芯片荒致四大代工厂紧急扩产，资本支出进入白热化

近期芯片全面大缺货，四大晶圆代工厂台积电、三星、联电、格芯不约而同进行扩产。台积电、三星与格芯更先后拍板美国投资的专案，积极服务当地客户需求，资本支出竞赛已白热化。

此次芯片大缺货是先从车用芯片吃紧开始，导火线来自去年第2季开始IDM（整合元件制造）大厂过度削减库存，如今供需失衡已让车用电子大厂跳脚，为避免出货断链，先后向晶圆代工大厂求援。

业界形容，「这次各大厂都努力挤出产能、用超急件方式来支援车用，估计第2季中旬应可舒缓供需问题，不过从成熟制程而言，多少排挤掉部分电视面板应用所需驱动IC芯片。」

业界也观察，车用需求多数采8英寸成熟制程，所需晶圆片数还是跟手机差蛮多，不过因为电源管理IC也陆续从6英寸转移到8英寸晶圆代工投片，使8英寸产能供不应求，晶圆代工厂虽鼓励一些8英寸客人陆续转12英寸晶圆投片，让12英寸产线也先后爆满生产，各大厂在被订单追着跑的情况下，扩产成当务之急。

台积电、联电资本支出年增皆逾45%

台积电虽没有说明扩产幅度，不过在上季法说会上已提到今年资本支出将达250至280亿美元，年增超过45%，创历史新高。业界认为，台积电资本支出大举拉高，反映先进制程供不应求的扩大扩产。机构分析师估计，台积电今年先进制程扩产幅度超过二成，主要集中在5纳米与7纳米。

由于晶圆代工供不应求，联电也对今年第一季展望乐观，预期晶圆出货季增2%，晶圆平均美元价格提升2-3%，产能利用率达满载，今年资本支出和去年10亿美元相比，更是大增5成至15亿美元，主要用在先进制程。据悉，其中15%用于8英寸产能、85%用于12 英寸，主要以28 纳米产能扩充为主。

联电共同总经理王石在法说会上表示，今年整体产能将成长3%，其中，8英寸产能因无尘室空间不足，仅能透过去瓶颈、产能优化等方式提高产能，因此产能仅增加1 %，12英寸产能则将成长5%。

展望晶圆代工产业，王石分析，疫情导致笔电等宅经济需求大好，并使得4G转换至5G的脚步加快，相关行动装置对IC用量大增，加上车用市场回温，这些动能推升14纳米以上晶圆代工成熟制程供不应求，正式进入「卖方市场」，产能至少一路缺到明年。

三星布局5纳米以下制程 资本支出也飙高

三星14纳米以下制程产能满载，今年资本支出重心摆在先进制程所需。依集团计划，今年包含DRAM等半导体领域的投资约312亿美元，也将创下新高。

往年三星DRAM与晶圆代工相关资本支出在半导体部份占比约85%，市场推估，若仅晶圆代工投资今年占比约4成计算，也超过百亿美元，主要是5纳米以下EUV设备购买所需。

拼抢美国订单 台积、三星专案投资同破百亿美元

芯片缺货带来的商机促使晶圆代工大厂加速投资扩产，各厂也瞄准美国因为国安考量带来的新商机，台积电、三星都先后启动美国专案计划，九年至十年期的专案投资都超过百亿美元。

台积电规画美国第二个生产基地位于亚利桑那州12英寸厂生产5纳米，2024年开出产能、月产2万片，2021至2029年专案投资约120亿美元。

在台积电后，三星也火速敲定投资专案并向德州提出申请扩产专案，拟在德州奥斯汀投资规画约170亿美元，并计划最快今年第2季动工，也计划比台积电提早一季开出先进制程产能，规画2023年下半年投产。

依三星向德州提出的规画文件资讯，业界分析，推估该新厂制程也会是5纳米以下的先进制程生产，外传最大月产能达7万片。

不过，三星也在提供给德州官方文件说，因为产业竞争激烈，也在亚利桑那州、纽约州等美国其他地点寻找适合的区域，进而加速芯片生态系统制造速度。

格芯美国购地扩产 瞄准美国国防部新供应协议

在台积电、三星之后，格芯也宣布美国的购地之后的扩建新计划。格芯宣布和美国国防部建立战略合作关系，计划在新的供应协议下，由美国纽约州Fab 8厂区购地扩建并完成认证后，2023年开始出货首批国防专用芯片，主要采用45纳米制程平台协助相关生产。

格芯过去和美国国防部合作已久，包含在旗下美国佛州Fab 9与纽约的10厂区生产其他地面设施所需芯片，此次合作协议扩及至国防、航太与其他敏感应用芯片所需。

而依据美国国防部声明，和格芯的协议是最近参议院多数党支持的《美国CHIPS法案》的初步进展，该法案主要是支持与加强美国国防供应链半导体芯片的制造能力。

格芯是在2020年6月22日宣布将在美国纽约州马耳他镇购地，该地区邻近Fab 8厂，该地价格依据市场价格并由独立机构评定购买价格。格芯统计，过去已在Fab 8厂区先后投资超过130亿美元。