IBS CEO Handel Jones：FinFET与FD-SOI的市场与成本分析

2018年9月18日，一年一度的上海FD-SOI论坛在上海准时举行，本次大会由SOI产业联盟、芯原控股有限公司、上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合主办。

IBS CEO Handel Jones以翔实的数据分析了FinFET与FD-SOI。

IBS CEO Handel Jones

Handel Jones表示，AI正在成为半导体领域未来十年增长的重要推手，AI能力将会改变很多行业，现在FD-SOI短期内是物联网重要的应用场景，长期则是5G市场的重要受益者。同时，在汽车电子化、高清视频、自动驾驶、自动化机器人等相关应用也将被颠覆。



Jones分析了目前TSMC的销售量，另外也指出由于体偏置、掩膜简单等特性，FD-SOI特别适合射频电路、低功耗电路等应用。



随着工艺越来越先进，设计费用越来越高昂，需要的人力开发和其他支援也会越来越多，会有大量玩家放弃高端工艺制程。

Jones表示，相对于FinFET工艺，平面工艺拥有更长的生命周期，因此投入产出比相对合适。

Jones认为，22nm FD-SOI的成本将和28nm HKMG成本相近，而工艺继续向下的话比如在12nm上，FD-SOI的成本将显著低于FinFET。

Jones预计，ISP将是FD-SOI一个显著增长的市场，这是因为FD-SOI拥有更好的ADC模拟特性、低功耗以及低成本，随着汽车、智能手机、AR及安防市场不断增加，预计2027年，ISP出货量将达196亿颗。

Jones强调，中国市场的增长仍将会是巨大的，目前在5G、物联网、无人驾驶等领域已经从市场的跟随者变成了领军者。由于贸易战的影响，中国越来越需要打造自主的产业生态系统，从而不受制于人。

现在，随着FD-SOI技术越来越商业化，中国已经存在了在FD-SOI上大放异彩的机会和基础。