格芯宣布收购瑞萨这项技术

格芯今天宣布， 公司已收购瑞萨电子公司 (Renesas) 专有且经过生产验证的导电桥接随机存取存储器 (CBRAM) 技术，这是一种低功耗内存解决方案旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备中的一系列应用。 

该交易进一步加强了 GF 的存储器产品组合，并通过添加另一种相对容易集成到其他技术节点的可靠、可定制的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器 (NVM) 解决方案的路线图。具体而言，该技术将使客户能够进一步实现 SoC 设计的差异化，并推动新一代安全智能设备的发展。 

GF 首席商务官 Mike Hogan 表示：“我们致力于使我们的技术组合脱颖而出，成为我们客户当今和未来几十年节能物联网应用的基础。” “通过收购这种创新的存储器技术，格芯现在在加速 NVM 解决方案的开发方面发挥着至关重要的作用，这将使我们的客户能够设计下一代智能互联设备。CBRAM 技术开启了性能和超低能耗的新范式，支持从可穿戴设备到智能手机的广泛应用，在特定用例中将电池充电间隔时间从数小时延长至数周甚至数年。” 

CBRAM 的低功耗、高读/写速度、降低的制造成本和对恶劣环境的耐受性使其特别适合消费、医疗和特定工业应用。2020 年，GF 与 Dialog Semiconductor 签订了许可协议，该公司于 2021 年被 Renesas 收购，以提供其 CBRAM 技术作为嵌入式 NVM 选项。今天，CBRAM 正在公司的 22FDX ®平台上获得认证，并计划将其扩展到其他平台。