英特尔亟需尽快采取新策略

英特尔(Intel)在首度失去从1992年以来的半导体营收龙头地位后，应该采取哪些新策略来缩小其与三星电子(Samsung Electronics)之间的差距或甚至超越，成为该公司目前亟需面对的课题。

根据两家公司的年度财报显示，2017年，三星的半导体部门整体营收为691亿美元，超越英特尔的628亿美元。受惠于存储器价格高涨，三星得以首度挤下自1992年以来稳居晶圆销售龙头宝座的英特尔。

由于平面DRAM面对因摩尔定律(Moore’s Law)即将终结导致的微缩限制，成本缩减日益趋缓，使得平面DRAM最终将难以满足市场需求。此外，位元成长也缩小至23年来的新低点。因此，我们很难期待短期内能看到存储器价格下滑。

英特尔与三星的半导体营收、营运利润比较

然而，三星的营收是否会在2018年持续成长？根据DRAMeXchange，2017年的DRAM营收成长了76%，预计2018年将再成长30%以上。如果我们假设在2018年的DRAM营收成长将为三星的半导体部门带来至少20%的营收增加，而英特尔的营收也像在2017年一样稳定成长7%，那么英特尔在半导体领域的主导地位终将成为历史。

正如DRAMeXchange的预测，如果2018年DRAM销售成长超过30%，那么三星半导体营收将持续快速成长。

那么，英特尔的下一步应该怎么走？作为追随者，英特尔必须急起直追，采取新的策略来缩小差距或超越三星。

英特尔可以考虑尽可能地扩大其代工业务，使其不受任何代工策略或商业模式的限制。英特尔的代工厂必须为各种类型的客户敞开大门，为其提供具竞争力的服务成本和各种IP。由于英特尔一向拥有最好的技术，因此英特尔的代工厂可望在短时间内发展成为盈利业务。

另一项建议是英特尔与三星在存储器市场直接展开竞争。英特尔长久以来经营DRAM业务，而且仍然拥有强大的嵌入式DRAM技术。想想3D DRAM的情况：由于DRAM厂商尚未开发出3D DRAM技术，因此它将成为改变游戏规则的变革技术。DRAM供应商采用传统的平面DRAM技术已经写下创纪录的营收和利润，然而，目前传统的平面DRAM开始面临微缩限制了。如果3D DRAM出现，肯定会为DRAM业务带来新的典范。因此，以3D DRAM在DRAM领域直接展开竞争，将会是与三星竞争的最有效方式。

尽管英特尔的非挥发性存储器解决方案事业群(NSG)已经拥有创新的3D XPoint技术，但为了差异化其NFG业务有别于竞争对手，英特尔NSG还需要颠覆性的技术。如下图所示，在三星和英特尔的NAND快闪存储器市占率之间存在着一大截差距。事实上，英特尔在NAND领域的规模并不大。尽管英特尔拥有竞争的NAND技术，但如果能从外部来源发掘新兴技术并为NSG部门导入更多创新，这对于英特尔来说是十分有利的。3D XPoint拥有巨大的潜力，但可能还需要多一点时间，才能使其具有成本竞争力。因此，研发费用和营运收入必须取得平衡。当其他NAND供应商创造利润新纪录时，英特尔的NSG也需要盈利。

英特尔非挥发性解决方案事业务(NSG)在2017年的收益和NAND快闪存储器市占率

许多人可能未曾预料到三星会在如此短的时间内超越英特尔。讽刺的是，由于平面DRAM的供应有限，摩尔定律的终结为三星带来了巨大的商机。因此，存储器成为卖方市场。

尽管中国的手机制造商抱怨存储器价格居高不下，中国政府正考虑DRAM固定价格的可能性，但看来存储器价格高涨似乎是无法阻挡的了。如果真的像DRAMeXchange的预测，2018年的DRAM营收成长超过30%，那么三星将更进一步拉开与英特尔的距离。传统上，英特尔和三星之间的业务很少重叠。但为了重新夺回冠军宝座，英特尔有必要与三星直接竞争存储器和晶圆代工市场。英特尔势必得尽快采取新策略。

编译：Susan Hong

(参考原文：Intel Needs New Strategies, ASAP，by Sang-Yun Lee, founder and CEO of BeSang Inc.)