SK Siltron完成对杜邦SiC晶圆部门的收购-电子工程世界

来自韩国龟尾市的硅晶圆供应商SK Siltron已完成对特拉华州杜邦电子与成像（E＆I）的碳化硅晶圆（SiC Wafer）部门的收购。此次收购是通过9月份的董事会决定的，并于2月29日完成。

4.5亿美元的收购被视为SK Siltron一项全球技术投资，以满足消费者和政府对可持续能源和环境解决方案的需求。收购完成后，SK Siltron仍将继续在相关领域进行投资，这有望增加SiC晶片的产量并在美国创造更多的就业机会。该业务的主要地点位于密歇根州奥本市，距底特律以北约120英里。

随着汽车制造商进入电动汽车（EV）市场以及电信公司正在扩展超快速5G网络，对功率半导体的需求正在迅速增长。高硬度，耐热性和耐高压能力意味着SiC晶片可生产出对于能源效率至关重要的电动汽车和5G网络的功率半导体。

通过此次收购，SK Siltron有望最大化其当前主要业务之间的研发和生产能力以及协同效应，同时通过进入快速扩张的领域来确保新的增长引擎。

SK Siltron是韩国唯一的硅晶片生产商，也是全球前五名晶片制造商之一，年销售额为1.542万亿韩元，约占硅晶片全球总销量（相当于300mm直径）的17％。 SK Siltron在美国，日本，中国，欧洲和台湾的五个地区设有海外子公司和办事处。这家美国子公司成立于2001年，向包括英特尔和美光在内的八家客户销售硅晶片。

SK Siltron是总部位于韩国首尔的SK Group子公司。 SK Group已将北美地区打造成全球枢纽，在美国投资了电动汽车，生物制药，材料，能源，化学药品和ICT电池，过去三年在美国的投资达到50亿美元。

关键字：SiC 引用地址：SK Siltron完成对杜邦SiC晶圆部门的收购

上一篇：美国可能阻止英飞凌竞购赛普拉斯
下一篇：英飞凌收购赛普拉斯获得美国CFIUS许可

推荐阅读最新更新时间：2024-11-20 03:47

一文读懂第三代半导体材料的特性、应用

导语半导体材料是半导体产业发展的基础，20世纪30年代才被科学界所认可。随着半导体产业的发展，半导体材料也从一代、二代发展到现在的第三代，本文着重分析第三代半导体材料的特性、应用，以及我国第三代半导体材料发展面临的机遇和挑战。作为一种20世纪30年代才被科学界所认可的材料—半导体，其实它的定义也很简单。众所周知，物资存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等，其中导电性差或不好的材料，称为绝缘体；反之，导电性好的称为导体。因此，半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(Zn

[嵌入式]

技术文章—雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性

摘要本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器，特别是电动汽车驱动电机功率变换器，需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误，就会致使变换器功率开关管在雪崩条件下工作。因此，本文通过模拟雪崩事件，进行非钳位感性负载开关测试，并使用不同的SiC MOSFET器件，按照不同的测试条件，评估技术的失效能量和鲁棒性。引语能效和可靠性是所有电子功率变换器必备的主要特性。在与人类社会活动和生态环境保护相关的应用领域，例如，交通、工业、能源转换等，标准硅基功率开关管已被SiC MOSFET取代，因为 SiC MOSFET在电流密度/芯片面积、击

[半导体设计/制造]

技术文章—雪崩工作条件下评估<font color='red'>SiC</font> MOSFET的鲁棒性

洛克希德马丁Q-53雷达选择Qorvo的碳化硅基氮化镓技术

Qorvo日前宣布洛克希德·马丁公司选择其氮化镓（GaN）技术功率放大器，作为美国陆军Q-53雷达系统的GaN模块。将GaN技术引入多任务的移动雷达应用中，将比目前系统中广泛使用的砷化镓（GaAs）放大器实现更高的效率，功率密度，可靠性和生命周期总成本。 Qorvo利用碳化硅（SiC）基GaN开发了S波段MMIC高功率放大器（HPA），与前一代GaAs材料相比，GaN HPA的饱和输出功率提高了两倍以上，功率附加效率（PAE）提高了15个百分点。这些功能可以更好地支持Q-53相控阵雷达所需的功能，例如远程反击。该放大器的紧凑尺寸和卓越的性能支持各种具有挑战性的工作条件，此外GaN-on-SiC技术还具有提高系统可靠性和降低生命周

[网络通信]

