全球首款采用7纳米工艺的CCIX测

　　赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布一项合作，将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性(CCIX)的加速器测试芯片，并计划在2018年交付。这一测试芯片旨在从硅芯片层面证明CCIX能够支持多核高性能Arm CPU和FPGA加速器实现一致性互联。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。

　　关于CCIX

　　出于功耗及空间方面的考虑，在数据中心内对应用进行加速的需求日益增长，诸如大数据分析、搜索、机器学习、4G/5G无线、内存内数据处理、视频分析及网络处理等应用，都已受益于可在多个系统部件中无缝移动数据的加速器引擎。CCIX将支持部件在无需复杂编程环境的情况下，获取并处理位于任何地方的数据。

　　CCIX将利用现有的服务器互连基础架构，实现对共享内存更高带宽、更低延迟和缓存一致性的访问。这将大幅提升加速器的可用性以及数据中心平台的整体性能和效率，降低进入现有服务器系统的壁垒，并改善加速系统的总拥有成本(TCO)。

　　关于测试芯片

　　这款采用台积7纳米工艺的测试芯片将以Arm最新的DynamIQ CPU为基础，并采用CMN-600互联片上总线和其他基础IP。为了验证完整的子系统，Cadence提供了关键I/O和内存子系统，其中包括了CCIX IP解决方案(控制器和PHY)、PCI Express® 4.0/3.0(PCIe® 4/3)IP解决方案(控制器和PHY)、DDR4 PHY、外设IP(例如I2C、SPI和QSPI)、以及相关的IP驱动程序。 Cadence的验证和实施工具将被用于构建该测试芯片。测试芯片可通过CCIX片到片互联一致性协议(CCIX chip-to-chip coherent interconnect protocol)实现与赛灵思16纳米Virtex®UltraScale+™ FPGAs的连接。

　　供应流程

　　测试芯片将在2018年第一季度流片，并于2018年下半年提供芯片。

　　公司证言

　　赛灵思证言

　　赛灵思首席运营官Victor Peng表示：“我们正在通过先进技术的创新实现计算加速，因此对于此次合作我们感到非常兴奋。我们的Virtex®UltraScale+™ HBM系列采用了第三代CoWoS技术，该技术是我们与台积公司共同研发的，现已成为CCIX的HBM集成和高速缓存一致性加速的行业装配标准。”

　　Arm证言

　　Arm公司副总裁暨基础架构部门总经理Noel Hurley表示：“随着人工智能和大数据的蓬勃发展，我们发现越来越多的应用对异构计算提出持续增长的需求。这一测试芯片将不仅证明Arm的最新技术和一致性多芯片加速器可拓展至数据中心，更展现了我们致力于解决快速轻松访问数据这一挑战的承诺。此次针对一致性内存的创新协作是迈向高性能、高效率数据中心平台的重要一步。”

　　Cadence证言

　　Cadence高级副总裁兼IP部门总经理BabuMandava表示：“通过与合作伙伴构建高性能计算的生态系统，我们将帮助客户在7纳米和其他高级节点上快速部署创新的新架构，从而服务于不断增长的数据中心应用。CCIX行业标准将有助于推动下一代互联，提供市场所需的高性能缓存一致性。”

　　台积公司证言

　　台积公司设计暨技术平台副总经理侯永清博士表示：“人工智能和深度学习将深刻影响诸多行业，包括医疗健康、媒体和消费电子等。台积最先进的7纳米FinFET工艺技术具备高性能和低功耗的优势，可满足上述市场对高性能计算(HPC)应用的不同需求。

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