨价通知称,由于芯片产能严重不足,芯片材料价格大幅上涨,经公司商议决定,
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英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET技术,助力电源转换设计
2016年5月10日,德国慕尼黑讯 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC MOSFET具备更大灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。
英飞凌工业功率控制事业部总裁Helmut Gassel博士指出: 20多年来,英飞凌一直走在开发SiC解决方案的最前列,致力于满足用户对节能、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。英飞凌制造出数百万件含有SiC器件的产品,而我们的肖特基二极管和
[电源管理]
Power Integrations宣布旗下适用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver现已通过AEC-Q100汽车级认证
深耕于中高压逆变器应用门极 驱动器 技术领域的知名公司近日宣布,其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极 驱动器 SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已通过AEC-Q100汽车级 认证 。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求,并具有先进的安全和保护特性。 SIC1182KQ (1200V)和 SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver器件可驱动汽车应用中的SiC MOSFET,新产品具有轨到轨输出、快速门极开关速度、支持正负输出电压的单极供电电压、集成的功率和电压管理以及加强绝缘。重要安全特性包括漏源极(VDS)监测、电流检测读出、原方和副方欠压保
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善,功率VDMOSFET设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展,成为目前新型电力电子器件研究的重点。 本文设计了漏源击穿电压为500 V,通态电流为8 A,导通电阻小于O.85 Ω的功率VDMOSFET器件,并通过工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI进行联合优化仿真,得到具有一定设计余量的参数值。最后在此基础上进行生产线工艺流片,逐步调整部分工艺条件,最终实现研制成功。
1 VDMOSFET工作原理 VDMOSFET是电压控制器件,在栅极施加一定的电压,使器件沟道表面反型,形成连接源区和漏区的导电沟道。基本工作原理如图1。
当栅源电压V
[电源管理]
IR 推出优化版车用功率MOSFET产品
国际整流器公司 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300V。250V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345mΩ,而300V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“这些最新的250V和300V功率MOSFET产品可在标准表面贴装封装中提供低导通电阻,非常适合压电喷射应用,因为该应用需要高电压来驱动促
[电源管理]
IR 拓展具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天宣布拓展了针对低导通电阻(RDS(on))应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列,包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。
新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的电压下可提供低达 2.6 mΩ 的导通电阻,可以承受 40V 至100V 的电压,并涵盖了此前推出的 75V 产品。当中一些具有更高电压的器件非常适用于 24V 卡车系统,采用 D2Pak-7P 和 D2Pak 封装的新器件的最大额定电流分别为 240A 和 195 A。
IR 亚太区销售副总裁
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