Cree CTO回顾公司SiC发展历程-电子工程世界

本文作者：Cree联合创始人兼CTO John Palmour

经过近二十年的研发，2011年，Cree向业界发布了世界上首款SiC MOSFET（碳化硅），打破了人们的质疑。在发布之前的几年中，业界普遍的观点是由于存在太多的缺陷，SiC功率晶体管无法量产，SiC MOSFET永远无法使SiC上的氧化物绝缘体可靠。尽管我们的竞争对手试图寻求其他SiC器件（如JFET和BJT）来解决这个问题，但我们还是依然坚持，因为我们知道MOSFET最终是客户真正想要的。我们相信我们可以使用碳化硅制造出市场上功能最强大，最可靠的半导体。

最终我们做到了，但我们付出了很多努力。

我们探索了三种不同的晶体结构。我们努力降低成本，同时又增加了载流子，要增加1000倍甚至更多。我们从指甲大小的晶圆开始，然后将SiC MOSFET通过3英寸的晶圆推向市场。我们在庆祝第一代SiC MOSFET的发布与第二代投入生产之间并没有任何间断。

早期的日子并非没有挣扎。我们知道要推动行业广泛采用的话，必须持续降低成本，同时提高性能。但是在那段时间里，我们从那些说不可能做到的人中吸引了很多信徒。我们看到竞争的公司放弃了哪些替代器件，而开始向MOSFET快速迁移。随着各行各业开始意识到如何在各种应用中使用SiC MOSFET，我们看到了新的市场和一些垂直市场。

但是，即使我还没有完全意识到这些市场中的哪些会变得更多。但我们认识到SiC MOSFET在巨大的工业应用中将发挥关键作用，电动汽车更是一个延伸。我们了解了潜力，但是我们没有想到机会会是如此巨大，甚至可以帮助塑造电动汽车行业。

带有SiC逆变器的Tesla Model 3推出改变了这一切。看到碳化硅器件可以实现更高的功率密度更大和功率范围，每个汽车OEM都在争先恐后地研究如何在自己的车辆中利用该技术。

如今，电动汽车行业的激动使我想起了公司历史上的另一个关键时期。我曾经经历过Cree LED业务的巨大增长。从90年代中期在大众汽车的仪表板中首次引入LED到整个行业对固态照明的接受，我见证了公司业务的爆炸性增长，今天这一切又再次发生。

我相信，Wolfspeed的未来比我们过去几年的增长还要庞大。爆炸式增长既有趣又充满挑战。在我们继续作为行业领导者前进的过程中，我们需要相互依靠。

10年前，我们正处于千载难逢的增长曲线的早期阶段，现在，我们准备再次启程。我迫不及待地想知道接下来的十年我们会到哪里。

关键字：Cree SiC 引用地址：Cree CTO回顾公司SiC发展历程

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