1.东芝敲定首轮竞标者名单,从10家缩减至4家;
eeworld网报道,据日本媒体“每日新闻”和“读卖新闻”引述消息人士透露,东芝公司已将其芯片业务的首轮竞标者名单从10家缩减为4家,分别是西部数据(Western Digital)、SK海力士公司(SK Hynix)、博通公司(Broadcom)和鸿海集团。
其中,博通与私募股权投资公司的银湖合伙公司(SilverLake Partners)共同竞标。有知情人士称,美国芯片制造商博通公司对于东芝公司半导体业务的竞购,获得了三家日本银行和私募股权公司银湖资本的资金支持,包括日本瑞穗金融集团、三井住友金融集团以及三菱日联金融集团的放贷部门计划向博通提供大约150亿美元贷款,而银湖资本则向东芝增加30亿美元的可转换债融资。
据此前报价显示,博通向东芝芯片业务提出大约2万亿日元(约合180亿美元)报价,鸿海集团计划最多斥资3万亿日元(约合270亿美元)竞购东芝芯片业务员部门,在所有竞购者中出价最高。
4月12日,美国西部数据警告东芝,在计划中的出售芯片业务之前拆分该项业务,会违反双方的芯片业务合资合同,西部数据将不会坐视东芝践踏自身的权利。这一反对意见或令东芝出售芯片业务的努力变得复杂化。
西部数据还表示,招标出售芯片业务并非是最符合东芝股东利益的做法,西部数据希望与东芝进行独家磋商。在这份日期为4月9日的信件中,西部数据称传言在2-3万亿日圆(180-270亿美元)之间的诸多报价,均远高于该芯片业务的公允合理价值。
作为全球最大的电脑硬盘制造商之一,西部数据去年斥资158亿美元收购闪迪,押注可能会淘汰其核心业务的技术。这一收购令西部数据承担了更多债务,可能会限制它匹配其他公司出价的能力。今年1月,西部数据称,公司的现金和现金等价物总额为52亿美元,“可用流动资产”总额为62亿美元,净负债8亿美元左右。
苹果(Apple)和谷歌公司(Google)也曾加入东芝芯片业务的收购行列,但可能因购价等问题被筛选掉。报道指出,若日本企业共组集团参与竞标,这样的集团也可能支持现有竞标的1方。
目前,由于这一阶段的报价不具约束力,可能还会发生变化。第二轮竞价时间截止到5月19日。在挑选买家前,东芝将与卖家谈判出售细节,包括价格和保留工作等。
东芝公司发布截至2016年12月31日的9个月财报,东芝营业亏损5763亿日元(约合52亿美元),股东权益降至-2256亿日元。不过,东芝的这一财报并未获得审计机构普华永道Aarata会计师事务所的核准。东芝股价今天最高下跌4.5%。在周四前,东芝股价今年已累计下跌22%。
2.博通或成东芝芯片业务新东家 获180亿美元资金支持;
北京时间4月13日晚间消息,彭博社今日援引知情人士的消息称,在竞购东芝半导体业务的过程中,美国芯片制造商博通公司(Broadcom)获得了三家日本银行和私募股权公司银湖资本的资金支持。
该知情人士称,日本瑞穗金融集团(Mizuho Financial Group)、三井住友金融集团(Sumitomo Mitsui Financial Group)以及三菱日联金融集团(Mitsubishi UFJ Financial Group)的放贷部门计划向博通提供大约150亿美元贷款。而银湖资本将通过可转换债形式资助东芝30亿美元。
知情人士还称,博通对东芝芯片业务部门给出的报价约为2万亿日元(约合180亿美元)。但现阶段的报价不具约束力,可能还会发生变化。第二轮竞价的截止日期是5月19日。
富士康出价最高
芯片业务部门是东芝的核心业务之一,在上一财年5.67万亿日元的营收中,约25%来自芯片业务部门。但受美国核能业务部门西屋电气63亿美元资产减记的影响,为了缓解资金压力,东芝决定出售其芯片业务部门大部分、甚至是全部股份。
除了博通,东芝还接到了中国台湾富士康和韩国SK海力士的初步报价。而富士康已经暗示,计划最多斥资3万亿日元(约合270亿美元)竞购东芝芯片业务员部门。
