Cadence指出,在32/28纳米制程上还有很大的成长空间,随着市场对于高阶制程需求若渴,2012年转入28纳米制程脚步会逐渐加快,而2013年更将是20纳米制程生产的起飞元年。
综观全球市场,对这些晶片产品的需求分布非常平均,32/28纳米制程的需求并不完全集中在欧美或日本这些传统科技大国,可以观察到如南韩、大陆,甚至美国公司聚集地的印度等亚洲地区,对于高阶制程的需求劲扬。台湾的IC设计公司安霸(Ambarella)即是一例,2011年安霸使用Samsung的32纳米制程,量产其数位相机影像晶片,以资本额较少的新公司而言,跨入高阶制程需要承担更大的风险,此举足见安霸的企图心。
在追求高效能、低功耗、高集积度的设计弹性等需求逐步浮现的状况底下,28纳米制程绝对会成为客户的选择,只不过由于28纳米漏电流(leakage power)的问题尚未改善,有许多公司可能因为成本及良率的考量,目前还在观望,尤以无晶圆厂的IC 设计公司承担较大的价格压力,不见得会将所有产品上都会采用高阶制程。不过目前看来,绘图、处理器、记忆体、Asic、多媒体处理器等各式各样的产品都已经有转入28纳米的迹象。
20纳米部分,Cadence表示目前EDA厂商都在发展相关技术,但实际上真正有进展的厂商并不多 主要瓶颈在于20纳米制程上单位面积的电晶体复杂度大增,有很多有别于以往的新规必须去适应。
其次,随着电路的间距缩短挑战了光学定义的极限,技术上工程师发展出Double Patterning(DPT)的方式,但这在技术发展和成本上都造成很大的负担,技术上的挑战是要如何避免两次作之间产生的误差;成本上的挑战则来自于要如何在做两次光学定义时,还可控制成本在可接受的范围内。 (洪绮君)
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