英特尔、美光 NAND Flash 杀价大反攻

      随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IM Flash抢头香推出34纳米制程NAND Flash产品，应战三星电子(Samsung Electronics)42纳米制程，不但制程技术领先，近期英特尔和美光在价格策略上，更是上演绝地大反攻计画，以超低价策略抢食三星地盘。下游厂商透露，近期英特尔和美光32Gb芯片价格硬是比其它品牌便宜1美元，相较于三星更是便宜将近3美元，价差相当惊人，而此策略亦让英特尔阵营近期NAND Flash产品询问度大增，三星在现货市场活络度则降低。

      英特尔和美光进入NAND Flash市场以来，一直处于追赶三星状态，然2009年领先推出全球成本最低的34纳米制程技术，相较于三星和东芝(Toshiba)最先进制程分别为42与41纳米，以及海力士(Hynix)41纳米近期开始量产出货，英特尔阵营打了漂亮一仗，并促使三星和东芝下半年快马加鞭要转进30纳米制程。

      除加快制程脚步，美光2009年在NAND Flash市场布局相当具企图心，原本苹果(Apple)新产品iPhone 3G S的NAND Flash供应商以东芝为主，然近期下游厂透露，美光NAND Flash产品已通过iPhone 3G S认证，预计8月开始出货，这对于美光而言，将是相当重要里程碑。

      存储器模块厂透露，近期英特尔与美光阵营在现货市场价格策略犀利，几乎是以大杀价方式，吸引下游厂买盘进驻，一方面是美光和英特尔34纳米制程极具成本竞争力，有本钱继续杀价，另一方面则是策略性地抢食原本三星客户族群。

      下游厂透露，目前32Gb芯片价格约5.8~6美元，英特尔与美光价格比其它同业便宜近1美元，而三星2009年策略大转变，坚持守住利润而不冲营收作法，让三星目前在32Gb芯片价格，比英特尔阵营足足高出近3美元，1颗报价接近8美元，中间价差相当惊人，而同样情况亦出现在64Gb产品价格上。

      存储器厂指出，英特尔与美光这招降价策略其实相当奏效，近期市场询问度提高很多，买卖交易颗粒几乎以英特尔与美光产品居多，三星不仅较贵，加上其对现货市场释出货源有限，使得三星颗粒询问度降低。

      模块厂表示，这其实符合2009年三星在NAND Flash领域策略方向，包括获利至上、不盲目冲刺市占率和营收，策略性降低现货供应比重，主攻系统OEM等大型合约客户，过去常出现与台厂有暗盘交易、价格保护(PP)等方式，2009年一律不再出现，此举有助于三星获利结构更稳定，但亦使得部分现货市场客户开始倒向英特尔与美光等阵营。