光伏逆变器的新方向

最新更新时间:2017-04-10来源: 互联网关键字:安森美  光伏  功率器件 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

  新型功率器件、封装或材料都是为了提高电源能效和功率密度。安森美半导体非常注重新技术的开发与新材料器件的应用,能同时提供氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC) 宽带隙(WBG)器件,目前SiC二极管已经量产并且广泛应用于工业、太阳能逆变器等领域,SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在开发中,不久就会发布。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。


  太阳能/光伏的应用市场会继续稳步成长,特别是在中国。在技术上,逆变器会朝向更高的能效、允许更宽的电池板输入电压、更小的体积、更高的可靠性方向去发展。所以,更高频化的应用、新材料如碳化硅(SiC)的应用、更多的功能、集成化多电平的模块应用等方面可能是未来逆变器设计的一些主要方向。

安森美半导体中国解决方案工程中心(SEC)高级经理 陈立烽

    安森美提供高能效和更小漏电流解决方案

  安森美半导体一直致力于在新能源这一领域,同时非常注重新技术的开发与新材料器件的应用。在光伏逆变器上,我们推出了我们第三代的超级结MOS管,相比前一代产品,新一代的MOS管利用电荷平衡技术,大幅减少了导通电阻RDS(on)与门极电荷Qg,可使系统的能效显著提高,并承受极端dv/dt 额定值。如N沟道MOSFET FCH023N65S3_F155和FCH040N65S3_F155,100% 经过雪崩击穿测试,RDS(on)典型值分别为19.5 mΩ、35.4 mΩ,Qg典型值分别为222 nc、136 nc。在IGBT方面,Trench沟道的第四代的场截止(Field-stop) IGBT大幅减小了关断损耗,从而可以使IGBT在更高的频率下工作来满足更高的功率密度的要求。如FGH50T65SQD_F155和FGH75T65SQD_F155,具备高电流能力、高输入阻抗、快速开关和紧密的参数分布等特性。另外,SiC二极管也是安森美半导体在光伏应用中的一个拳头产品,目前已经量产。相比于竟争对手的方案,我们有更高的能效和更小的漏电流。

  安森美半导体不光在分立器件上有业界领先的产品,我们也结合我们在功率模块上的先进技术,推出了我们的太阳能功率集成模块 (PIM)。集成化的模块包括了IGBT及整流器,采用安森美半导体的专有沟槽场截止技术(FS)及强固的超快快速恢复二极管,配置为中点钳位式T型拓扑结构,能效可超过98%。可配置的封装平台采用大功率直接键合铜(DBC)基板技术及专有的压合(press-fit)引脚,可以提供更高的功率密度、更高的性能与更高的可靠性。

  不同的应用可能对系统或者对产品的关注也会不一样,像电机控制领域,所需要的产品就需要具备高集成度、高可靠性的特点。更细分一下,像无人机上的电调控制板,除了上述所说的对电机驱动的要求以外,还要求有更小的体积。

  安森美半导体可以提供从几瓦到几十千瓦的电机控制的方案, 这些方案中包括我们的一些智能功率模块(IPM)、集成式的半桥功率驱动臂、集成的三相预驱动器,还有全系列的功率MOS和IGBT. 同时,我们也提供一些集成算法控制的“控制+功率”的整体方案。

