了解您的栅极驱动器

 观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉!该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍了关键的栅极驱动器参数。涉及的主题包括负电压处理、延迟匹配、宽VDD和工作温度范围等。这篇博文将更全面地解释这些主题。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。

负电压

栅极驱动器中的负电压处理是指承受输入和输出端负电压的能力。这些不必要的电压可能是由于开关转换、泄漏或布局不良引起的。栅极驱动器的负电压承受能力对于稳健可靠的解决方案至关重要。

图1显示了TI栅极驱动器如何处理大量的下冲和过冲产生的负电压，防止集成电路受到损坏。

反向电压(V)

图 1：负反向电压处理

延迟匹配

延迟匹配是一项衡量标准用于表示通道之间的内部传播延迟的匹配准确度。如果在两个通道的输入端同时施加一个信号，则两个通道输出的时间延迟是延迟匹配数值。延迟匹配数值越小，栅极驱动器可以实现的性能越好。

延迟匹配有两个主要好处：

· 确保同时驱动的并联MOSFET具有最小的导通延迟差。

· 简化了栅极驱动器输出的并联，可有效倍增电流能力，同时简化并联电源开关的驱动。

TI的UCC27524A具有非常精确的1ns(典型值)延迟匹配，可将驱动电流从5A增加到10A。图2显示的 UCC27524A的A和B通道组合在一个驱动器中。INA和INB输入端连接在一起，OUTA和OUTB同样如此。一个信号控制并联组合。

图 2：并联输出并可倍增驱动电流的UCC27524A

精确延迟匹配的效果之一是提高功率密度。隔离电源、DC/DC模块和太阳能逆变器的功率因数校正(PFC)和同步整流模块等应用都需要更高的功率密度，而对于相同的输出功率，设计者的选择通常仅限于相同或更小的尺寸。

宽VDD范围

当我提到“宽VDD范围”时，我指的是连接到MOSFET的漏极的正电源电压或连接到绝缘栅双极晶体管(IGBT)集电极的正电源电压。对于栅极驱动器，VDD定义驱动器输出的范围。

宽VDD范围有三个好处：

· 为您的系统设计提供灵活性，可以使用具有不同工作电压的同一驱动器和不同类型的电源开关。

· 在有噪声的环境中或在使用低质量的电源时非常可靠，可有效防止系统被过冲或下冲损坏。

· 具有宽VDD范围的驱动器可用于分离轨系统，例如驱动具有正和负电源的IGBT。

总体而言，宽VDD范围使您可以在极端条件下灵活地进行系统设计，提供高可靠性。

工作温度范围

一个经常被忽视的细节是栅极驱动器的测试条件。通常会看到在室温(25°C)下测试栅极驱动器。在整个工作温度范围内列出了规格最小和最大值，并添加了统计保护带。

了解您的栅极驱动器

不要忽视工作温度范围，因为当温度保持在-40°C至125°C时，与在室温下相比，最小和最大规格可能会发生显著的变化。大多数TI栅极驱动器器件的温度范围为-40°C至125°C或140°C。 这在极端温度下提供了一致的性能和稳定性。考虑数据表中的这些细节，可以更轻松地选择正确的栅极驱动器。

正如您所见，在选择系统的栅极驱动器时，需要考虑许多参数。请观看我们的视频系列，并在德州仪器在线技术支持社区 中提出任何问题。

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