飞兆半导体的四路MOSFET解决方案提高了效率,解决了有源整流桥应用中的散热问题

最新更新时间:2013-05-02来源: EEWORLD关键字:飞兆半导体  MOSFET 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题。 同样,热致噪声可能影响系统的图像传感器,也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量,占用电路板空间,让这些设计变得更复杂。 飞兆半导体(纽约证券交易所代码: FCS) 的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装,有助于克服这些严峻的设计挑战。

FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成,采用飞兆GreenBridge™技术,改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率,将功耗降低了10倍。 该器件采用热增强、节省空间的4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装,免去了散热需要,实现了紧凑设计,提高了12和24V AC应用中的功率转换效率。

规格:

• 最大RDS(ON) = 17.5 mΩ(VGS = 10V,ID = 8A)
• 最大RDS(ON) = 23 mΩ(VGS = 6V,ID = 7A)
• 最大RDS(ON) = 25 mΩ(VGS = 4.5V,ID = 6.5A)

封装和报价信息(订购 1,000 个,美元)

按请求提供样品。交货期:收到订单后 8-12 周内

FDMQ86530L产品采用4.5 x 5.0mm MLP 12引脚封装,价格为 1.38美元。

FDMQ86530L产品是飞兆半导体全面的分立式MOSFET产品组合的一部分,再次体现了公司承诺:即提供最具创新的封装技术,以目前最先进的系统实现最小尺寸、最大热性能和最高效率。

飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor;纽约证券交易所代号:FCS) - 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品,并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息,请访问网站:www.fairchildsemi.com

