海力士CEO前往日本 寻找芯片制造关键材料

发布者:Delightful789最新更新时间:2019-07-22 来源: 网易科技关键字:海力士  芯片 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

图:2019年7月21日,海力士首席执行官李锡熙离开首尔前往日本


据外媒报道,韩国存储芯片制造商海力士首席执行官李锡熙周日飞往日本,寻找获得关键半导体资源的方法。此前,日本政府收紧了对韩国关键半导体材料的出口管制。


据悉,李锡熙将在日本停留几天,与日本合作伙伴的高管会面,讨论如何获得这些受限制的材料。他还计划讨论针对日本进一步出口限制的对策。


有业内人士表示:“众所周知,在日本宣布出口限制后,海力士立即采取紧急行动,该公司首席执行官似乎正在介入,因为该问题尚未显示出解决的迹象。”


本月初,日本对向韩国出口的三种材料——光刻胶、氟化氢和氟聚酰亚胺实施了更严格的监管。这三种材料对半导体和柔性屏幕生产至关重要。据称,日本正计划将限制范围扩大到其他行业。


日本此举令包括全球最大内存芯片制造商三星在内的韩国公司感到震惊。三星副董事长李在镕本月早些时候飞往日本,以确保这三种材料的紧急供应。



关键字:海力士  芯片 引用地址:海力士CEO前往日本 寻找芯片制造关键材料

上一篇:7nm不是尽头,台积电放眼未来主攻5nm
下一篇:日韩贸易战将对半导体带来多大的影响

推荐阅读最新更新时间:2024-10-27 16:06

SK海力士宣布大规模量产12层HBM3E芯片,实现36GB最大容量
9 月 26 日消息,SK 海力士今日宣布,公司全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片,实现了现有 HBM 产品中最大的 36GB 容量;公司将在年内向客户提供此次产品。 首次消息影响,SK 海力士股价在韩国涨超 8%,市值超过 120.34 万亿韩元(IT之家备注:当前约 6351.55 亿元人民币)。 据介绍,SK 海力士还堆叠 12 颗 3GB DRAM 芯片,实现与现有的 8 层产品相同的厚度,同时容量提升 50%。为此,公司将单个 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%,并采用硅通孔技术(TSV)技术垂直堆叠。 此外,SK 海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进 MR-MUF
[半导体设计/制造]
SK 海力士加大环保投入,在芯片生产工艺中使用氟气替代三氟化氮
7 月 25 日消息,SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气(F2)。 SK 海力士 2024 可持续发展报告显示,该公司原先将三氟化氮(NF3)用于芯片生产过程中的清洗工艺,用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物,其全球变暖潜能值(GWP)显著高于氟气(IT之家注:NF3 的 GWP 为 17200,而 F2 为 0)。 除此之外,SK 海力士还进一步增加了氢氟酸(HF)的使用量(可用于低温蚀刻设备),该气体的 GWP 为 1 甚至更低,远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。
[半导体设计/制造]
SK <font color='red'>海力士</font>加大环保投入,在<font color='red'>芯片</font>生产工艺中使用氟气替代三氟化氮
消息称三星电子、SK 海力士目前对通用存储芯片增产持保守态度
5 月 22 日消息,韩媒 Bussinesskorea 昨日报道称,三星电子、SK 海力士目前对于增产通用存储芯片持保守态度。 IT之家获悉,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 17%,但面向闪存盘等便携存储设备的 128Gb(16Gx8)MLC 通用闪存的价格却按兵不动。 这主要是因为四月初的台湾地区地震影响了美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片的需求并未真正复苏,下游企业仍持有相当数量的库存。 另一方面,国际地缘政治局势目前处于不稳定状态。近期中东地区局势紧张,美国大选年也对全球贸易带来额外的不稳定因素,两重影响交织下通用存储芯片需求的可见度已然降低。 此外,AI 热潮
[半导体设计/制造]
消息称 SK 海力士将为特斯拉代工生产电源管理芯片
