7nm之后宜特TEM材料分析技术直攻5nm制程-电子工程世界

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随著半导体产业朝先进製程发展，宜特(3289-TW)宣布，检测技术再突破，其TEM材料分析技术，已通过国际级客户肯定，验证技术可达5奈米製程；宜特表示，5奈米是下阶段各半导体厂的竞逐场，宜特目前就已有半导体客户，朝5奈米製程发展。

宜特近期协助多间客户在先进製程产品上完成TEM分析与验证，技术更深获IEEE半导体元件故障分析领域权威组织IPFA(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits，积体电路失效分析论坛)肯定，连续数年通过大会审核，并在大会期间发表最新研究成果。

宜特表示，近年企业为打造效能更高、功耗更低、体积更小的半导体元件以满足现今智能产品需求，各大厂在先进製程开发脚步越来越快，从20奈米、去年14奈米製程，陆续在今年往10奈米、7奈米製程进行量产准备；多家半导体大厂今年更已朝5奈米製程进行研发蓝图，带动整个供应链的材料分析需求。

宜特指出，材料分析是宜特近年重要佈局项目。产能方面近3年以倍增方式持续扩产；技术方面去年下半年材料分析技术达10奈米后，即陆续获得半导体客户委案。

宜特材料分析处处长陈声宇表示，5奈米製程是下一阶段各半导体厂商的竞逐场，宜特在先进製程演进过程提供检测验证方案，目前已有国际级半导体客户，朝5奈米製程迈进。

陈声宇指出，随著摩尔定律在5奈米製程以下将面临物理极限，业界也开始积极寻找微缩製程以外的解决方案，3D IC即为其中最受瞩目的解决方案；此次在IPFA所发表的论文「先进TEM材料分析技术于3D IC硅穿孔(TSV)製程之应用」，即是针对3D IC製程中的分析需求，所提出的新颖分析手法。

陈声宇说明，在3D IC製程中，宜特此次发表之论文，就是利用新颖的TEM分析技术，解析出3D IC製程结构的应力分佈，精确度可达数个奈米，可协助突破过往应力分析上的限制。

关键字：宜特 TEM 编辑：刘燚引用地址：7nm之后宜特TEM材料分析技术直攻5nm制程

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