速度快上十万倍!台积电三星英特尔激战下一代内存-电子工程世界

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《韩国经济日报》报导，传三星电子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式随机存取内存 (MRAM) 取得重大进展，市场估计在 5 月 24 日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的 MRAM 内存。

由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存「磁电阻式随机存取内存 (MRAM)」，与含 3D XPoint 技术的「相变化内存 (PRAM)」及「电阻式动态随机存取内存 (RRAM)」。

上述三类次世代内存皆具有非挥发性内存技术，兼具高效能及低耗电之特性，估计这类次世代内存处理速度，将比一般闪存内存还要快上十万倍。

目前三星电子正大力发展 MRAM 内存，而另一半导体巨擘英特尔 (INTC-US) 则是强攻含 3D XPoint 技术的 PRAM 型内存。

全球最大半导体代工厂台积电 (2330-TW) 亦曾在 4 月 13 日对外说明，台积电绝对不会踏入标准型内存领域，因为台积电目前已具备「量产」MRAM 及电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等新型内存之技术。

据韩国半导体业内人士透露，全球半导体巨擘正在次世代内存市场内强力竞争，这很可能将全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。

《韩国经济日报》表示，磁电阻式随机存取内存 (MRAM)、相变化内存 (PRAM)、电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等三大次世代内存中，又以 MRAM 的处理速度最快，但也是最难量产的内存类型。

据了解，目前欧洲最大半导体商恩智浦半导体 (NXPI-US) 已经决定采用三星电子的 MRAM 内存，以应用在相关的物联网装置之上。

关键字：台积电英特尔编辑：王磊引用地址：速度快上十万倍!台积电三星英特尔激战下一代内存

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