以前,如果表面安装产品设计师需要高于几百毫安电流的话,就不得不采用体积较大的穿孔器件就是价格较高的SOT89,SOT223和D-PAK封装的表面安装晶体管。
随着Zetex FMMT718和FMMT719系列NPN,PNP双极晶体管的推出,SOT23封装器件也可以驱动峰值电流达到6A,工作电流达到2.5A的负载了。
这些SuperSOT器件具有很多优点,例如显著提高电路效率,节省器件数量和空间,提高可靠性。可以说,这些最先进器件的性能超过了现有的所有SOT23器件和许多SOT89及SOT223器件。
FMMT618/718主要参数见表1。
表1 NPN和PNPSuperSOT 系列的主要参数
SuperSOT 系列 | ||||||||
极性 | NPN | PNP | ||||||
FMMT618 | FMMT619 | FMMT424 | FMMT625 | FMMT718 | FMMT720 | FMMT722 | FMMT23 | |
BVCEO | 20V | 50V | 125V | 150V | 20V | 40V | 70V | 100V |
IcCONT | 2.5A | 2A | 1A | 1A | 1.5A | 1.5A | 1.5A | 1A |
IcMAX | 6A | 6A | 3A | 3A | 6A | 4A | 3A | 2.5A |
hFE | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 |
典型hFE@Ic | 360 2A |
225 2A |
140 1A |
45 1A |
230 1.5A |
290 1A |
275 1A |
250 1A |
典型VCE(sat)@Ic | 130mV 2.5A |
150mV 2A |
165mV 1A |
180mV 1A |
145mV 1.5A |
245mV 1.5A |
140mV 1A |
210mV 1A |
Ptot | 625mW | 625mW | 625mW | 625mW | 625mW | 625mW | 625mW | 625mW |
测试环境:15×15×0.6mm 陶瓷表面
首先注意到的是这些SOT23晶体管可以用于625mW--大致为标准SOT23封装产品的2倍。实现这种功耗水平的方法是使用一种专门设计的条带。这样在给定功耗条件下,Zetex的SuperSOT管芯将比任何其他的SOT23器件的温度要低,既提高了可靠性,又可以节省PCB面积。
第二,器件的饱和压降BVCEO低于目前市场上的任何SOT23器件和很多其他厂商的SOT89和SOT223器件。这意味着在开关电路中可以降低功耗,同样也提高了可靠性和节省PCB面积。
这些特性以及高的值hFE和开关速度,似的这个系列成为理想的开关器件,如DC-DC转换,电机驱动、照明驱动、显示驱动、电源开关缓冲器等等。这些晶体管同时也适合于各种线形应用场合,因为SuperSOT设计获得的低基级电阻导致优异的低噪声性能。下面介绍采用此种器件的H型桥式电机驱动电路。
H型桥式驱动器有着广泛的应用,如磁盘驱动、点秒机、汽车电子、伺服系统、玩具等等。这种驱动器在单电源情况下可以提供双向输出--由逻辑IC或微控制器进行控制。综通常使用2个NPN和2个PNP晶体管。所有晶体管都是发射极接地(见图1)。如果接通一个NPN晶体管和对角线的PNP晶体管(比舅NPN1和PNP1),则实际上所有的上加电压都将加到电机负载上。接通另一对晶体管则使负载上的电压方向相反。H型桥式晶体管常常要求附加的集电极-发射极保护二极管,以防止负载电机可能产生的瞬态电流和反馈电流损坏晶体管。
在电池供电的情况中,关键是使电源电压尽可能全部通过负载,以使通过提高效率和使最低可用电压减小来延长电池寿命,图2所示的桥式电路可以提供1.5A的负载电流。通过基极电阻就可以很容易的调整电流(对PNP,将IB设定到最大电流的1/50,对NPN管IB设定为1/100)。电流为1.5A时,无论NPN或PNP管的饱和压降都仅为0.3V,电流更小时,饱和压降将再将低一半。
通过低饱和损耗和低基极驱动电平,FMMT618/718可以提高电机的性能和寿命。因为它们的反负hFE足够高,能够导通反馈电流和瞬态电流,通常不通需要并联保护二极管。使用体积小的SOT23封装和少的器件数量意味着减少PCB的面积和降低成本。
对工作电压较高的电机,控制逻辑电路很少能够直接驱动PNP晶体管。在图3所示的电路中加入了一对通用NPN管作为缓冲/驱动管。当电源电压增加时,桥路晶体管的hFE变得更加重要,因为基极驱动损耗与电源电压有关。FMMT618/718的hFE值较高,因而可以使损耗达到最小并节省PCB空间和成本。
以上两个H型桥式电路都可以由逻辑电路直接驱动,虽然在负载为1.5A时,图2电路要求逻辑电路的输出较高(能够达到30mA)。如果逻辑电路无法做到这一点,使用图3所示电路提供的解决方案不仅比较经济,性能也超过了多数SOT89方案和许多SOT223器件组成的电路。
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