虽然如此,昨日有知情人士称,虽然富士康计划高价竞购东芝芯片业务部门,但由于日本和美国政府的反对,东芝最终也只能被迫放弃。该知情人士还称,东芝已经在认真考虑博通给出的约2万亿日元的报价。
上个月就有报道称,出于国家安全因素考虑,日本政府可能对最终的买家进行审查。分析人士称,此举对美国竞购者最为有利。
西部数据反对
东芝半导体合资公司伙伴西部数据(Western Digital)已经表示,如果东芝出售半导体业务,将违反两家公司之间的合约。
知情人士称,西部数据CEO史蒂夫·密里根(Steve Milligan)上周曾致信东芝董事会,称东芝应首先与西部数据进行排他性谈判。密里根认为,传闻中的竞购方不适合接管东芝芯片业务,而传闻中的报价也超出了东芝芯片业务的合理价值。密里根还特别提醒东芝,不要接受博通的报价。
分析人士称,西部数据的表态可能会导致东芝很难为芯片业务找到买家。而东芝目前又急需现金,以解决核能业务西屋电气造成的亏损。东芝已表示,如果出售半导体业务失败,可能威胁到公司的生存能力。分析师还称,西部数据确实有合法权利影响出售进程。
加拿大皇家银行资本市场(RBC Capital Markets)分析师阿密特·德莱纳尼(Amit Daryanani)在一份研究报告中称:“我们认为西部数据拥有与合资公司相关的权利,包括批准或否决任何有关合资公司的交易。而对于胜出的竞购方,西部数据也可以通过法律手段来批准或否决。”
3.台积电2017年首季通信产品营收占比达61%,28nm以上占比56%;
台积电 13 日下午举行 2017 年第 1 季法人说明会,并公布第 1 季业绩。台积电表示,2017 年第 1 季合并营收为新台币 2,339.1 亿元,税后纯益为 876.3 亿元,每股 EPS 为 3.38 元(换算成美国存托凭证每单位为 0.54 美元),较 2016 年第 4 季减少 12.5%。
就营收部分来分析,2017 年第 1 季营收相较 2016 年同期成长了 14.9%,税后纯益及每股 EPS 则同时增加了 35.3%。至于,与 2016 年第 4 季相较,2017 年第 1 季营收减少 10.8%,税后纯益则减少 12.5%。若以美金计算,2017 年第 1 季营收为 75 .1 亿元,较 2016 年第 4 季减少 9%,但是却较 2016 年同期增加了 22.2%。
此外,2017 年第 1 季毛利率为 51.9%,营业利益率为 40.8%,税后纯益率则为 37.5%。就出货别来分析,在通讯产品项目上,以新台币计价的出货金额较 2016 年第 4 季减少 18%。电脑产品项目则较 2016 年第 4 季增加 1%。另外,在消费型产品的出货金额上,则是较2016 年第 4 季增加 30%。而工业标准型产品的出货金额则是较 2016 年第 4 季减少5 %。整体来说,通讯产品仍占 2017 年第 1 季台积电出货的最大比重,比例为 61%,工业标准型产品则占 21%,剩下的电脑与消费性产品比重则各占 9%。
台积电还指出,2017 年第 1 季 16/20 纳米制程出货占台积电第 1 季晶圆销售金额的 31%,28 纳米制程的出货占则第 1 季晶圆销售金额的 25%。总体而言,上述先进制程(包含 28 纳米及更先进制程)的营收达到全季晶圆销售金额的 56%。
4.响应东芝案 台积绝不碰DRAM;
台积电昨(13)日首次公开说明内存发展策略,响应法人对东芝案提问。 台积电强调,绝不会跨足标准型内存(包括DRAM和NAND Flash),但已具备量产磁阻式随机存取内存(MRAM)及电阻式动态随机存取内存(RRAM)等新型内存技术。
台积电表示,这两项内存都是嵌入式内存,而且台积电也是提供逻辑芯片和嵌入式闪存整合技术最完成的晶圆代工厂。
台积电董事长张忠谋稍早曾表示评估是否入股东芝半导体案,受到法人关注。 共同执行长魏哲家强调,台积电绝对不会进入标准型DRAM市场。
5.GaAs掺杂可望开启量子运算之门;
研究人员以带杂质的三五族(III-V)化合物半导体,为发展未来的量子资讯处理道路迈出了重要的一步...
