UnitedSiC的1200V碳化硅FET为用户提供业界最高性能的升级途径-电子工程世界

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2018年5月24日，美国新泽西州普林斯顿 --- 功率因数校正（PFC）、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）结型场效应晶体管（JFET）共源共栅（cascodes）来升级现有系统的性能。这些器件的电压额定值为1200 V，导通电阻为80和40mΩ，能够为许多现有的IGBT、硅和碳化硅MOSFET部件提供“直接更换”替代解决方案，而无需改变栅极驱动电路。这简化了设计升级，并为现有零部件提供了可替代采购来源。

对于功率因数校正、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器等应用，需要更高的效率和/或功率密度，所涉及的终端应用包括车载电动汽车（EV）充电器、叉车电池充电、光伏逆变器以及焊接等。

UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶体管技术，将一个碳化硅 JFET与定制设计的硅MOSFET集成在一起，凭借SiC JFET的速度、效率和高温额定值，实现通常关运行、高性能体二极管和MOSFET简单栅极驱动的完美组合。因此，现有系统可以实现性能提升，降低传导和开关损耗，提高热性能，并集成有栅极ESD保护。在新设计中，UnitedSiC UJ3C1200系列可提供实质性的系统优势，能够提高开关频率和效率，并可减小磁性元件和电容器等被动元件的尺寸和成本。

UnitedSiC将在PCIM 2018 ECOMAL欧洲展台7-406上展示1200V FET系列产品。

关键字：UnitedSiC UJ3C1200 编辑：冀凯引用地址：UnitedSiC的1200V碳化硅FET为用户提供业界最高性能的升级途径

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