安森美收购格芯纽约300mm Fab10厂

安森美半导体与格芯宣布已就安森美半导体收购格芯位于美国纽约州东菲什基尔的300mm工厂达成最终协议。收购总价为4.3亿美元，其中1亿美元在签署最终协议时支付，剩余的3.3亿美元将在2022年底支付。此后安森美将获得该工厂的全部运营控制权，该工厂的员工将转移到安森美。交易的完成须经监管部门批准且满足其他常规的交割条件。

该协议将使安森美在几年内增加其在东菲什基尔工厂的300mm产量，也将使格芯将其众多技术转移至其他三个300mm规模化核心工厂。根据协议条款的规定，格芯将生产用于半导体的300mm芯片，直至2022年底。安森美首批300mm芯片的生产预计将于2020年启动。

该协议还包括技术转让、发展协议以及技术授权协议，将会提供一个经验丰富的世界级300mm制造和开发团队，使安森美的晶圆工艺从200mm转变为300mm。安森美也将即刻获得先进的CMOS产能，其中包括45nm 和65nm两个技术节点。这些工艺将为安森美未来的技术发展奠定基础。

“我们十分欢迎格芯Fab 10厂加入安森美的团队。收购格芯300mm东菲什基尔工厂是我们在电源和模拟半导体领域取得领导地位的又一重要举措，”安森美半导体总裁兼首席执行官Keith Jackson表示，“在未来几年里，此项收购将进一步提升我们的额外产能，进而为电源和模拟领域的产品发展提供支持，提升我们的生产效率，并加速我们财务模式的进展。此次收购为双方公司的客户、股东和员工创造的机会令我备受鼓舞，我也十分期待在未来几年及更远的将来与格芯建立成功的合作关系。”

“安森美是格芯理想的合作伙伴，此项协议是我们为将格芯建设成全球领先的专业晶圆厂所作出的重要变革”，格芯首席执行官汤姆·嘉菲尔德（Tom Caulfield）表示，“此次合作将使格芯进一步优化全球资产，加强我们对促进增长的差异化技术的投资，同时确保为Fab 10厂及其员工带来长远发展。”

“我们很高兴能为安森美在哈得逊中部地区的扩张提供支持，此次扩张将在纽约州继续创造制造业的高薪就业机会。我们也将为安森美未来的增长和发展计划提供支持”，纽约州经济发展厅总裁兼首席执行官Howard Zemsky表示。

格芯东菲什基尔300mm是2015年6月从IBM微电子部门购得，该厂2001年由IBM创建，IBM在其超过25亿美元，是当时全球最先进的300毫米Fab厂。

此次格芯转让300mm厂，是格芯在今年3月宣布以2.36亿美元将其位于新加坡的200mm晶圆厂Fab3E卖给世界先进半导体公司之后的再次出售晶圆厂之举。

出售这些晶圆厂之后，格芯还有位于德累斯顿的Fab1位于纽约的Fab 8,9以及位于新加坡Fab2和Fab5等，这些晶圆厂主要聚焦在SOI工艺，也表明格芯战略更聚焦在RF-SOI和FD-SOI工艺方面，试图成为这个领域的领头羊，在SOI代工领域，格芯赢得众多大单，随着5G时代开启，SOI工艺在射频代工领域将有更多需求。