美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的 极低电感SP6LI封装

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模块的极低电感封装。这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列而开发，经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同時实现高电流、高开关频率以及高效率。美高森美将在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM 欧洲电力电子展上展示使用新封装的SP6LI功率模块，以及其它现有产品系列中的SiC功率模块产品。

美高森美继续扩大其SiC解决方案的开发工作，已经成为向市场提供一系列Si / SiC功率分立和模块解决方案的少数供应商之一。美高森美的SP6LI产品系列采用专为高电流SiC MOSFET功率模块而设计的最低杂散电感封装之一，具有五种标准模块，在外壳温度(Tc)为80°C的情况下，提供从1200 V、210A至586 A；以及Tc同为80°C的情况下达到1700 V、207 A的相臂拓扑。这种新型封装具有更高的功率密度和紧凑的外形尺寸，可以使用较少数量的并联模块来实现完整的系统，帮助客户进一步缩小设备尺寸。

美高森美的SP6LI功率模块可以用于多种工业、汽车、医疗、航天和国防应用领域的开关模式电源和电机控制，示例包括电动车/混合动力车(EV/HEV)动力传送和动能回收系统、飞机作动器系统、发电系统、开关模式电源，用于电感加热、医疗电源和列车电气化等应用的开关模式电源、光伏(PV)/太阳能/风能转换器 和不间断电源。

美高森美副总裁兼功率分立器件和模块业务部门经理Leon Gross表示：“我们的极低杂散电感标准SP6LI封装非常适合为用于高开关频率、高电流和高效率应用的SiC MOSFET器件改善性能，通过提供更小尺寸的电源系统解决方案，帮助客户大幅降低设备需求。我们的低电感封装具有出色的开关特性，使客户能够开发更高性能的高可靠性系统，帮助他们从竞争中脱颖而出。”

市场研究机构Technavio指出，面向全球半导体应用的SiC市场预计在2021年前达到大约5.405亿美元，年复合增长率(CAGR)超过18%。此外，IHS Markit的研究表明，预计SiC MOSFET器件到2025年将产生超过3亿美元营收，几乎达到肖特基二极管的水平，成为第二大畅销SiC分立功率器件类型。

美高森美的SP6LI电源模块采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二极管构成的相臂拓扑，每个开关具有低至2.1 mOhms 的极低RDSon，并提供用于温度监控的内部热敏电阻和用于信号和电源连接的旋入式端子，以及用于改善热性能的隔热和高导热性基板(氮化铝作为标准，氮化硅作为选件)。此外，标准铜底板可替换为铝碳化硅(AlSiC)材料选件以实现更高的功率循环能力。

其它主要特性包括：

• 在相臂拓扑结构中优化多SiC MOSFET和二极管芯片组件的布局；

• 采用对称设计，每个开关最多可并联12个SiC MOSFET芯片；

• 每个管芯均与自身栅极串联电阻并联，实现均匀的电流平衡；

• 在非常快的开关频率下，具有高达600 A的高电流能力；以及

• 可选的组装材料组合，能够更好地满足不同的市场和应用需求。