    以上是关于电源管理中-光伏逆变器的新方向的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。

关键字:安森美  光伏  功率器件 编辑:李强 引用地址:光伏逆变器的新方向

上一篇:三菱电机第7代IGBT技术
下一篇:中国市场需要创新应用

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:57

安森美半导体的IGBT满足汽车、太阳能逆变器等各类应用需求
安森美半导体是领先的功率器件半导体供应商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块,尤其在收购Fairchild半导体后,是全球第二大功率分立器件半导体供应商,在IGBT领域有着不可比拟的优势,提供同类最佳的IGBT技术和最宽广的IGBT产品阵容。 安森美半导体在IGBT领域的优势 安森美半导体在功率器件、IGBT、薄晶圆和封装技术方面有强大的知识产权阵容,在全球多地拥有IGBT制造设施,量产点火IGBT具有30年经验,600 V和1200 V沟槽场截止IGBT平台性能已通过分立产品和功率集成模块(PIM)系列证实。自2016年9月收购Fairchi
[半导体设计/制造]
<font color='red'>安森美</font>半导体的IGBT满足汽车、太阳能逆变器等各类应用需求
工程师研发日记:光伏逆变器可靠性设计
进入 光伏 逆变器行业有3个年头,回想过去,想从可靠性设计这个角度谈一下我对光伏逆变器的理解。 设计方案的可靠性选择 500KW逆变器,就IGBT排布,就有很多选择,每一种都有优缺点。           总结起来分为四种,IGBT单个模块,并联,逆变桥并联,混合并联。 (1) 采用6个单管IGBT,型号为FZ2400R12HP4,经过计算,每个IGBT损耗是1932W,总损耗是11592W,这种方式优点是电路简单,结构设计方便,体积较少,功率密度大,电气上不存在IGBT均流和逆变桥均流等问题,驱动芯片只有3组;缺点是IGBT价格比较贵,热源比较集中,如果散热器的温度不超过85°
[电源管理]
工程师研发日记:<font color='red'>光伏</font>逆变器可靠性设计
光伏逆变器企业固德威集中发布10余款新品
  5月28日,在上海举行的SNEC第十二届(2018)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)展览会上,光伏逆变器领域新三板企业固德威集中发布10余款新品,产品涵盖单相、三相、储能、并网逆变器,光伏并网箱,智慧能源管理系统配套等多个系列产品。     据介绍,在新品中,最为耀眼的当属红点奖获得者DS3系列,不仅刷新了户用光伏逆变器的颜值巅峰,而且携带多项黑科技:全新拓扑技术和升级的功率器件选材,让转化效率达98.6%,重新定义单相机最高转化效率;全面提升交流输出能力,支持长期1.1倍额定功率输出,更多发电;内部集成防雷,直流拉弧检测等多项安全侦测和保护功能。此外, 固德威智慧能源管理平台是固德威自主研发的电站运维平台,适用于分布式光伏电
[新能源]
安森美参加IIC-China展示高效能产品
       安森美半导体将参加IIC-China国际研讨会,并展示高效能产品和解决方案。主要产品如下:        NCP5890 :LCD背光和多LED键盘背光/装饰光应用的照明管理集成电路(LMIC)                          内置渐进调光(淡入/淡出效果)                                          环境光传感器调节背光电流                                               3路独立脉宽调制(PWM)控制LED段                             支持I2C协定,提供地址扩展       
[电源管理]
ON 安森美半导体推出创新的集成ESD保护的共模滤波器,用于高速串行接口
    应用于高能效电子产品供应商安森美半导体(ON Semiconductor) 推出一批新的共模滤波器,这些器件集成了静电放电(ESD)保护,用于抑制噪声及提供高信号完整性。新器件包括EMI2121、EMI4182及EMI4183,非常适合于应用在智能手机、多媒体平板电脑、无线连接底座(dongle)、数码摄像机及机顶盒和DVD播放机。     安森美半导体推出的这些新的共模滤波器不同于传统的电磁干扰(EMI)滤波器,乃是基于硅片制造,更适合以更深度及更高频率抑制EMI,非基于陶瓷或铁氧体的方案可比。这些集成ESD保护及EMI抑制功能的新器件,比竞争方案节省空间多达50%,从而可以可观的节省物料单(BOM),且为无线手机设计人员
[手机便携]
国家公布年度光伏逆变器抽查结果:华为、古瑞瓦特、锦浪科技、爱士惟、固德威、阳光电源等22家企业过关
“大风起兮云飞扬,威加海内兮归故乡。” 在智能化、集成化、安全可靠及品牌口碑等多重力量推动下,来自中国的逆变器军团已牢牢把持着全球产量及出口量的王者之席。 对产品监督管理部门来说,也有更大的责任心与使命感,一同推动该产业的持续进化与蓬勃向上。 就在前不久,国家市场监督管理局(下称“国家市监局”)正式公开了对光伏并网逆变器的去年全年抽查结果,从而履行其产品质量安全监督管理、国家监督抽查工作的一项职责。 在7个省(市)、23家企业生产的产品中,来自古瑞瓦特、锦浪科技、固德威、阳光电源、上能电气、正泰、科士达等22家企业的22个批次产品,全部通过了抽查。仅有1家国内A股上市公司的1批次产品不合格,不合格发现率为4.3%。 在为期1年的抽
[新能源]
安森美针对中国消费类医疗的方案应用案例研究
近年来,中国人口老龄化问题加剧,人们的预期寿命更长。根据联合国等机构的数据,中国60岁以上人口所占比例已由1990年的8.9%提升至2012年的12.3%,到2030年将达24.4%。同时,心脏病、糖尿病、哮喘乃至听力障碍等发病率增高。这使人们更加注重医疗保健问题,为消费类医疗市场带来更大发展动力。同时,中国政府计划到2020年实现全民医保,有利于推动医疗设备行业持续发展。 在这种背景下,消费类医疗设备趋向增加“智能”及数据存储能力,便携性也更强,同时无线/连接型医疗设备也有利于实现方便的长期病人监测,更不用提最新的人体区域网络也在不断兴起。这使得应用于医疗市场的半导体产品趋向更高集成度、小型化、高能效、采用标准元器件及嵌入
[医疗电子]
安森美推出满足更高要求的完整时钟解决方案
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)不断开发和拓展完整的时钟解决方案,进一步巩固了其在时钟市场上的技术领导者地位。基于在双极型、CMOS和0.18μm硅锗(SiGe)BiCMOS工艺上先进的锁相环(PLL)电路布局和设计专业技术,安森美半导体25年来一直在最低抖动和skew时钟分配性能方面领先业界。安森美半导体的时间抖动比竞争对手小50%,令系统设计更简易,并消除时间误差。此外,安森美半导体在全球时钟支持(ECL)市场排名第一。 市场研究机构Databeans的调查表明,2007年全球时钟市场收入为16亿美元,预计2007年至2012年总时钟市场年复合增长率(CAGR)将达
[电源管理]
小广播
热门活动
换一批
更多
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved