韩国抢先注册3D晶体管专利技术

    据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收入。

    首尔大学电机工程学系教授李锺浩(译名)表示，在韩国及美国持有与英特尔发表的3D晶体管制程技术tri-gateMOSFET相同的bulkFinFET相关技术专利。他表示，2项技术只有名称不同，但应用的方式是相同的。

    李锺浩表示，从英特尔目前为止公开的资料来看，与韩国持有的专利技术完全相同，相关技术韩国已取得韩国境内及美国的专利权，并发表60多篇论文，在技术方面是已得到验证的事实。

    bulkFinFET技术2002年1月30日已在韩国申请专利，且于2003年8月成功登录专利，接著2003年2月4日向美国申请专利，并于 2年后的2005年4月26日完成登录，而英特尔则在晚李锺浩10天的2003年2月14日，才提出tri-gateMOSFET专利申请。

    英特尔发表的3D垫晶体制程技术可增加晶体管通道数量，增加电流量，电流流失与目前的2D晶体管相比显著减少，大幅提升其效率。此外，此3D晶体管技术也适合用在微细制程，提升芯片集积度。

    英特尔计划将该计数应用在22纳米量产制程中，进入行动装置芯片市场。行动芯片需求持续增加，李锺浩的专利技术若审核后确定为同样的技术，将可获得数量庞大的专利金。

    bulkFinFET技术的美国专利及发明者皆登录为李锺浩，专利权则由专利营销专门公司PNIB所持有，此外，该技术相关的多数应用技术也由李 锺浩及其所属的首尔大学共同持有。李锺浩当时提出相关技术专利申请后，曾邀请韩国企业进行共同开发，然当时因技术不具商业性为由遭拒。

    李锺浩表示，先申请专利者可获得专利权法保护，而经过确认后，确实比英特尔更早提出专利申请，应没有其它问题。为取得美国专利权保护，将会以英特尔为对象，与PNIB共同进入相关法律程序。