与美国在半导体先进工艺制程等方面的差距,不仅表现在人材,技术等方面,可能更大的差距在于综合的国力,以及产业大环境的改善,所以此次奋力突围一定要取得更大的进步。
01引言
近期华尔街日报撰文“中国的下一个目标夺下美国的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立场,歪曲事实。
此次中国半导体业的“奋力突围”,有两层意义:
一个是差距大,希望迅速的成长,至多是扩大芯片的自给率。
另一个是西方千方百计的阻碍中国半导体业的进步,所以才要进行“奋力突围”,准备冲出去。
中国半导体业无意去挑战美国的半导体霸主地位,也缺乏实力,差距是十分明显的,不可能会有此天真的想法。如IC Insight公布的2016年全球前20大芯片制造商排名中,美国有8家、欧洲3家、日本3家、台湾地区3家、韩国2家以及新加坡有1家。
中国半导体业发展的历程一直受到西方的极大关注,最早是“严格的封锁“,之后随着中美建交,及中国实行改革开放政策,打开大门,西方也采用它的另一种“合作双赢”,及“潜移默化”、“文化渗透“等策略,一方面是看重中国的巨大市场潜力,以及另一只眼仍紧盯着中国半导体业的崛起。
因此打压中国半导体业的进步是主轴,仅是方法、方式在不断的改变,表明东西方的较量围绕着双方利益的再平衡。
02为什么此次会更加严峻
虽然中国半导体业一直在进步,但是由于之前的道路摇摆不定,没有找到合适的方法,因此引不起西方太大的关注。
自2014年“大基金”的成立以来,它不仅是首先解决“钱”的问题,更重要的是产业翻开新的一页,中国半导体业发展要持续的加重投资、扩大产能,开始涉足IDM模式,如存储器等芯片的制造,并公开宣称产业的发展要按照国际的规则,尊重知识产权,向市场化、全球化迈进。
由于此次发展的道路可能走对,而且决心更大,加上中国半导体业在全球的权重因子日益提升,导致西方过度的反应,也是意料之中的事。
如2016年由美国总统奥巴马的科学与技术顾问委员会撰写,指出美国半导体产业需要创新以及加快动作,才能因应中国试图扭转市场局势、占据有利位置的威胁。
该报告广泛建议以三大主轴为基础的策略:
其一是反制“阻碍创新”的中国产业发展政策,
其二是为美国晶片厂商改善商业环境,
其三是“在未来的十年协助催化革命性的半导体创新”。
今年的8月14日,美国总统特朗普签署备忘录,指令美贸易代表根据《1974年贸易法》研究决定是否对中国与知识产权相关的贸易政策和行为发起“301调查”。而有消息称,如果此次调查付诸行动,中国的半导体、医疗设备、电子行业、智能制造及通讯工具等行业极大概率会中招。
因此可以清楚地看到中美双方在半导体业方面的较量一直在持续,之前由于弱小,它们是不屑一顾,而此次中国半导体业来真的,可能获得更大的进步,会导致全球格局的改变,联想到中国在太阳能、平板产业及手机处理器芯片等方面的成功,它们再也坐不住啦。
所以中美之间的半导体业之争,可以比喻如同弹簧一样,中国半导体业的进步越大,弹簧压得更低,它的反弹一定会更加激烈。
03不惧怕沉着迎战
观察中国半导体业发展的历程,西方势力压制中国从未停止,只是随着双方的利益关系,此起彼伏,有时会宽松,有时会更较劲,实际上这才是正常的态势。究其根本的原因是时代已经改変,双方已经“你中有我,我中有你”,只有合作共赢是大局。另外,中国人口那么多,体量如此之大,近期国家实力的大增,相信任何人必须正视它。
分析中美半导体双方全面的和解,尚不到时候,然而双方全面的对抗,可能性也不会太大,但是双方之间的摩擦一定会增多。因为观察2016年英特尔在中国的销售额达128亿美元,占其总销售额的25%,高通为84.7亿美元,占其53%(2017年预测扩大至65%),Broadcom为50.4亿美元,占其60%,NXP为49.5亿美元,占其50%,及Micron的57.6亿美元,占其41%等。意味着如果真的与中国决裂,它们其中的哪个公司也不会好受。
从策略上应该针对假设最困难的情况出现,并提出相应的“预案”才是理性的表现。因为对手可能“出牌”的机会很多,如对待“中兴”那样,发个通知限制其国际上的贸易,或者开展更大范围的对于中国的禁运,以及进一步封杀中国半导体的国外兼并,以及合资与合作等。
如果这样的时候真的到来,也没有什么可怕,两点对策:
任何情况下,不惧怕,害怕不会改変现状,但是也绝不能退缩;
据历史上的经验,可能反倒“坏事能变成好事“,逼迫我们需要依更快的速度,自力更生奋发图强,来解决中国半导体市场的需求。
但是从双方的利益分析,对抗是两败俱伤,唯有双方合作,在竞争中取胜,才是正道。因此相信中美半导体业之间的对抗不太可能会持续很久。
04更重要的是迅速改変自已
未来中美半导体业对抗会升级吗?这个问题不一定看得太重,未来什么情况都可能发生,想太多也无实际意义。其实道理谁都明白,关键在于我们自己。只有中国半导体业迅速的改变自己,尤其是那些骨干企业,加紧研发、增强竞争力、努力缩小差距。
未来有两个方面要十分关注,一个是既要加快的发展,但也不能乱了自己,尤其是国内的各家要依产业利益为重,少些内耗;另一个是不能指望“一蹴而就”,要充分认识到与美国等的差距很大,至少需要20年的奋发图强,埋头苦干,中国半导体业才有可能在全球有立足之地。
近期听到中芯国际的28纳米制程,合肥的睿力DRAM,晋江的晋华DRAM,以及长江存储的32层3D NAND等都有不同程度的进展,极大地鼓舞人心;另一方面是要进一步扩大开放,努力改善产业的发展环境。
与美国在半导体先进工艺制程等方面的差距,不仅表现在人材,技术等方面,可能更大的差距在于综合的国力,以及产业大环境的改善,所以此次奋力突围一定要取得更大的进步。
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