GaN晶体管(氮化镓)方案-电子工程世界

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关键字：GaN 氮化镓编辑：冀凯引用地址：GaN晶体管(氮化镓)方案

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专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板。此高速子板结合了GaN Systems的两个650 V氮化镓 (GaN) E-HEMT和安森美半导体的NCP51820栅极驱动器，可为现有或新的离线电源转换设计提供高性价比半桥解决方案。作为授权分销商，贸泽电子始终致力于快速引入新产品与新技术，帮助客户设计出先进产品，并使客户产品更快走向市场。超过800家半导体和电子元器件生产商通过贸泽将自己的产品带向全球市场。贸泽只为客户提供通过全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。贸泽

[嵌入式]

650V <font color='red'>GaN</font> HEMT 评估板贸泽开售

硅衬底上GaN基LED的研制进展

　　Ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底，目前高质量的GaN膜通常都生长在蓝宝石或S iC 衬底上，但是这两种衬底部都比较昂贵，尤其是碳化硅，而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点，人们在用硅作衬底生长GaN方面一直不断地进行探索。由于GaN材料的电荧光对晶体缺陷并不敏感，因此人们预期在Si衬底上异质外延生长Ⅲ族氮化物发光器件在降低成本方面具有明显的技术优势。　　人们还期待使用Si衬底今后还有可能将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的

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SiC与GaN彻底刷屏了！芯力量·云路演第八期创参会人数新高

“第三代半导体现在是一片欣欣向荣的景象，走到哪里都能收到这方面的BP。”本期路演的点评嘉宾，盛世投资管理合伙人陈立志发出了这样的感慨。第三代半导体已经走上了发展的高速路。根据统计，2019年，我国第三代半导体整体产值超过7600亿元。其中，光电子（主要为半导体照明）为7548亿元，电力电子和微波射频产值约为60亿元。SiC、GaN电力电子产值规模近24亿元，同比增长超过80%；GaN微波射频产值规模近38亿元，同比增长近75%。如果这些数据不能带给你直观的感受，就请看本次路演的报名参会人数。本期路演共有实名认证的366人报名参会，创下了芯力量·云路演开始以来的新高。这其中，投资机构高管占了23.5%，投资机构经理/总监占48%

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日本启动运用GaN及SiC的功率电子新研究

日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）于2015年6月11日宣布，将在功率电子领域启动新研究。该研究共有6个研究课题，各个课题的概要和预定受托方如下。 1. 充分利用SiC模块特性的新铁路车辆主电路系统的基础研究对使用SiC功率模块的新铁路车辆主电路系统的可实现性进行验证。还要验证在长期使用前提下所需模块的实现可能性。受托方为日本铁道综合技术研究所。 2．用来实现多样性电力交换系统的、采用SiC与GaN功率元件的Y形电力路由器基本单元的研究开发设计并试制可用来构建电力交换系统的、采用SiC和GaN功率元件的 Y字形电力路由器基本单元，并找出实用化课题。受托方为京都工

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Akash Systems完成1450万美元A轮融资

EEWORLD据国外媒体报道，专注于开发和供应小型卫星（CubeSat）用功率放大器（基于金刚石衬底的GaN GaN-on-diamond）和射频收发器的Akash Systems公司，日前宣布完成其A轮融资，共1,450万美元。其中包括1000万美元的入股和另外450万美元的可转债。投资者包括Khosla Ventures，Founders Fund，ACME Capital，Sriram Krishnan和Correlation Ventures。Akash将部署新的资本，以扩大其无线电收发器模块和功率放大器业务。“我们的目标是为太空中的每颗卫星提供射频通信链路。”联合创始人，首席执行官兼GaN-on-diamond发明人Fe

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耐威科技8英寸GaN外延材料项目投产，有望再造一个新耐威

耐威科技从投建8英寸氮化镓（GaN）外延材料项目到正式投产，仅用了15个月，进展之快，让业界对这家新晋半导体公司的实力有了新的认识。 9月10日，聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市即墨区举行，意味着国内8英寸GaN外延材料再添新兵。而聚能晶源正是耐威科技发起成立的控股公司。耐威科技董事长杨云春表示，耐威科技自上市以来，积极在物联网产业领域进行布局，重点发展MEMS和GaN业务；其中在GaN领域，耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司，专注GaN外延材料的研发生长；在崂山投资设立了聚能创芯公司，专注GaN器件的开发设计。从入驻到项目建成投产，聚能晶源仅仅用了一年多的时间。规

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TI推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本 2021年9月23日，北京讯——德州仪器（TI）今宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™ 实时微控制器（MCU），辅以台达（Delta Electronics）长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器（PSU）。与使用传统架构的企业服务器电源供应器相比，台达研发的服务器电源供应器将功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策机构Energy Innovation1数据显示，效率每提升1%，相当于每个数据中心节省了1兆瓦（或800户家庭用电）的总所有成本。台达为全球客户提供电源管理与散热解

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马瑞利牵手氮化镓(GaN)技术领导者TRANSPHORM Inc.

领先的汽车供应商MARELLI近日宣布与美国一家专注于重新定义功率转换的半导体公司Transphorm达成战略合作。通过此协议，MARELLI将获得电动和混合动力车辆领域 OBC 车载充电器、DC-DC 转换器和动力总成逆变器开发的尖端技术，进一步完善MARELLI在整体新能源汽车技术领域的布局。 Transphorm被公认为是氮化镓( GaN )技术的领导者，提供高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的氮化镓( GaN )半导体，并拥有和汽车行业（尤其是日本）直接合作的成功经验。获得这一技术对正在探索电力传动系统业务创新的MARELLI意义非凡。对此类功率电子设备的直接投资将大大推动新能源动力总成技术的开发，取得更高效率和更

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