武汉新芯遭化学污染 NOR Flash缺口扩大

最新更新时间:2017-06-14来源: 集微网关键字:新芯 手机看文章 扫描二维码
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武汉新芯厂内传出化学污染事件,虽然没有造成人员伤亡,但是造成NOR Flash产线制程污染,影响产能约在9000片左右,市场预料,将造成NOR Flash产能造成缺口。

由于美光及Cypress相继退出中低容量的NOR Flash市场,使中低容量产品全球供给量遭遇缺口,如果武汉新芯受到化学污染为真,有望再度推升NOR Flash报价。

外电指出,武汉新芯厂内发生化学污染,使产线晶圆受到污染,受到影响产品数量约在9000片左右,据传在武汉新芯投片的Cypress及晶豪科产品都受到影响,不过目前尚未能得知何者影响层面较高。

通常内存晶圆制造遭遇不顺的次级品,通常会以低廉价格倒入市场,这次武汉新芯遭遇的化学污染若仅是气体污染,晶圆应尚可利用,若是液体污染晶圆可能就必须整批报废。目前外界尚不清楚具体影响有多大。

关键字:新芯 编辑:冀凯 引用地址:武汉新芯遭化学污染 NOR Flash缺口扩大

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