三星宣布完成8nm LPP工艺验证：能效可提升10%

随着旗舰智能手机变得越来越贵 ， 三星采取了推出高端机型 “精简”版本的战略，将价格降到了大多数用户更容易接受的水平。在推出 Galaxy S10 Lite 和 Galaxy Note 10 Lite 之后，该公司也将为 Galaxy S20 推出类似的版本。 三星可能会为 Galaxy Fold 推出类似的版本吗？根据韩国媒体 viva100 的报道，三星计划在 2021 年推出一款约 100 万韩元（约 5800 元）的 Galaxy Fold Lite。 　　这篇报道称，这款设备暂定名为 Galaxy Fold Lite，将于 8 月 5 日与 Galaxy Fold 2、Galaxy Note 20 和 G

    据《华尔街日报》引述研究公司Gartner称，三星和苹果2013年共购买了超过500亿美元的半导体晶片，为历史上首次。 两公司去年共消费了537亿美元的半导体，较去年的460亿 美元增长了77美元，涨幅17% 。两家公司连续第三年占据半导体消费榜的前两位，2013年两家占据的市场份额升至17%，较2011年增长5% 。 Gartner分析师Masatsune Yamaji称，如此涨幅清晰显示了两公司过去三年的快速扩张，以及为何他们的决定对整个半导体行业有着技术上和定价上的影响。

原本想收割整个行业，不料反遭行业内玩家“群殴”。   日前，就 海信 等公司针对广州广晟数码技术有限公司（以下简称广晟公司）持有的“用于对音频信号进行解码的方法和设备 ”（专利号：2008100034623）发明专利发起的无效宣告请求，国家知识产权局专利复审委员会（以下简称专利复审委员会）作出了“宣告专利部分无效”的审查决定书。   截止目前，广晟公司持有的三件与音频相关的专利陆续有了专利无效宣告程序结果，其中，一件专利被判全部无效，两件专利被判部分无效。   而提起无效宣告请求的厂商，则分别是 三星 、海信、 创维 和一家电视行业专利管理公司，其中，三星、海信和创维，这三家正是被广晟公司相继以专利侵权起诉并累计索赔4亿元的被告。

    三星次世代旗舰机Galaxy S6的清晰谍照曝光( 见此)！CNET Korea和ZDNet Korea网站登出S6照片，称三星新机应该有一般版和曲面萤幕版的两种款式。 CNET 5日报导，谍照为南韩电器经销商提供，画面上5支智慧机据称都是S6，图片看似用电脑3D绘制而成。最左边为一般版S6、左二是装上Verus保护壳的S6。左四和左五应该是S Edge；细看左四智慧机可见，似乎右侧有曲面萤幕，左五机种则在左侧有曲面萤幕，显示三星可能推出双侧边的曲面萤幕智慧机，不然就是为左右撇子分别研发不同边的Edge机种。   左五可见，S6仍有实体Home键，边框曲线类似三星邀请函上的神秘银色曲线( 见此)。目前还

        据数码博主@i冰宇宙消息，10月18日三星显示邀请了约20位客户在中国深圳万豪酒店举办了“2018年三星OLED论坛”会议，会议上三星展示了一张PPT，透露了基于三星OLED屏幕的2019年手机屏幕设计几大方向。 　　据悉，这几个方向分别是：FoD，即屏下指纹技术；UPS，屏下传感器（包括前摄）技术；HoD，屏下触控压感技术；SoD，屏幕发声技术。据悉，这些技术均需要AMOLED屏幕才可以实现。 　　由于前置摄像头的安放问题，目前大多数全面屏手机都有一个“刘海”，也有厂商使用滑动机械结构来将前置摄像头放在别的地方。如果实现屏下摄像头技术的话，这个问题就迎刃而解了，只是不知道使用该技术的手机屏幕是否会像下

去年7月， 三星 就宣布成功开发出业内首款 LPDDR5 -6400内存芯片，基于10nm级工艺，单颗容量8Gb（1GB），去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上，三星人士透露，LPDDR5内存计划2020年商用。今年2月底，JEDEC（固态存储协会）正式发布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。 相较于2014年发布的第一代LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。 如果匹配高端智能机常见的64bit bus，每秒可以传送51.2GB数据；要是PC的

    　自从三星Galaxy S7/S7 edge发布后，该机一直备受关注，而其中的一个关注点便是其IP68级别的防水功能。近日，通过测试也确认了该机能完美支持水下拍照以及触摸操作。此外，日前国外网友还发现该机竟然还有自动检测进水的功能。 　　日前，国外论坛xDA的网友收到Galaxy S7 edge之后便进行了防水测试。当其从水中拿出手机充电时，发现手机并没有进行充电，而是弹出了这样的提醒：“检测到Micro USB接口存在水分，为了保护您的手机，设备已经停止充电”。   　　事实上，似类于三星Galaxy S7/S7 edge这种接口裸露的防水手机，官方往往都有提醒用户不要对在水中浸泡或者刚从水中拿出来的手机进

据韩媒 Business Korea 报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。 自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，IT之家此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动 NAND 价格正常化。 如今 DRAM 已出现价格反弹，而 NAND 产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现 NAND 盈亏平衡点