美国研制出亚麻纤维制成的晶体管

IBM 新发布的人工智能单元 (AIU) 是其首个片上系统设计。AIU 是一种专用集成电路 (ASIC)，旨在训练和运行需要大规模并行计算的深度学习模型。AIU 比深度学习发展前几年为传统软件应用程序设计的现有 CPU 快得多。IBM 未提供 AIU 的发布日期 IBM Research AI 硬件中心在五年内开发了新的 AIU 芯片。该中心专注于开发下一代芯片和人工智能系统，以每年将人工智能硬件效率提高 2.5 倍，并能够在 2029 年以比 2019 年快一千倍的速度训练和运行人工智能模型。 打开 AIU 的包装 根据IBM 博客，“我们完整的片上系统具有 32 个处理内核并包含 230 亿个晶体管——

首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种。下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。 半导体二极管及其特性 　　半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。 　　点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。 　　面接触型二极管多数系用合金法制成。在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于

　　近日，中科院微电子所依靠独立开发的全新技术，成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。 　　ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等)具有较常规体材料更为优越的性能，在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景，引起了国际学术界的极大关注。目前，国内的研究集中在材料生长和二极管器件制备方面。 　　微电子所张海英研究员领导的课题组，使用中国科技大学提供的材料，独立开发出一套全新的“由下至上”的纳米器件设计和制备方法，采用常规的接触式光学光刻技术，以ZnO纳米棒作为沟道，与栅氧、背面栅金属形成金属——氧化物——半导体结构的场效应晶体管，获得了满意的器件测试结果，标志着国内首个

中国上海，2011年11月30日 —— 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日发布业内首款采用2-mm x 2-mm 3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封装，是恩智浦中功率晶体管家族中的首位小型晶体管成员。 新型DFN2020-3 (SOT1061) 封装非常适合在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中的通用功率敏感型应用，与常规的SOT89封装相比，在维持高达2A的卓越电气性能的同时，还可节省多达80%的PCB占用空间。当被安装在最先进的4层PCB电路板上时，其散热性能可以与较大

外接晶体管的电路

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球首批采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用了DFN1006 (SOT883) 封装的同类型器件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气性能。这些器件的离板高度只有0.4mm，非常适合智能手表、健康和健身设备等可穿戴产品，以及智能手机与平板电脑等受空间限制的消费性产品。 Diodes公司首批DFN0606双极型晶体管产品 (两款NPN及两款PNP器件) 能够处理高达830mW的功耗。其中40V额定值的MMBT3904FZ及

图1中的简单晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型，并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管三个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的组合。 　　 　　电路使用两只CD4022或CD4017计数器IC1和IC2;一只单门方波振荡器G4;以及一个CD4011四与非门，G1至G3。每个测试端子串接一对LED，用于指示电流的方向。LED的颜色直接表示出晶体管的结端。 　　图2是一个简单示意图，有助于理解测试的过程。每个端子都有一对NPN晶体管Q1与Q3和PNP晶体管Q4与Q6，连接到-V或+V上，它们在端子之间建立了所需电势差。电路生成端子之间所有可能或需要的+V与-V组合，以建立起结

该电路，可以把两个灯循环点亮。本电路是由晶体管（NPN9014，直流放大倍数应 200）、红色发光二极管及R、C元件组成的非稳态多谐振荡器，6V直流电源供电。执行单片机编写流程如图所示，可以看到两管交替闪烁。