美国研制出亚麻纤维制成的晶体管

　　国外媒体报道，美国伦斯勒理工学院中国博士生Weixiao Huang发明了一种新的晶体管技术，有望取代高功率和高温电导特性的硅晶体管，目前已经引起了美国和日本一些大汽车公司的注意。 　　Huang出身低微，是中国乡下一位农民的儿子，2001年毕业于北京大学，2003年获伦斯勒理工学院硕士学位，这两天将拿到伦斯勒理工学院博士学位。 　　一些基于镓的材料具有某些极其出色的电气特性，远远优于硅，但是要制造出晶体管来比较困难，Huang开发出了一种使用镓氮化物（GaN）混合材料的新晶体管，它具有非常好的物理属性，可以大大降低功耗，改善电子系统的效率，也能够工作在高温、大功率乃至产生辐射的严苛环境下，在各种电子设备、汽车动力、家用设

    新华社华盛顿８月８日电（记者林小春）中国研究人员８日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速，整个过程都可在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。 　　研究负责人、复旦大学教授王鹏飞对新华社记者说：“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管作为一种新型的微电子基础器件，它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。” 　　据王鹏飞介绍，金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）是目前集成电路中的主流

这是由晶体管构建的1000W功率音频放大器电路，从前置放大器到最终晶体管级。本放大电路设计为单通道。但是如果你想要立体声音频系统，你可以构建两个相同的电路。 该1000W功率音频放大器电路是采用OCL（无输出电容）系统设计的放大器，因此输出不使用去耦电容。该系统的优点是输出将产生更好的频率响应，特别是对于低频响应。 1000W功率音频放大器电路图 为了使这种音频放大器电路能够正常工作，至少需要一个电源，一个通道的电流为10A，双通道（立体声）的电流为20A。所需电源的源电压与电源电压63VDC对称。 1000W功率音频放大器电路元器件列表： 晶体管 2SA1216 和 2SC2922 最终电平必须使用散热器，以便在

中心议题： 开关电源中开关晶体管的损耗 开关电源中开关晶体管的电子辐照实验 电子辐照双极晶体管和钳位型双极晶体管的比较 功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一， 采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时， 以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中， 85 V 交流输入电压下， 功率双极晶体管总损耗最多降低了42%, 系统效率提高了2.1%. 开关电源具有功率转换效率高、稳压范围宽、功率体积比高、重量轻等特点， 因此被广泛应用于手机充电器和笔记本电脑适配器等消费类电子产品中， 如何降低开关电源的损耗受到越来越多的关注。而要在系统层面上

引言 现在世界资源短缺，各国政府及社会各界越来越要求节能降耗。中国政府也正秉持这一国际化趋势的理念在不断迈进，这一趋势在未来几年还会加速，这势必为响应这一国际趋势的科技型企业带来巨大的机遇。同时对技术薄弱的电源企业就是一个巨大的考验。在电源行业来讲，这几年大家一直致力于80PLUS的产品研发，时至今日，这项技术在大的企业已经得到普及。接下来的方向就是如何来达到85PLUS的要求。这对于一般的适配器或高电压直流输出的电源来讲没有什么问题，大家很容易就可以实现。但是对于一般的PC电源或服务器电源这种带多输出中低直流电压的电源来讲，要达到85PLUS就不这么容易了。电源目前常见的几种可以实现高效率的电路拓扑来讲，单晶体管有源钳位技术现

近年来科学界对电解质栅控晶体管及其在人工神经网络应用方面的研究取得了一定进展，但研究成果主要集中在单个器件的性能验证，在材料体系、器件阵列和网络算法等层面亟待突破。针对上述问题， 微电子所微电子重点实验室刘明院士团队制备了具有良好沟道电导调节性能和器件均一性的电解质栅控晶体管阵列，并基于此阵列构建了可处理时空信息的脉冲神经网络系统。 团队首先对材料体系进行了筛选，首次采用无机氧化物——Nb2O5作为沟道材料构建电解质栅控晶体管，成功实现32X32的阵列集成。此电解质栅控晶体管表现出优异的电学特性，包括近线性的沟道电导模拟变化特性、良好的耐受性（≥106）和保持特性（≥1000 s）、

6月17日早间消息，台积电在今日举办的2022技术论坛上，首度推出下一代先进制程N2，也就是2nm。技术指标方面，台积电披露，N2相较于N3，在相同功耗下，速度块10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%，开启高效能新纪元。 就纵向对比来看，2nm之于3nm的提升，似乎不如3nm之于5nm，包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。 在微观结构上，N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管）。 台积电还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

目标 本次实验旨在研究一个使用NPN晶体管的简单差分放大器。首先，我们需要做一些关于硬件限制问题的说明。ADALM2000系统中的波形发生器具有高输出带宽，该高带宽代来了宽带噪声。由于差分放大器的增益，本次实验中测量所需的输入信号电平相当小。如果直接使用波形发生器输出，则其输出的信号信噪比不够高。通过提高信号电平，然后在波形发生器输出和电路输入之间放置衰减器和滤波器（图1），可以改善信噪比。本次实验需要如下材料： ►两个100 Ω电阻 ►两个1 kΩ电阻 ►两个0.1 μF电容（标记为104） 图1.11:1衰减器和滤波器 本次实验的所有部分都会使用该衰减器和滤波器。 带尾电阻的差分对 材料 A