央广网长沙12月3日消息(记者邓文辉 娄底台记者康行佳)日前,“国字号”研发创新平台——湖南创一电子科技有限公司和中国科学院共建的“中科创一芯磁联合实验室”落户娄底,将打造中国中部最大的软磁磁性材料研发基地,为娄底深入推进“创新引领、开放崛起”发展战略写下浓墨重彩的一笔。
为积极践行国家创新驱动发展战略,在娄底市委市政府、开发区党委管委会的精心指导下,湖南创一电子科技有限公司与中国科学院微电子研究所经过前期多次深入交流与考察,双方达成在湖南创一共建“中科创一芯磁联合实验室”战略合作,成立由中科院微电子研究所所长叶甜春领街的专家团队,派驻国家千人计划专家陈朝晖教授任创一首席科学家,致力于做中国产学研领域合作的最佳实践,打造产学研与产业化融合发展的创新典范,加速推动中国在磁电功能材料的前沿技术发展。
湖南创一电子科技有限公司成立于2009年6月,座落于娄底经开区太和工业园,是一家专业从事高性能软磁材料及元器件研发的高新技术企业。公司目前在国内SMD高性能软磁市场奠定了行业领先地位,产品广泛应用于人工智能、汽车电子、工业智能、智能家居、消费电子、LED等新兴领域。
中国科学院微电子所是国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构之一,是中国科学院EDA中心、中国科学院物联网研究发展中心、中国科学院大学微电子学院(国家示范性微电子学院)的依托单位,是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位,是中国微电子技术创新的引领者和产业发展的推动者,其主要研究领域包括:高可靠器件与电路、集成电路先进制造工艺、集成电路设计技术、集成电路装备、集成电路高密度封装、物联网核心技术、微波器件与电路、纳米电子学等。
国家国防科工局系统工程三司原司长罗格,娄底市人大常委会副主任杨金含,娄底市政协副主席苏旻,娄底经开区主任康艳华等出席揭牌仪式。
上一篇:日媒:人才外流到中国已成趋势
下一篇:杰理科技IPO遭创始人前东家“阻击”
- 贸泽电子与Analog Devices联手推出新电子书
- AMD 推出第二代 Versal Premium 系列:FPGA 行业首发支持 CXL 3.1 和 PCIe Gen 6
- SEMI:2024Q3 全球硅晶圆出货面积同比增长 6.8%、环比增长 5.9%
- 台积电5nm和3nm供应达到"100%利用率" 显示其对市场的主导地位
- LG Display 成功开发出全球首款可扩展 50% 的可拉伸显示屏
- 英飞凌2024财年第四季度营收和利润均有增长; 2025财年市场疲软,预期有所降低
- 光刻胶巨头 JSR 韩国 EUV 用 MOR 光刻胶生产基地开建,预计 2026 年投产
- Imagination DXS GPU 已获得ASIL-B官方认证
- arm召开2025二季度财报会,V9架构继续大获成功