三菱电机开发出业界最小的电动汽车马达内置SiC逆变器

据人民网报道，三菱电机开发出了内置逆变器的新型EV（纯电动汽车）用马达，构成逆变器的晶体管和二极管全部使用SiC（碳化硅）。新马达的特点是输出功率为60kw，而体积只有14.1L，实现了业界最小尺寸。目标是在2018年前后实用化。此次开发的新型马达　　与以前使用硅元件的逆变器相比，SiC逆变器的效率更高，因此发热少，有利于实现小型化。以前的EV用马达与逆变器各自独立，逆变器和马达的合计体积达到25L左右，而新马达的体积缩小了44％，效率也可提高数个百分点。使用硅逆变器的传统马达　　为了实现小型化，此次采用了新的冷却系统。以前的冷却系统采用先向温度较高的逆变器通入冷却水，再使冷却水流向马达的方

[汽车电子]

科锐推出多款碳化硅基氮化镓器件，助力大型雷达加速发展

Wolfspeed CMPA901A020S、Wolfspeed CMPA9396025S、Wolfspeed CMPA801B030 系列均为GaN MMIC器件，具备小型化、高效率等优势。 2021年4月19日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– 全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, 宣布，推出多款碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件：Wolfspeed CMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。本次推出的器件采用MMIC技术，具备研发部署大型雷达系统所需的小型化、高效率、高可靠性、以及优异的功率密度等特点，可有效应对大型雷达所面临的挑战。 X-波段（8 GHz 到 12 GH

[电源管理]

科锐推出多款<font color='red'>碳化硅</font>基氮化镓器件，助力大型雷达加速发展

德州仪器推出碳化硅栅极驱动器，可更大限度延长电动汽车行驶里程

助力工程师设计更加安全高效的牵引逆变器，将车辆的年行驶里程延长多达1,600公里中国上海（2023年5月18日） - 德州仪器 (TI)今日推出一款高集成度的功能安全合规型隔离式栅极驱动器，助力工程师设计更高效的牵引逆变器，并更大限度地延长电动汽车 (EV) 行驶里程。全新 UCC5880-Q1 增强型隔离式栅极驱动器提供的功能可使电动汽车动力总成工程师能够在提高功率密度、降低系统设计复杂性和成本的同时实现其安全和性能目标。随着电动汽车日益普及，牵引逆变器系统的半导体创新技术有助于克服某些阻碍其广泛普及的关键技术障碍。汽车制造商可以使用 UCC5880-Q1 进行设计，构建更安全、更高效、更可靠的碳化硅 (S

[电源管理]

德州仪器推出<font color='red'>碳化硅</font>栅极驱动器，可更大限度延长电动汽车行驶里程

从Formula E到电动汽车，看“全SiC”功率模块带来的改变

在功率元器件的发展中，虽然Si仍是当前主导的半导体材料，但SiC具有高压、高频和高温等特性优势，被视为下一代功率器件创新发展的应用方向。目前SiC-MOSFET等已经量产内置在功率模块并被新能源汽车所采用，“全SiC”功率模块也开始应用在电动方程式赛车的电机和逆变器中，而这正与幕后推手罗姆（ROHM）关联密切。 12月2日，由FIA主办的电动汽车全球顶级赛事“Formula E锦标赛2017-2018(第4赛季)“揭幕赛在香港举行，其中文图瑞电动方程式车队（VENTURI Formula E Team）赛车的核心驱动部件逆变器正是采用了罗姆带来的“全SiC”功率模块。Formula E是唯一能够在新一代电动汽车中尝试最尖端

[手机便携]

应对汽车检测认证机构测试需求，泰克提供SiC性能评估整体测试解决方案

近年来，在国家“双碳”战略指引下，汽车行业油电切换提速，截至2022年新能源汽车渗透率已经超过25%。汽车电动化浪潮中，半导体增量主要来自于功率半导体，根据 Strategy Analytics，功率半导体在汽车半导体中的占比从传统燃油车的21%提升至纯电动车的55%，跃升为占比最大的半导体器件。同其他车用电子零部件一样，车规级功率半导体也须通过AEC-Q100认证规范所涵盖的7大类别41项测试要求。对于传统的硅基半导体器件，业界已经建立了一套成熟有效的测试评估流程。而对于近两年被普遍应用于开发800V超充技术的三代半导体碳化硅（SiC）材料而言，由于其面世时间较短，缺陷暴露不充分，失效机理不清晰，对其进行科学有效的评估和验

[测试测量]

应对汽车检测认证机构测试需求，泰克提供<font color='red'>SiC</font>性能评估整体测试解决方案

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播