三星领先台积 14纳米进化

最新更新时间:2012-12-22来源: 经济日报关键字:三星  台积  14纳米 手机看文章 扫描二维码
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    三星昨(21)日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效晶体管(FinFET)的14纳米测试芯片,进度领先台积电,显示在苹果「去三星化」趋势已定下,三星力拚台积电的野心只增不减。

韩联社报导,三星与安谋 (ARM)、益华(Cadence)、明导(Mentor)与新思(Synopsis)共同合作,成功试产出旗下第1颗采用FinFET技术的14纳米测试芯片。

三星系统芯片部门主管表示,14纳米FinFET制程技术可提升电子装置效能并降低耗电量,进一步改善行动环境,这也是IBM之后,第2家搭载安谋处理器架构,试产成功的14纳米FinFET测试芯片。

晶圆代工行动装置芯片商机大,FinFET技术可以解决不断微缩的纳米芯片的漏电问题。三星原本预计14纳米FinFET于2014年量产,与台积电规划的16纳米FinFET同步。随着三星14纳米FinFET试产芯片推出,半导体业者认为,三星FinFET不排除提前半年量产。

台积电面临三星来势汹汹的竞争外,格罗方德9月也宣布推出以FinFET导入的14纳米元件,预计2013年底进入客户试产阶段,2014年正式量产;联电则预计2014年试产。

台积电为了防堵竞争对手,预计使用安谋首款64位元处理器「v8」来测试16纳米FinFET制程,预计明年11月推出首款测试芯片,最快2014年量产。台积电南科14厂将作为第1个量产16纳米FinFET基地,再下一个世代的10纳米FinFET制程,预计于2015年底推出。

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