三菱电机推出1200V SiC MOSFET-电子工程世界

三菱电机日前推出其N系列1200V碳化硅（SiC）MOSFET，具有低功耗和高容限等特性。

具体来说，结型场效应晶体管（JFET）掺杂技术可降低开关损耗和导通电阻，从而实现了1450mΩ内阻。与使用常规的IGBT相比，功耗降低了约85％。

据称，通过降低镜像电容（MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容Crss），自导通容差比竞争对手的产品提高了14倍，因此可以实现快速的开关操作，有助于减少开关损耗。

降低的开关功率损耗之后可以选择更高载频的功率半导体，散热器可实现小型化和简化，以及诸如电抗器之类的外围组件的小型化，从而有助于降低整个电源系统的成本和尺寸。

该公司表示，新系列产品可以帮助减少需要高压转换的小型电源系统的功耗，例如电动汽车（EV）车载充电器，光伏电源系统等。

样品发货将于七月开始。

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