650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

2018年6月1日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求，适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电和蓄电等。

英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此，英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品，这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品，其他组合封装解决方案的功率仅为其75%。

新器件的高功率密度允许设计人员升级现有设计，开发输出功率提高最多25%的新平台，或者减少并联功率器件数量，从而实现更紧凑的设计。独一无二的组合封装40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面贴装。这可支持轻松焊接，实现快速且可靠的贴装生产线。

关键字：650V IGBT D2PAK封装编辑：冀凯引用地址：650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度

上一篇：美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装
下一篇：工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

推荐阅读最新更新时间：2023-10-12 23:02

IGBT的电压型逆变器辅助开关电源的设计方案

电压型逆变电源的辅助开关电源其双管反激式开关电源能高效地提供多路直流输出，电路元件全部由分立式元件构成，抗干扰能力强，工作稳定可靠，因而能满足电压型逆变器等对电源的高可靠性要求。　　下面以逆变电源控制回路供电的开关电源为例，介绍反激式开关电源的设计方法。该开关电源已通过检验并投运。　　 1 双管反激式开关电源的结构和工作原理　　双管反激式开关电源的结构框图如图1所　　2 主电路工作原理　　原边线圈使用场效应管的反激半桥变换器线路如图2所示。　　高频变压器原边绕组通过场效应管直接与直流电源Vs相连，2个场效应管需要同时通断。因此，通过一个相位相同但相互隔离的信号来驱动，通常采用一个小型的双绕组输出的变压器。和其

[电源管理]

<font color='red'>IGBT</font>的电压型逆变器辅助开关电源的设计方案

IGBT核心技术及人才缺失工艺技术缺乏

新型电力半导体器件的代表，IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才，我国都处于全方位的落后状态。应当认识到，电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要，因此，政府应该对IGBT产业予以大力扶持。众所周知，电力电子技术可以提高用电效率，改善用电质量，是节省能源的王牌技术。当今以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的新型电力半导体器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件，它的性能参数将直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。IGBT已成为新型电力半导体器件的代表性器件，对大功率高频电力电子装置和系统的技术发展起着十分重要的推动作用。认识不足导致IGBT受冷落

[模拟电子]

650V GaN HEMT 评估板贸泽开售

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板。此高速子板结合了GaN Systems的两个650 V氮化镓 (GaN) E-HEMT和安森美半导体的NCP51820栅极驱动器，可为现有或新的离线电源转换设计提供高性价比半桥解决方案。作为授权分销商，贸泽电子始终致力于快速引入新产品与新技术，帮助客户设计出先进产品，并使客户产品更快走向市场。超过800家半导体和电子元器件生产商通过贸泽将自己的产品带向全球市场。贸泽只为客户提供通过全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。贸泽

[嵌入式]

<font color='red'>650V</font> GaN HEMT 评估板贸泽开售

电动汽车空调中的一项关键技术-IGBT

OHM 的 RGS 系列是符合 AEC-Q101 标准、且具有 1200V 和 650V 宽耐压范围的 IGBT 产品。该系列具有更低的传导损耗，有助于提高应用产品的效率并实现小型化，是电动压缩机的逆变器和高压加热器的更佳选择。前言与使用内燃机的传统汽车相比，电动汽车的能效要高得多，但这也带来一个问题：来自电机的废热不再足以满足车内的取暖需求。要想满足取暖需求，必须将电池中存储的部分电能转换为热能。为了实现不依赖于工作温度或电池电压的可调加热功率，在新一代高压加热器中使用了功率半导体，来控制从电池到加热元件的能量流。由加热元件加热冷媒，并通过热交换器将冷媒输送到车辆的空调系统中，最后由鼓风机将暖风输送到车内。参见图 1 原

[嵌入式]

电动汽车空调中的一项关键技术-<font color='red'>IGBT</font>

如何设计过流、过压、过热IGBT保护电路

IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须但对IGBT进行相关保护。　　过流保护　　生产厂家对IGBT提供的安全工作区有严格的限制条件，且IGBT承受过电流的时间仅为几微秒(SCR、GTR等器件承受过流时间为几十微秒)，耐过流量小，因此使用IGBT首要注意的是过流保护。产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路

[电源管理]

如何设计过流、过压、过热<font color='red'>IGBT</font>保护电路

基于IGBT的固态高压脉冲电源的研究与设计

由于脉冲电源有断续供电的特性，在很多领域都获得了广泛的应用。比如说高能量物理、粒子加速器、金属材料的加工处理、食品的杀菌消毒、环境的除尘除菌等方面，都需要这样一种脉冲能量——可靠、高能量、脉宽和频率可调、双极性、平顶的电压波形。无论将此高功率脉冲电源用于何种用途，高压脉冲电源均是其设计的核心部分。传统的高功率脉冲电源一般采用工频变压器升压，然后采用磁压缩开关或者旋转火花隙来获取高压脉冲，因而大都比较笨重，且获得的脉冲频率范围有限，其重复频率难以调节，脉冲波形易变化，可靠性较低，控制较困难，成本较高。文中采用固态电器——IGBT来获取高压脉冲波形。将IGBT作为获取高压脉冲的电子开关，利用IGBT构成LCC串并联谐振变换器作

[电源管理]

基于<font color='red'>IGBT</font>的固态高压脉冲电源的研究与设计

英飞凌推出用于新能源车的IGBT门级驱动器

英飞凌科技股份有限公司推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动汽车的主逆变器而设计的全新EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost驱动器，汽车系统供应商便能够更轻松地设计出更具成本效益的HEV电力传动传动子系统，该系统完全符合ASILC/D功能安全要求标准（ISO26262）。新的EiceDRIVER的目标应用是使用400V、600V和1200V汽车级IGBT、功率高达120kW的HEV逆变器。

[汽车电子]

意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用 2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关参数十分出色，例如，饱和电压 Vce(sat)很低，确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低，关断电能得到优化，让工作频率16kHz 至 60kHz 的单开关准谐振转换器具有更高的能效。新IGBT具有很好的耐变性和能效，非常适合电磁加热设备，包括厨房炉灶、变频微波炉、

[电源管理]

意法半导体1350V新系列<font color='red'>IGBT</font>晶体管提高耐变性和能效

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

■安世半导体理想二极管与负载开关，保障物联网应用的稳健高效运行

■报名直播赢【双肩包、京东卡、水杯】| 高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT

■免费申请 | 上百份MPS MIE模块，免费试用还有礼！

■PI 电源小课堂|无 DC-DC 变换实现多路高精度输出反激电源

Vishay线上图书馆

白皮书技术文章视频热门推荐