关键字:飞兆半导体  MOSFET 编辑:陈盛锋 引用地址:飞兆半导体的四路MOSFET解决方案提高了效率,解决了有源整流桥应用中的散热问题

上一篇:3年内 晶圆代工逐年2位数成长
下一篇:全球前12大半导体晶圆代工厂营收排名

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:30

低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、数码摄像机、DVD播放器、MP3播放器和个人数字助理)的设计人员一直面临着压力,既要缩减材料成本,又不能影响产品的性能,这对设计人员而言是真正的挑战,因为他们既要增加产品新特性,又不能对电池使用寿命产生负面影响。 大多数便携式产品正向着集成电源管理单元(PMU)电路的方向发展,这种电路专为控制产品中的不同功能而设计,包括电池充电、电池管理、过压保护、 背光、振动器、磁盘驱动器和外围设备的控制
[嵌入式]
捷捷微电:部分MOSFET产品可用于光伏逆变器
12月16日,捷捷微电在互动平台表示,公司有部分MOSFET产品可应用于光伏逆变器领域,目前仍在样品阶段。公司在新能源汽车方面,有部分TVS产品用于充电桩上,主要是提供安全保护。 据捷捷微电透露,公司侧重于功率半导体器件IDM模式,功率半导体“车规级”产业化项目,生产的车规级大功率器件主要应用于新能源汽车电子(如电机马达和车载电子)、5G核心通信电源模块、智能穿戴、智能监控、光伏、物联网、工业控制和消费类电子等领域,此外,公司相关MOS产品还可以应用于锂电池保护领域。 捷捷微电称,由公司全资子公司捷捷半导体承建的“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目”是我们的重点项目之一。 理论上讲芯片的版面越大效率越高,就功率半导体器
[手机便携]
反激式电源中MOSFET的钳位电路
     输出功率100W以下的AC/DC电源通常都采用反激式拓扑结构。这种电源成本较低,使用一个控制器就能提供多路输出跟踪,因此受到设计师们的青睐,且已成为元件数少的AC/DC转换器的标准设计结构。不过,反激式电源的一个缺点是会对初级开关元件产生高应力。   反激式拓扑结构的工作原理,是在电源导通期间将能量储存在变压器中,在关断期间再将这些能量传递到输出。反激式变压器由一个磁芯上的两个或多个耦合绕组构成,激磁能量在被传递到次级之前,一直储存在磁芯的串联气隙间。实际上,绕组之间的耦合从不会达到完美匹配,并且不是所有的能量都通过该气隙进行传递。少量的能源储存在绕组内和绕组之间,这部分能量被称为变压器漏感。开关断开后,漏感能量不会
[电源管理]
反激式电源中<font color='red'>MOSFET</font>的钳位电路
双栅极SET与MOSFET的混合特性
双栅极SET 与MOSFET 的混合特性   由SET 的周期振荡特性和MOSFET 的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET 通用方波电路 ,它是构成逻辑门电路的基本单元,如图2 所示。      图中双栅SET/MOSFET 的通用方波电路由SET、MOSFET 和恒流源构成。SET 的漏极电压由Vgg 控制,Vgg-Vth 要足够低以确保SET 漏源电压近似恒定工作在库仑振荡条件下,Vcon控制漏电流周期振荡的相位。接入恒流源Io 后,当IdsIo时,输出电压为低电平。同时,这里的恒流源Io 可利用耗尽型NMOSFET 设置加以实现。   数字电路中,最基本的单元在于逻辑门设计。
[模拟电子]
双栅极SET与<font color='red'>MOSFET</font>的混合特性
飞兆半导体TinyLogic® 系列担当节能新角色
根据市场研究机构预测,从现在直到2011年手机市场将会增长15%*,而且,消费者在日常生活中对多功能手机的依赖性逐步增强,因而对延长电池寿命的需求不断增长。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的低ICCT逻辑门TinyLogic器件作为满足这些需求的创新方式,提供了降低潜在隐性功耗的解决方案。隐性功耗往往在手机、智能电话和医疗设备等多功能移动产品需要多种混合供电电压的移动设计中出现。 当输入高电压(VIH)低于电源电压(VCC)时,飞兆半导体的TinyLogic低ICCT逻辑门相比标准CMOS产品,静态功耗减少多达99%。在这种工作状态下,一般静态ICCT电流将会增加,并会造成潜在的功
[电源管理]
适用于小功率电机驱动的MOSFET逆变模块设计
  本文介绍新型的MOSFET逆变模块,用于驱动风扇和水泵中的小型直流无刷电机。这种功率模块集成了6个MOSFET和相应的高压栅极驱动电路 (HVIC)。通过使用专门设计的MOSFET和HVIC,该模块能提供最小的功耗和最佳的电磁兼容 (EMC) 特性。本文将探讨这种逆变模块在电机驱动应用中所涉及的封装设计、MOSFET和HVIC,并着重讨论其中的功率损耗、电磁干扰和噪声问题。   电气设计   对于小型电机驱动系统,MOSFET在功耗、成本和性能方面较其它功率开关管更具优势。MOSFET的正向特征电阻为欧姆级 (见图1(a)) ;其导通损耗与漏极电流的平方成正比,当漏极电流低于1A时,其导通损耗低于额定功率相同的IGBT的导
[电源管理]
适用于小功率电机驱动的<font color='red'>MOSFET</font>逆变模块设计
罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET
 日本半导体制造商罗姆面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器,开发出了功率MOSFET。 新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性,有助于各种设备的DC/DC电源电路实现更低功耗。另外,根据不同用途提供3种小型封装,可减少安装面积,更加节省空间。 关于生产基地,前期工序在罗姆的总部(日本京都市),后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国),从2012年4月开始出售样品(样品价格30~50日元/个),从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。   近年来,随着服务器和笔记本电脑等的高性能化发展,CPU等
[电源管理]
罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率<font color='red'>MOSFET</font>
飞兆半导体推出 150V 低 RDS(ON) MOSFET
      飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200,以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件利用飞兆半导体先进的工艺技术和封装技术,以及系统专有技术,并采用5mm x 6mm MLP封装,具有效率高、功耗较低和散热较少的特性。       FDMS86200使用屏蔽栅极MOSFET技术来设计,具有较低的开关噪声和振铃噪声,有助于降低EMI
[电源管理]
<font color='red'>飞兆</font><font color='red'>半导体</font>推出 150V 低 RDS(ON) <font color='red'>MOSFET</font>
小广播
热门活动
换一批
更多
最新半导体设计/制造文章
更多精选电路图
换一换 更多 相关热搜器件
更多每日新闻
随便看看

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved