May 28, 2018 ---- 全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示,2018年第一季随着需求进入淡季循环,促使价格向下修正,第一季NAND Flash品牌厂营收季减3%;第二季市场仍处于小幅供过于求的状态,eMMC/UFS、SSD等合约价持续下跌,但供货商希望透过更具吸引力的报价以刺激中高容量产品如256GB SSD、128/256GB UFS更高的位元需求成长,因此预计各供货商的营收表现仍可持稳。
展望下半年,在传统旺季、苹果新机备货的需求助阵下,促使NAND Flash市场价格波动将回到较稳定的状态。事实上,受先前高涨的价格冲击,NAND Flash需求成长压抑近一年,目前的价格走势有助于OEM在PC、智能手机等新一代的产品采用更高容量产品,进而持续推动NAND Flash需求的稳健成长。
三星电子(Samsung)
第一季随着服务器与数据中心以及智能手机需求纷纷受淡季冲击影响,三星的位元出货量出现小幅度的下跌,加上Client及Enterprise SSD等产品价格纷纷向下修正以后,第一季营收较上季衰退5.6%,为58.2亿美元。
从产品策略来看,三星期望在SSD价格适度修正以后,需求可望浮现,特别是笔记本电脑的SSD搭载率快速成长;同时在Enterprise SSD市场,三星持续维持在PCIe及高容量产品的高竞争力,并期望价格下降后带动搭载容量进一步提升;在移动设备市场,三星也持续推动旗舰机型往更高容量发展。
SK海力士(SK Hynix)
第一季由于智能手机淡季的冲击,SK海力士位元出货量季减近10%,平均销售单价则在eMCP合约价的支撑下,虽仅有1%的季减跌幅,但整体营收为15.5亿美元,相较前一季下跌13.9%。
SK海力士销售主力落在行动装置所搭载的NAND Flash及MCP,尽管第一季智能手机需求下跌,但随着中国智能手机将中高端机种自64/128GB转往128/256GB升级,以及第二季末苹果备货需求启动,预计SK海力士第二季仍将有稳定的位元出货成长以及营收表现。后续随着72层3D-NAND产能及良率提升后,预计其搭载72层3D-NAND的Enterprise SSD出货比重今年将显著提升。
东芝半导体(Toshiba)
尽管第一季受到智能手机淡季冲击,但东芝受惠于开始出货64层3D-NAND Flash wafer给各模组厂,使得整体出货得以维持微幅上升,并且在模组厂Wafer备货以及SSD出货平均容量均有成长的情况下,平均销售单价呈现近10%成长,整体营收来到30.4亿美元,较上季成长9.4%。
值得一提的是,东芝半导体出售案已经于5月17日获得中国反垄断审查同意,并预计将于6月1日完成出售,预期出售案顺利落幕将使Fab 6以及Fab 7的建设进度更上轨道,也让96层以后技术研发所需的资金取得能更稳健,带动东芝与西数阵营能够继续在NAND Flash市场上维持竞争优势。
西数(Western Digital)
第一季受到传统淡季影响、笔记本电脑及服务器SSD出货量下降所致,西数第一季位元出货量季减逾5%,而在零售业务方面,尽管多品牌策略持续奏效,但产品价格仍受NAND Flash供过于求以及第一季库存调整因素影响而下降,平均销售单价下跌近5%,使得西数第一季NAND Flash营收为23.6亿美元,较上季下跌9.8%。
美光(Micron)
随着销售策略转变,美光逐渐将重心从原有的渠道市场颗粒及Wafer转以出货自家品牌产品为重,本季在SSD产品的销售成绩相当亮眼,整体位元出货也成长逾10%,然而受渠道SSD、3D-NAND TLC Wafer价格在第一季跌幅较显著的影响,平均销售单价下跌近15%,相互抵消之下,美光第一季营收为18.1亿美元,较上季衰退3.3%。
英特尔(Intel)
在服务器SSD成长动能持续助力之下,英特尔第一季位元出货量成长近30%,平均销售单价则因市场价格修正而下跌约10%,英特尔第一季营收达10.4亿美元,较上季成长17%。
关键字:NAND Flash
编辑:王磊 引用地址:受淡季价跌影响,第一季NAND Flash品牌商营收季减3%
推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:35
终端需求递延Q3NAND市场持续供过于求
欧债风波为 2012下半年的全球经济复苏带来不确定性, NAND Flash 业者也担心传统下半年电子业旺季效应将会有旺季不旺的状况。 根据 TrendForce 旗下研究部门 DRAMeXchange 表示,目前除了记忆卡及UFD市场需求依然疲弱外,因受到部分新的软硬体零组件上市递延的影响,使得一些 NAND Flash 终端应用如智慧型手机、平板电脑及Ultrabook新机型上市的 NAND Flash 备货需求递延到8月下旬到11月初,因此第三季 NAND Flash市场持续呈现供过于求的状况,由于2012上半年 NAND Flash价格持续走跌,明显侵蚀到 NAND Flash供应商的获利率,近期部分NAND
[手机便携]
2017年全年硬盘供货吃紧!英特尔将继续以供应企业级 SSD 硬盘为主
据报道,半导体龙头英特尔(intel)正透过管道向合作伙伴发出通知,预计 2017 年全年 SSD 硬盘因为供应吃紧,这也迫使得英特尔未来将优先以供应数据中心级 SSD 硬盘为主,而其搭低成本的消费级 SSD 硬盘则暂时退到供货的第二线上。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 2017年全年硬盘供货吃紧!英特尔将继续以供应企业级 SSD 硬盘为主 报导指出,日前英特尔向合作伙伴发出了一份 “英特尔 SSD 硬盘供应健康资讯” 的备忘录,其中说明 SSD 硬盘和 NAND Flash 快闪存储器产业目前正处于市场的需求供货吃紧的状态。因此,预计 2017 年全年 SSD 硬盘供应仍然十分竞争的情况下,将迫使英特尔专注
[嵌入式]
性价比优势更明显 TLC NAND应用版图急扩张
三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破,加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进,使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高,因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。
三层式储存(TLC) NAND快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑,各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。
在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及TLC三种形式的NAND快闪记忆体中,又以TLC性价比最为人所注目,因而吸引原始设备/设计制造商(OEM/ODM)的目光,并增加采用TLC颗粒比例
[手机便携]
钱都被海外品牌挣走了!中国亟需自主高端芯片
2015年介绍《中国制造2025》出台背景时,国家工信部部长苗圩曾指出:“ 芯片 主要是以集成电路为代表的现代化的信息技术的核心。我国去年仅进口 芯片 的外汇就超过了2100亿美元,成为单一产品进口最大的用汇领域,甚至超过整个石油进口所使用的外汇。尤其是高端集成电路,这是我国发展所急需的,而这又受到一些西方国家的出口限制。”下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 时过两年,由于半导体行业需求进一步扩大,追踪销售和价格的DRAMeXchange数据所显示,从去年7月到今年3月,两种主要的存储 芯片 类型(用于内容存储的 NAND ,以及可给设备提升多任务处理速度的DRAM)分别涨价27%和80%。具体到企业利润等方
[手机便携]
在C51系统上实现YAFFS文件系统
随着NAND Flash存储器作为大容量数据存储介质的普及,基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐渐被应用到各种嵌入式系统中。本文将详细阐述YAFFS文件系统在C51系统上的实现过程。
1 NAND Flash的特点
非易失性闪速存储器Flash具有速度快、成本低、密度大的特点,被广泛应用于嵌入式系统中。Flash存储器主要有NOR和NAND两种类型。NOR型比较适合存储程序代码;NAND型则可用作大容量数据存储。NAND闪存的存储单元为块和页。本文使用的Samsung公司的K9F5608包括2 048块,每一块又包括32页,一页大小为528字节,依次分为2
[单片机]
一种基于MCU内部Flash的在线仿真器设计方法
摘要: 提出了一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法,并完成了设计和仿真。
关键词: 微控制器
在线仿真 开发系统 Flash SRAM
由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级,MCU应用的领域也不断扩展,因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash
MCU与以往OTP/MASK MCU相比,最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作,顺应了MCU功能不断修改的需求;另一方面,Flash
MCU市场价格也在不断下降。因此,许多OEM已将Flash MCU用于产品的批量生产。对于Flash
MCU,基于内部Flash的在线仿真器更接近于程序真实的
[缓冲存储]
三星全球第一的芯片工厂开张,主要生产3D NAND闪存
据外媒报道,三星电子位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂将从7月份开始运营。据了解,这是全球规模最大的芯片工厂,占地面积达289万平方米,2015年开始建造,耗资15.6万亿韩元,约合人民币940亿元。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。 据外媒报道,三星电子位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂将从7月份开始运营。 据了解,这是全球规模最大的芯片工厂,占地面积达289万平方米,2015年开始建造,耗资15.6万亿韩元,约合人民币940亿元。 这座工厂将主要用来量产三星第四代3D NAND闪存芯片,垂直堆叠达到64层,月产能将达45万块晶圆,3D闪存占一半以上。 三星全球第一的芯片工厂开张,主要生产3D NAND闪存
[模拟电子]
如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序,无法在线调试的问题
本文介绍了如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序,无法在线调试的问题;如果您遇到相同的问题,希望本文可以带来一些帮助; 1 FLASH的写保护 如果对Flash设置了写保护,那就无法对Flash进行编程和擦除。 在开发STM32的时候,如果出现这种情况,通常仿真器都支持对Flash进行解锁,像jlink,stlink等仿真器都支持这个功能。 2 错误提示 在使用MDK进行调试的时候,出现报错 ==Flash Timeout.Reset Target and try it again==,具体如下图所示; 折腾了一番之后,并没有解决问题,因为使用的仿真器是stlink,因此下载了stlink utilit
[单片机]