5 月 16 日消息,韩国每日经济新闻报道称,SK 海力士代工部门启方半导体(SK Key Foundry)将于今年下半年开始为特斯拉生产电源管理(PMIC)芯片。 ▲ 图源:SK Key Foundry 业内人士表示,SK 启方半导体计划最早于 7 月在忠清北道清州工厂的 8 英寸晶圆厂生产电源管理芯片,并安装在特斯拉电动汽车上。 除了特斯拉之外,SK 启方半导体还在汽车功率半导体领域与多个全球车企展开合作,近期还通过了博世、大陆集团等全球领先汽车零部件公司的生产质量审查。 半导体行业相关人士表示:“SK 启方半导体需要更多资金用于研发和设备投资以确保竞争力,这是客观现实”,他还补充道“随着我们获得专有技术,性能改进的速度将
[半导体设计/制造]
消息称 SK <font color='red'>海力士</font>将为特斯拉代工生产电源管理<font color='red'>芯片</font>
SK 海力士回应“拟投资 40 亿美元在美建芯片封装厂”:尚未决定
3 月 27 日消息,《华尔街日报》昨日称,SK 海力士计划投资约 40 亿美元(IT之家备注:当前约 289.2 亿元人民币)在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂,并计划于 2028 年投产。 对此,SK 海力士在一份声明中表示,公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划,但尚未作出决定。 知情人士对《华尔街日报》透露,SK 海力士董事会预计很快就会批准这一决定,此举将推动美国政府恢复美国半导体大国地位的雄心,预计将创造约 800~1000 个新工作岗位。 公开资料显示,SK 海力士的工厂毗邻普渡大学,普渡大学是美国最大的半导体和微电子工程项目之一的所在地。 消息人士称,SK 海力士还曾考虑过亚利桑那州,例如台积电和英特
[半导体设计/制造]
铠侠提出为 SK 海力士生产芯片,以恢复与西部数据的合并谈判
2 月 18 日消息,据路透社援引日本共同社报道,日本 3D NAND 闪存制造商铠侠(Kioxia)向其投资者、韩国竞争对手 SK 海力士(SK Hynix)提议,允许其在铠侠位于日本的工厂生产非易失性存储器。此举旨在让 SK 海力士改变其对铠侠与西部数据合并计划的反对态度,目前尚不清楚 SK 海力士是否会对此提议感兴趣。 铠侠与西部数据的合并谈判去年陷入停滞,原因是韩国公司 SK 海力士反对美日两家公司合并成大型 3D NAND 闪存芯片巨头。SK 海力士之所以阻挠合并,是因为合并后的公司规模将远超其自身。 为了克服这一障碍并获得 SK 海力士的支持,铠侠提议允许其使用由铠侠和西部数据联合运营的日本 3D NAND 晶圆厂来生
[半导体设计/制造]
存储芯片需求持续低迷 三星存储业务部门和SK海力士Q3仍可能亏损
据外媒报道,随着三季度临近结束,投资者、分析师及各大投行也在关注主要厂商这一季度的业绩状况,已开始给出相关的预期。 作为两家重要的存储芯片供应商,三星电子和SK海力士三季度的业绩也备受关注,尤其是在消费电子产品需求不理想,对存储芯片的需求也明显减少的大背景下。 而相关媒体的报道显示,虽然全球半导体产业已有部分改善的迹象,但存储芯片的需求依旧低迷,三星电子存储业务部门和SK海力士,在三季度仍有亏损的可能。 在三季度若亏损,就意味着三星电子存储业务部门和SK海力士,将连续多个季度亏损。 从去年三季度开始,三星电子存储业务部门的营收就持续同比大幅下滑,所在的设备解决方案部门,在今年一季度和二季度分别出现了4.58万亿韩元、4.36万亿韩
[半导体设计/制造]
SK海力士调查其芯片在最新款华为手机中的使用
针对中国通讯巨头华为最新旗舰手机使用了韩国半导体厂商SK海力士的晶片,SK海力士澄清,目前公司已没有与华为进行业务往来,并表示已对此展开调查。 彭博社委托TechInsights对华为最新旗舰手机Mate 60 Pro拆解的调查显示,该手机的组件使用了SK海力士的LPDDR5记忆体和NAND闪存晶片,其中绝大多数组件是在中国制造,而SK海力士是华为唯一的国际供应商。 对此,SK海力士星期四(9月7日)在给彭博社的一份声明中说,“自美国对华为实施限制以来,公司已不再与华为有业务往来。针对这个问题,我们已开始调查以了解更多细节。SK海力士严格遵守美国政府的出口限制。” 报道称,SK海力士绝大部分半导体都是在中国的工厂制造,有一种可能性
[半导体设计/制造]
SK<font color='red'>海力士</font>调查其<font color='red'>芯片</font>在最新款华为手机中的使用
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved