英飞凌以300mm薄晶圆产出首款功率半导体晶片

    英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奥地利菲拉赫(Villach)据点生产出首款 300mm (12寸)薄晶圆之功率半导体晶片(first silicon)，成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300mm薄晶圆生产之晶片的功能特性，与以200mm晶圆制造之功率半导体相同，已成功通过在高压应用产品中使用金氧半导体场效电晶体(MOSFET)的应用测试证明。

    在电晶体发明 55 年之后，英飞凌以革命性 CoolMOS 电晶体技术，荣获 2002 年德国工业创新大奖 (German Industry’s Innovation Award)。高压电晶体，已在众多应用领域提升能源效率，如 PC 电源供应器、伺服器、太阳能电源转换器、照明与电信系统。这些节能晶片目前也是消费性电子装置的必要元件，如平面电视和游乐器。使用能源、节约能源且不失效率，已成为所有用电产业与家庭应用的首要需求。英飞凌的节能半导体解决方案，可节省高达 25% 的全球电力消耗。

    2010 年 10 月，英飞凌已在奥地利菲拉赫着手设立 300 mm晶圆及薄晶圆技术的功率半导体前导生产线。目前该团队拥有 50 名工程师和物理学家，来自研究、开发、制造技术及市场行销等各个领域。首颗 300 mm 下线晶片，是英飞凌持续成功制造节能产品专用之功率半导体的推手。根据 IMS Research 于今年 8 月提出的研究报告，英飞凌在 2010 年仍位居全球功率半导体市场龙头，并已连续第 8 年获此殊荣。