“智”造“芯”未来——华虹宏力2017年度技术论坛再起航

最新更新时间:2017-06-12来源: 互联网关键字:华虹宏力  晶圆 手机看文章 扫描二维码
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  6月9日,全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号:1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)的2017年度技术论坛首次登陆成都,与超过200位客户、合作伙伴、业界专家学者、媒体和分析师共同探讨了万物互联时代下,半导体产业的机遇与挑战。公司管理层现场分享了华虹宏力的市场战略布局和技术发展规划;技术专家则详细介绍了公司最新的技术成果及应用热点。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。


“智”造“芯”未来——华虹宏力2017年度技术论坛再起航

  今年技术论坛的主题为“‘智’造‘芯’未来”。上海华虹(集团)有限公司(“华虹集团”)董事长、上海市集成电路行业协会会长张素心先生首先致欢迎辞。他简要介绍了集团总体发展情况以及取得的成绩,并特别感谢了社会各界朋友的一路支持与陪伴。他表示,自承担建设国家“909”工程以来,华虹集团已建成200mm和300mm两大制造平台和国家级集成电路研发中心,芯片产品广泛应用于电子信息产业各领域。今后,华虹将一如既往知难而进,奋发图强;不忘初心,砥砺前行,立足自主可控做大做强集成电路制造业,当好我国集成电路产业的先行者和主力军。

“智”造“芯”未来——华虹宏力2017年度技术论坛再起航

  随后,华虹宏力执行副总裁范恒先生聚焦发展和变化中的全球半导体产业,从新技术、新应用和新趋势入手,向与会者描绘了公司未来的战略布局与发展目标。他总结道,作为大中华区最受认可的晶圆代工企业,华虹宏力将保持在嵌入式非易失性存储器(eNVM)、功率器件及电源管理技术等领域优势的基础上,放眼全球市场,积极布局微控制器(MCU)、新能源汽车和物联网等领域,以高技术和高成长作为企业发展定位。  

“智”造“芯”未来——华虹宏力2017年度技术论坛再起航

  华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士展望了公司技术发展路线图。他提到,随着90纳米嵌入式NVM技术的成功开发,我们会将越来越多的智能卡产品持续导入至90纳米。公司还将继续开发包括射频绝缘体上硅(SOI)器件在内的射频相关技术,以满足持续增长的智能手机的市场需求以及未来5G蜂窝通信的发展及应用。华虹宏力将进一步优化具有优势的差异化技术,为不同客户提供高效及高性价比的增值解决方案。 

“智”造“芯”未来——华虹宏力2017年度技术论坛再起航

  同时,华虹宏力技术团队在技术论坛上发表了精彩的专题演讲,内容涵盖SONOS嵌入式闪存和EEPROM工艺、浮栅型嵌入式闪存及EEPROM工艺、硅基射频工艺、功率器件工艺、电源管理IC工艺以及设计服务与IP支持,向来宾们全方位展示了华虹宏力特色工艺技术的最新发展与成果。 

“智”造“芯”未来——华虹宏力2017年度技术论坛再起航

  最后,华虹宏力执行副总裁徐伟先生致闭幕辞。他总结说,最近几个季度,华虹宏力的销售收入屡创历史新高。他感谢所有客户和合作伙伴长期以来对华虹宏力的信任和支持,表示华虹宏力将始终秉持创新理念,坚持匠心品质,践行“革新、进取、自信、团结”的企业精神,愿与各界朋友携手,推动产业成长,共同智造“芯”未来。

  此外,还有17家特邀合作伙伴在技术论坛上展示了他们的IP、IC设计服务、EDA工具、光罩制造等产品和服务。大会圆满举行,会场座无虚席。

“智”造“芯”未来——华虹宏力2017年度技术论坛再起航

  论坛技术亮点一:

  嵌入式存储器持续加持

  华虹宏力已在智能卡和物联网方面耕耘多年,拥有世界领先的嵌入式非易失性存储器技术。公司有SONOS Flash和SuperFlash技术,以及eFlash+高压和eFlash+射频(RF)两个衍生工艺平台,技术节点涵盖0.18微米到90纳米。同时还可为客户提供高性能、高密度的标准单元库,并可根据不同需求为客户定制高速度、低功耗、超低静态功耗的嵌入式闪存IP、嵌入式电可擦可编程只读存储器(EEPROM)IP,可帮助客户减小低功耗设计难度,抢占市场先机。目前,华虹宏力已成为世界第一大智能卡IC代工厂,采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分别通过了EMVCo、CC EAL5+、万事达CQM认证等多项国际权威认证,证明了华虹宏力的金融IC卡芯片工艺及安全管理系统已达到国际先进水平,并获得全球认可。随着90纳米eNVM工艺的成功量产,目前,智能卡产品已经逐步导入90纳米平台。

