采用反激式拓扑的LED驱动电源电路图-电子工程世界

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图中C1上的电压为经过桥式整流后的电压，Rs1采样流过MOS管的电流，进行逐周期限电流控制，使MOS管的电流峰值不至于太大，确保负载短路时变压器不发生磁饱和。利用辅助绕组完成变压器一次绕组的电流过零检测(APFC变压器去磁)，控制功率开关管Q2重新开始下一个开关导通工作周期的工作，FAN7527B的Idet引脚外接的电阻R4阻值在几十千欧的范围内，使电路工作于“准零电压导通”的工作方式。R4电阻值取值和变压器的一次绕组的电感量和功率开关管MOSFET的输出电容有关，具体电阻值可以通过实验来确定，本电路中取值为33K。Rs2采样负载LED电流信号，R7、R8构成分压网络对LED上的电压进行采样。Rs2采样LED上的电流与TM101上的基准信号CVin进行比较，经误差经放大器对输出进行恒流控制，LED的亮度和流过LED的电流大小基本成正比的，只要控制流过LED的电流大小就可以调节LED的亮度。R7、R8采样LED上的电压与TM101上的基准信号CVin进行比较，经误差放大器对输出电压控制，送入TM101的这两路信号相“与”后通过光耦送入控制芯片FAN7527B的误差放大器进入乘法器。乘法器另一路是通过R13、R19、R23和R27采样经全波整流后的市电信号，这两路信号的乘积就是乘法器输出，该输出信号使得电感电流跟踪乘法器的输出波形信号，产生的PWM脉冲控制MOS管Q1的开关，实现对负载电流和输入电流的控制，完成LED实现对LED的恒流限压控制和输入功率因数的校正。采用反激式拓扑的LED驱动电源电路图:

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