推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:59
Vishay Siliconix推出采用芯片级封装的功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺,将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半:在4.5V、2.5V、2V和1.8V电压下的导通电阻分别为32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。
[电源管理]
Vishay新款超薄功率电感器可为便携式电子产品节省宝贵空间
宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出2颗适用于便携式电子产品中DC/DC转换的新系列超薄功率电感器---IFL和IFLS系列。Vishay Dale IFL和IFLS系列器件的外形尺寸为1212、1616和2020,高度为1.0mm,最大电感为100µH,这个数值通常是尺寸更大的器件才能达到。 今天发布的这些器件尺寸小、电感值高,频率可达5MHz,为笔记本电脑、桌面PC和服务器,超薄、大电流的电源和负载点(POL)转换器,以及用于分布式电源和FPGA的DC/DC转换器提供了节省空间的解决方案。
[电源管理]
Vishay 推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ
新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技术,在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83mΩ的低导通电阻
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和Powe
[电源管理]
Vishay公布2017年新“Super 12”明星产品
eeworld网消息, 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,公布2017年的“Super 12”明星产品。每一年,Vishay都会精选出12个采用新技术或改进技术,能够显著提高终端产品和系统性能的重要半导体和无源元器件。Vishay的“Super 12”精选产品彰显了公司在半导体和无源元件领域的领先实力,是Vishay广泛产品组合的集中体现。 2017年Super 12产品如下: Vishay Siliconix SQJQ480E 80V N沟道 TrenchFET® 功率MOSFET - 这颗汽车级MOSFET采用厚度1.9mm的小尺寸PowerPAK® 8x
[半导体设计/制造]
Vishay推出新款宽边薄膜片式电阻 可用于汽车电子设备
2月8日,日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,公司推出新型0612外形尺寸器件,扩充NCW AT系列宽边薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag NCW 0612 AT电阻具有出色的高温性能和极佳的长期稳定性,额定功率高达1 W,阻值低至0.10 ,适用于汽车和工业应用中的电力电子设备。 结合先前发布的NCW 0406 AT,日前发布的AEC-Q200标准器件宽边几何形状具有优异的温度循环稳健性。此外,电阻可在+175 °C高温下工作,高耐硫能力符合ASTM B 809要求,85 °C和85 %相对湿度条件下具有出色的耐湿性。 这些性能指标使设计者能够在恶劣和高温环境中使用NCW A
[汽车电子]
Vishay在业内首次实现20nF高电容,可有效节省应用系统的空间
宾夕法尼亚、MALVERN 2016 年 5 月19 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,扩展其440L系列交流线路陶瓷盘式电容器的电容范围。Vishay Cera-Mite器件针对Class X1(760VAC)和Class Y1(500VAC) 应用进行设计,具有高可靠性,符合IEC 60384-14第4版的要求,在业内首次实现了20nF的电容。
由于电容量高,440L系列电容器在电源和智能电表、照明镇流器,以及消费产品的天线耦合、线路旁路、跨线和RFI滤波应用中能够节省电路板空间。电容器采用C0G、U2J、P3K、R3L、X7R和Y5U陶
[电源管理]
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 (FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积),该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。 “我们承诺为客户提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术,涵盖需要高压输入到低压输出的各种最新的电子系统”,Vishay市场发展部高级总监David Grey说
[电源管理]
Vishay发布新的铝电容器在线选择工具
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 28 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,在公司网站( www.vishay.com )上推出新的铝电容器在线选择工具。这个工具能帮助设计者挑选适合其应用的器件,从而节省工作时间。
Vishay新的选择工具能够根据容值、电压、样式(如轴向式、径向式、SMD、压扣式或螺丝端子)、外形尺寸、最高温度、使用寿命和封装形式(如低外形或卷带气泡式封装)等一系列规格标准,对Vishay公司所有能提供的铝电容器迅速进行排序。
设计者可以对一个、几个或所有这些参数进行定义,设计工具会把相应型号的订货编
[电源管理]