  应对迅速发展的微控制器市场,华虹宏力拥有高端MCU所用的先进eFlash/eEEPROM处理平台,以及入门级MCU所用的高性价比嵌入式一次性可编程(OTP)/多次可编程(MTP)处理平台,以响应物联网、云计算、大数据、智慧城市及虚拟现实(VR)等新应用不断增长的市场需求。此外,华虹宏力有一套专为物联网打造的0.11微米超低漏电(ULL)嵌入式eFlash及eEEPROM工艺平台,还可将eNVM技术与CMOS射频集成及/或高压技术结合,极大增加了可用MCU解决方案的数量。

  公司对其已量产的具成本效益的0.18微米OTP/MTP技术平台进一步升级至90纳米。该技术拥有业内最低的光罩层数、面积较小的IP模块且读写速度更快及功耗更低,为客户提供更具成本效益且可用于多种应用的微控制器解决方案。此外,其也为使用现有0.35微米技术平台的传统产品提供了升级途径。

  论坛技术亮点二:

  功率器件潜力无限

  当前,节能减排与绿色制造的要求渐长,功率器件的应用范围已从传统的工业控制和4C产业(计算机、通信、消费类电子产品和汽车),扩展到新能源、轨道交通、智能电网等新领域,而高效能的功率半导体器件是降低功耗、提高效率的关键。华虹宏力在生产功率器件方面拥有15年的良好往绩,更是业内首个拥有深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction,DT-SJ)及场截止型IGBT(Field Stop,FS IGBT)工艺平台的200mm代工厂。我们致力于为客户提供更高端的分立器件技术解决方案,并已推出第三代DT-SJ工艺平台,技术参数达业界一流水平,可为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。IGBT被誉为“功率半导体皇冠”,华虹宏力作为国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工厂,为绿色能源应用提供从低功率到高功率的全系列解决方案。目前,华虹宏力的功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。

  论坛技术亮点三

  射频技术助力未来通讯

  移动互联网和无线通讯技术蓬勃发展,射频芯片在智能终端和消费类电子产品中的应用也愈发广泛。射频SOI工艺非常适合用于智能手机以及智能家居、可穿戴设备等智能硬件所需的射频前端芯片。公司推出了0.2微米射频SOI工艺设计套件(PDK)。该设计套件有助于客户提高设计流程的效率及输出优质的射频组件,从而减少设计改版及缩短产品推出市场的时间。我们将继续开发射频相关技术,如0.13微米射频SOI,以应对智能手机出货量的持续增长及未来5G蜂窝通信的发展及应用。

  此外,华虹宏力还可提供一系列高性能且具备成本效益的射频解决方案,包括射频CMOS,高阻硅IPD(集成无源器件)以及配备射频 PDK的嵌入式闪存工艺平台。

  论坛技术亮点四:

  电源管理IC需求多样化

  随着产业对绿色、节能和效率需求的日益增强,出色的电源管理IC(PMIC)技术显得尤为重要。华虹宏力作为中国出货量最大的LED驱动IC代工厂,已引入全面电源管理IC解决方案,可提供久经验证的CMOS模拟和更高集成度的BCD/CDMOS工艺平台。其技术涵盖1微米到0.13微米,电压范围覆盖1.8伏到700伏,性能卓越、质量可靠,可广泛应用于PMIC、快速充电(Fast Charge)、手机/平板电脑PMU以及智能电表等产品领域。

  华虹宏力超高压700V BCD技术迎合了节能环保热点,此工艺平台所支持的高压小电流LED 照明驱动应用市场发展前景十分广阔。基于700V LDMOS工艺的开关型LED驱动所用的超高压结型场效应晶体管(JFET)也已成功开发。我们正加紧研发一种增强型700V BCD技术,以使其适合更多的应用,进一步提高其竞争力。此外,华虹宏力的CZ6模拟系列平台,在业内有着广泛知名度,更是以稳定可靠的质量而著称。展望未来,我们将拓展先进的电源管理平台,为客户提供一整套具成本效益的解决方案。

   

 

  活动合影

  关于华虹宏力

  上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”),由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成,是世界领先的200mm纯晶圆代工厂。华虹宏力在上海张江和金桥共有3条200mm集成电路生产线,月产能达15.5万片,工艺技术覆盖1微米至90纳米各节点,在标准逻辑、嵌入式非易失性存储器、电源管理、功率器件、射频、模拟和混合信号等领域形成了具有竞争力的先进工艺平台,并正在持续开发多种微机电系统(MEMS)工艺解决方案。公司总部位于中国上海,在中国台湾、日本、北美和欧洲等地均提供销售与技术支持。

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关键字:华虹宏力  晶圆 编辑:李强 引用地址:“智”造“芯”未来——华虹宏力2017年度技术论坛再起航

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