推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 02:12
GaN(氮化镓)射频器件市场分析
机遇与挑战: 氮化镓将逐渐替代以往的晶体管技术以及某些特定应用中的真空管 氮化镓晶体管技术最有可能的长期客户是国防市场和卫星通信市场 市场数据: 预计国防市场的价值将2012年达到4000万美元 卫星通信市场的估值在100万美元 氮化镓并非革命性的晶体管技术,这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(SiLDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。 与现有技术相比,氮化镓(GaN)的优势在于更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作,这些特点经常作为推动其批量生产的重要因素,但在价格、可用性和器件成熟度方面还需加以综合
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GaN将成PA主流技术 Qorvo成最大赢家
如今,电子业正迈向4G的终点、5G的起点。 后者发展上仍有不少进步空间,但可以确定,新一代无线电网络势必需要更多组件、更高频率做支撑,可望为芯片商带庞大商机--特别是对RF功率半导体供货商而言。 对此,市研机构Yole于7月发布「2017年RF功率市场与科技报告」指出,RF功率市场近期可望由衰转盛,并以将近二位数的年复合成长率(GAGR)迅速成长;同时,氮化镓(GaN)将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS),成为市场主流技术。 拜电信基站升级、小型基地台逐渐普及所赐,RF功率市场可望脱离2015年以来的低潮,开始蓬勃发展--报告指出,整体市场营收到2022年底则有望暴增75%之多,2016~2022年间CAG
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如何测量全球最快的功率开关
稳压器和DC-DC电源内的硅功率器件不久将会被GaN FET代替。与硅MOSFET相比,其开关速度要快得多,且RDS(on)更低。这将能增强电源的电源效率,为大家带来益处。如果您正在设计带有GaN器件的电源电路,您需要掌握该器件的开关速度。为测量这一速度,示波器、探头和互连的速度必须足够快,以尽量减少其对测量产生的影响。 关于器件性能,我最常被问到的问题就是 它们究竟有多快? 通常我会回答是:它们非常快,但实际上我并不知道具体有多快。为探明真相,我使用33GHz实时示波器和高速传输线探头对其进行了测量。我将探讨影响器件速度的设计限制因素及其未来的发展前景。经过这些测量,我相信我们将很快能设计出开关速度达到250MHz的电源。 图
[测试测量]
基于GaN的4000W图腾柱无桥PFC实现高效率服务器电源
日前,德州仪器在TI新基建半导体技术论坛上介绍了公司最新的基于GaN的4000W图腾柱无桥PFC参考设计。 随着电源行业的演进,80 PLUS标准越来越严苛。80 PLUS计划最初是由美国能源署出台, Ecos Consulting 负责执行的一项全国性节能现金奖励方案。起初为降低能耗,鼓励系统商在生产台式机或服务器时选配使用满载、50%负载、20%负载效率均在80%以上和在额定负载条件下PF值大于0.9的电源。 该方案最早于2003年开始实施,2007年被正式纳入到能源之星4.0标准规范中。到今天为止,80Plus已成为公认的最严格的电源节能规范之一。80Plus计划实施分为不同阶段,也就是所谓的“路线图”,最终目标是确
[电源管理]
Transphorm 2021年一季度营收增长20%
Transphorm日前报告其2021年一季度收入增长了20%,达到创纪录的240万美元,这得益于GaN的采用率提高。 设计和制造了JEDEC和AEC-Q101认证的650V和900V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)的Transphorm,日前报告称,其一季度预计收入约为240万美元(比2020年第四季度的200万美元增长20%),这得益于该公司GaN功率器件产品越来越广泛使用,包括从45W快速充电器/适配器到1-4 kW矿机电源,游戏和数据中心服务器以及大功率工业,UPS(不间断电源)和汽车转换器/逆变器应用。 总裁兼联合创始人Primit Parikh说:“我们交付了超过100万个GaN器件,这是业界首创的关键里
[电源管理]
Navitas: 业界首款氮化镓驱动与功率集成芯片(GaN Power IC)
Navitas(音译:纳微达斯) 半导体日前宣布推出基于其专利的AllGaN 650V单片平台上研发的业界首款氮化镓(GaN)驱动与功率集成芯片。集成逻辑电路、驱动电路的氮化镓功率芯片(GaN Power IC)能够实现比现有的硅电路高10倍至100倍的开关频率, 使得系统体积更小,重量更轻,成本更低。新一代高频(10x~100x),高效率的电源变换器正在应用于智能手机和笔记本充电器、OLED 电视、LED照明、太阳能逆变器、无线充电设备和数据中心电源。 氮化镓功率管(GaN FET)由于其固有的高开关速度和高开关效率,使其在电力电子市场取代硅类开关器件具有巨大的潜力 Navitas 的首席技术官 & 首席运营管 DanKin
[电源管理]
台积电、世界先进GaN制程投片量大增,将进入收割期
受惠于5G即将迈入商转及车用电子、物联网大势所趋,第三代半导体材料氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)进入快速成长期,国际IDM大厂高端产品相继跨入第三代半导体材料制程,台积电、世界先进GaN制程投片量大增,今、明两年进入收割期。 台积电与世界先进着手研发GaN制程技术多年,技术成熟进入量产,目前台积电6英寸产能开出GaN制程提供德商戴乐格(Dialog)产出电源转接芯片;而世界先进则与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作,在去年陆续为电源管理IC客户开出8英寸产能。 Dialog指出,以GaN生产电源转换控制器具备高效率、体积小、更高功率优异特性,带来全世界最快速的电晶体。集邦科技旗下拓墣产业研究指出,Ga
[半导体设计/制造]
ST单片 GaN 栅极驱动器加速工业和家庭自动化并提高灵活性
意法半导体单片 GaN 栅极驱动器加速工业和家庭自动化并提高灵活性和集成度 中国,2021年9月9日——意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大,高低边输出信号传播延迟相同,都是45ns,能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。 STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V,还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管,在驱动 GaN 器件时,可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS),确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。此外,驱动器还集成一个自举电路,可大限度降低物料清单成本,简化电路板布局。自举电路使用同步整流 MOSFET开关管,使自举电压达到VCC逻辑电源电压值,从而让驱动
[单片机]