未来的量子电脑需要可靠的持续编码单光子源阵列,许多研究人员认为它将来自量子点。然而,日本筑波大学(University of Tsukuba)的研究人员认为,掺杂砷化镓(GaAs)半导体比量子点更能可靠地提供几乎相同编码的单光子源。
筑波大学教授池沢道男(Michio Ikezawa)在研究论文中表示,“我们所展示的研究成果采用了带杂质的三五族(III-V)化合物半导体,可说是朝向未来的量子资讯处理迈出了重要的一步。”主题为“由GaAs:N发光中心发射的两光子之量子干扰”(Quantum interference of two photons emitted from a luminescence center in GaAs:N)的研究论文发表于美国物理学会(AIP)的《应用物理快报》(Applied Physics Letters)期刊中,其他研究作者还包括Liao Zhang、Yoshiki Sakuma与Yasuaki Masumoton。
无差异性与Δ。图中红点由测量双光子干扰(TPI)取得。黑色虚线显示T1和T2的VTPI估计值(来源:AIP)
如研究论文标题所示,研究人员将III-V化合物GaAs掺杂氮(N)。研究人员表示,他们更能有效地提供单光子源阵列,以及每个光子所发射的波形封包重叠(几近完美搭配能量、空间、时间与极化)
筑波大学的研究人员与日本国立材料科学研究所合作,掺杂GaAs与氮杂质,使其成为具有一致编码的单光子发射器阵列。发射的新颖机制称为等电子阱。根据研究人员指出,由于掺杂GaAs材料均匀,其等电子阱比量子点更容易产生匹配的单光子发射器阵列。量子编码单光子具有非常长的一致时间,以便作为引导,而且也是未来量子电脑的另一个要求。
在掺杂氮的GaAs中利用“洪-欧-孟德尔效应”(Hong–Ou–Mandel effect),让两个相同的光子形成50:50的光子束分光器,由于每个输入埠都有一个分光器,显示彼此采用相同的编码,从而产生能够准确测量频宽、路径长度与时间的干涉仪。
研究人员声称,这项实验是首次测试证实从III-V半导体中可发射相同的光子,而且比量子点更具有高品质与更长的时间一致性。
接下来,研究人员打算找到一种得以抑制在实验中出现高速弛豫机制的方法,从而提高光子发射阵列的不可区分性。
6.首个基于二硫化钼二维材料的微处理器芯片诞生
[据物理学组织网站2017年4月11日报道] 二维材料虽然仅由一层或几层原子构成,但其用处非常大。石墨烯是最著名的二维材料。二硫化钼(由钼原子和硫原子构成的仅有3个原子直径厚度的层状材料)也属于二维材料的一种。但与石墨烯不同的是,二硫化钼具有半导体性质。维也纳工业大学(TU Wien)光子学研究所的托马斯·穆勒博士和他的研究团队认为,二维材料最有希望替代硅成为未来生产微处理器及其它集成电路所使用的材料。
微处理器是当今世界普遍存在且不可或缺的电子器件。若没有微处理器技术的发展,许多在今天看似理所当然的事物都将不复存在,如电脑、智能手机及互联网等。然而,一直被用来制造微处理器的硅材料正在逐渐接近其自身的物理极限。包括二硫化钼在内的二维材料,有望成为硅材料潜在的替代者。
虽然,自2004年石墨烯首次被成功分离至今,用二维材料制作单个晶体管的研究一直都在进行,但是对于制造具有更复杂结构电路的研究还未有实质性的进展。
近日,托马斯·穆勒和他的研究团队在这一研究领域获得了突破性的进展,制作出了全球首个基于二维材料的微处理器。该处理器芯片表面积仅为0.6平方毫米,集成有115个以二硫化钼作为沟道材料、钛/金作栅极、氧化铝为栅氧化层的晶体管,其数据寄存器及程序计数器总容量为1个比特,可执行外部存储器中的自定义程序、完成逻辑运算以及与外界进行通信。该处理器具有截至目前最为复杂的基于二维材料的电路结构,1个比特的数据存储设计也能很容易得到扩展。
研究团队的Stefan Wachter博士说:“虽然按照传统的硅基半导体工业标准此研究成果看上去并不是很突出,但在二维材料微处理器研究领域,该研究的成功仍然是一个非常重大的突破。因为我们实现了对这一概念的验证,并十分确定它会有进一步的发展。”然而,该研究项目得以成功的原因也不单单在材料选择上。“我们也仔细考虑过单个晶体管的尺寸问题。基本电路元器件中晶体管的几何尺寸是决定能否实现制造、级联更多复杂单元的关键因素。”穆勒解释道。
不言而喻,该技术若想得到实际应用,必须扩大其晶体管集成度,需要有成千上万甚至更多的晶体管来构成具有强大功能且复杂的电路。另外,再现性是需要克服的又一个挑战。毕竟,无论是二维材料的合成还是随后的处理过程都还处在一个相当初级的阶段。
穆勒指出:“由于我们在实验室是通过人工的形式制作电路的,如此复杂的电路设计几乎是无法实现的。因为,为了使处理器正常工作,要确保每一个晶体管都能按计划发挥相应的作用。”然而,研究人员确信,随着工业的进步,用不了几年,该技术就一定能在更多的领域得到应用。例如,由于二维材料具有突出的机械柔韧度,对于制造柔性电子产品来说比传统硅材料更具优势。
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