推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:25
化学所有机薄膜晶体管多功能化研究获进展
有机薄膜晶体管(OTFT)具有柔韧性好、成本低和应用前景广阔等特点,相关研究是国际上广泛关注的前沿交叉领域。随着OTFT性能指标的不断攀升,器件功能化研究开始成为该领域关键发展方向之一。近年来,中国科学院化学研究所有机固体实验室的研究人员在多功能OTFT的构建和功能应用研究方面开展了系统的创新研究。在前期工作中,他们结合器件结构设计在高灵敏度压力传感、磁传感和气体灵敏检测方面取得系列进展(Nat. Commun. 2015, 6, 6269; Adv. Mater. 2015, 27, 7979; Adv. Mater. 2016, 28, 4549)。此外,他们还结合热电原理,在国际上率先利用有机热电材料构建了自供电柔性
[半导体设计/制造]
ATmega88 晶体振荡器
XTAL1 与XTAL2 分别为用作片内振荡器的反向放大器的输入和输出,如Figure 13 所示,这个振荡器可以使用石英晶体,也可以使用陶瓷谐振器。 该振荡器为满振幅振荡器, XTAL2 引脚的输出为满幅振荡信号。可用来驱动其它的时钟输入端,且可在噪声环境中工作。电流消耗大于 P25” 低功率晶振 ” 。注意满振幅晶振只在 Vcc = 2.7 - 5.5V 时可用。 电容 C1、 C2 的值总是相等的。具体电容值的选择取决于使用的是石英晶体还是陶瓷振荡器,及总的杂散电容与环境电磁噪声等。 Table9 给出了采用石英晶体时的电容选择范围。使用陶瓷振荡器时,电容值应采用生产商给出的值。工作模式通过熔丝位 CKSEL3..1 来选
[单片机]
硅MEMS振荡器有望替代石英晶体
石英具有非凡的机械和压电特性, 长期以来一直作为基本的时钟器件,在精确频率源器件中占据主导地位。然而, 石英振荡器也有许多缺点, 包括不能集成到硅圆晶上, 缩小尺寸相应提高了成本, 非工业标准的制造和封装方法, 对热、 冲击和振动敏感,特别是一种封装只对应一种频率。因此,业界习惯于使用石英振荡器后, 任何在不牺牲性能的情况下克服这些缺点的努力都是徒劳无功的。所以,人们也一直在寻找一种能替代石英晶体振荡器的器件。
目前,这个长期困惑人们的问题已经得以解决。SiTime公司研发出替代石英振荡器的硅MEMS 振荡器, 它可靠性高、尺寸更小, 便于使用, 以及价格便宜,并与CMOS兼容还具有单片多谐振的功能,这些
[传感器]
功率晶体管助高效率、高功率密度转换器实现
在新式发电/节能技术及装置的背后,高频切换 电源转换器 扮演着极重要的角色。高频切换 电源 转换技术,乃是利用 半导体 功率组件以“高频切换”方式,结合各式能量转换组件如变压器、储能组件如电感及电容,达到高效率、高 功率密度 的要求。 具有较低功率损耗的 功率晶体管 ,是达到较高的电源转换效率,符合日益严谨的电源转换效率规范的有效手段。综观功率晶体管的技术发展可分为两个方向:“晶粒(die)”技术及“封装(packaging)技术”。 (1)晶粒技术的发展主轴是以更低的导通电阻、更快的切换速度及更小的极间电容,大幅降低功率晶体管的导通损耗、切换损耗及其他可能损耗; (2)封装技术的发展重心是改进
[电源管理]
基于汽车逆变器功率开关晶体管保护技术的设计与应用
随着油电混合车和电动车技术的演进, 逆变器 驱动技术已经进入汽车领域,从空调机和加热系统等低 功率 应用,一直到驱动和再生制动系统等高功率应用,所有这些系统的共通点是需要通过保护 逆变器 设计中的功率开关 晶体管 来最大限度地提高工作寿命。 汽车系统中的 逆变器 为电动机控制电源的关键部件,它可以把相对较低的直流电池电压转换成为交流高电压,其中使用 功率 开关来调节能量的递送,请参考图1。通过微控制器送出开关信号,并利用隔离门驱动器作为低电压微控制器和高电压功率开关间的接口。 许多新形态的 功率 开关,如碳化硅,都被评估是否可以使用于汽车逆变器中,但目前最具竞争力的还是IGBT。长久以来,这些功率 晶体管 已经被广泛应用于高电压
[电源管理]
中日科学家研究出新型二维材料半导体量子晶体管
新华社合肥10月25日电(记者徐海涛)中国科学技术大学郭国平教授研究组与日本国立材料研究所等机构学者合作,于国际上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件,这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。国际权威学术期刊《科学》子刊《科学·进展》日前发表了该成果。 经过几十年的发展,半导体门控量子点作为一种量子晶体管已经成为制备量子芯片的热门候选体系之一。以石墨烯为代表的二维材料体系成为柔性电子学、量子电子学的重点研究对象,但由于其能带结构、界面缺陷杂质等因素,使得二维材料中的量子点无法实现有效的电学调控。 基于此,郭国平研究组近期与日本国立材料研究所、日本理化研究所学者合作,选择新型
[半导体设计/制造]
英特尔发布45纳米新一代处理器 增加晶体管数
11月12日消息,据国外媒体报道,英特尔公司打算在周一推出最新一代处理器,公司将以精确的新工艺开展大规模生产,新一台45纳米制造工艺可将多达40%的晶体管放入芯片。
全球最大半导体制造商将开始销售16款新微处理器,其中包括服务器产品和高端游戏电脑用产品,新处理器将应用可节省电力消耗的新材料。
周一发布的一款最复杂芯片拥有8.2个晶体管,而英特尔采用现行技术标准制造的同样芯片仅有5.82亿个晶体管。英特尔公司在1970年代早期发布的第一个芯片只有2300个晶体管。 芯片技术进步的结果之一是刻蚀在芯片上的线路越来越小,英特尔新芯片将线路宽度缩小为45纳米,上一代芯片线路的宽度是65纳米。
英特尔公司将投资80亿美元升
[焦点新闻]