高通首款10nm移动平台骁龙835迎亚洲首秀

eeworld网半导体小编午间播报： 高通首款10nm移动平台骁龙835在今天（3.22）实现了亚洲首秀。这款应用于旗舰机型的芯片备受业界关注，高通讲述了该芯片在续航、沉浸式体验、拍摄、连接以及安全等方面的性能参数。高通方面表示即将有搭载该芯片的手机面世。

高通副总裁兼QCT中国区总裁Sanjay Mehta（武商杰）认为，未来智能手机仍然有很大的发展空间，2016年-2020年智能手机累计出货量预期将超过83亿台。而高通帮助了更多中国厂商走向了全球。

武商杰透露，目前已经有超过200款终端设计采用或者正在开发使用高通骁龙820/821芯片，并成为了智能手机旗舰终端的选择。

今天高通发布的骁龙835则是首款10nm工艺制程的移动平台，有超过30亿个晶体管，在CPU性能方面，比骁龙821最能性能提升了20%。

之前制程工艺更多是由PC芯片来引领发展，随着智能手机的发展，移动芯片的制程工艺开始引领发展。高通产品市场高级总监张云表示，制程工艺不断演进的动力来自希望更小的尺寸来集成更多特性，适用更薄的手机，更大电池容量，实现更低功耗。

高通骁龙835在视觉处理和安全、音频等等方面实现了提升。另外，高通特意提到了随着835芯片的推出，高通还推出了快充第四代：高通Quick Charge4，可以实现充电15分钟充电量50%。具体的一些参数之前CES首秀的时候已经公布。

骁龙835芯片亚洲首秀的今天也是京东与高通“骁龙专列”合作一周年。京东胡胜利透露一大批打在骁龙835芯片的手机将会在京东上面世。之前有传。三星Galaxy S8、小米6、LG、诺基亚等手机厂商有意搭载该芯片。在高通骁龙835首秀的同时，小米官方微博也转发了高通该芯片的微博，并附上了“强者先行”字样，暗示了小米新机将搭载该芯片。

官方中文规格表：

工艺尺寸：骁龙835采用10nm FinFET制程，三星代工，尺寸减小35%，功耗降低25%。

CPU：采用八核Kryo 280自研核心，主频最高2.45GHz（早先资料称，小核是1.9GHz，待官方确认），这比骁龙821的2.35GHz提升了4%（小核提升了18%），最终性能提升20%。

GPU：Adreno 540，图形速度提升25%，色彩提升60倍。支持4K屏（60FPS）、10位色深、支持DP、HDMI和USB-C视频流传输。

基带：X16调制解调器，全球首款千兆LTE基带，4载波聚合、7模全网通。

充电：QC4.0技术，15分钟可充50%的电，速度提升20%。

内存：LPDDR4X双通道、UFS 2.1、SD3.0（UHS-1）

连接性：802.11ad（60GHz）、802.11ac（2x2 MU-MIMO）、蓝牙5.0

定位：支持GPS、格洛纳斯、北斗、伽利略

ISP：高通Spectra 180，双14位ISP、最高支持双1600万/单3200万镜头，可录制HDR视频。

DSP：Hexagon 682，集成向量扩展，支持TensorFlow和Halide

视频：最高4K 30FPS拍摄、4K 60FPS播放，可解码H.264/265/VP9。

音频：AqsTIc音频编解码器，支持原生DSD、123dB高信噪比。

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