11 月 13 日消息,韩国日报称,三星电子打破了 SK 海力士为 NVIDIA 独家供应 HBM 3 的局面,该公司计划从明年 1 月开始向英伟达提供 HBM3。
有分析师预测称,今年以来一直低迷的三星电子半导体业务业绩将在明年迅速复苏。一些猜测认为,三星电子可能会在明年下半年在 HBM 市场份额上超过 SK 海力士。
此前,三星电子已成功向美国 AMD 供应 HBM3 内存,但由于 AMD 在该市场的主导地位并不大,因此据说供应有限。
市场研究公司 Trend Force 预测,SK 海力士和三星电子今年将争夺全球 HBM 市场 46-49% 的份额,但分析师们认为 SK 海力士的实际市场份额大幅领先于三星电子。
如果三星电子从明年初开始扩大对 HBM 的供应,预计三星负责半导体业务的 DS 部门的业绩将迅速升温。
Meritz 证券研究员 Kim Seon-woo 分析称,三星电子明年第二季度 DRAM 业务销售额将超过 10 万亿韩元(IT之家备注:当前约 554 亿元人民币),第三季度销售额将超过 13 万亿韩元(当前约 720.2 亿元人民币),全年 DRAM 销售额预计将超过 2021 年的水平。
上一篇:CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统
下一篇:泛林集团助力触觉技术的实现在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为大批量生产关键
- 意法半导体披露 2027-2028 年财务模型及2030年目标实现路径
- 创实技术electronica 2024首秀:加速国内分销商海外拓展之路
- 欧洲三大芯片巨头,重新审视供应链
- 一场IC设计业盛宴!10场论坛 200位演讲嘉宾,300+展商亮相2万平米专业展会!
- 富昌电子于杭州举办技术日活动,聚焦新能源“芯”机遇
- 消息称铠侠最快明天获上市批准,市值有望达 7500 亿日元
- 美国政府敲定对格芯 15 亿美元《CHIPS》法案补贴,支持后者提升在美产能
- SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存,计划 2025 上半年对外出货
- 三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机,将导入 ASML High NA EUV 光刻设备
- LTC1538CG-AUX高效低噪声5V/3A、3.3V/3A、2.9V/2.6A、12V/200mA、5V/20mA笔记本电脑电源典型应用电路
- SG1842交直流开关转换器典型应用电路
- #第七届立创电赛#“量产型”手持风扇
- 使用 Analog Devices 的 LT1328 的参考设计
- 使用 BFP420 针对 1.9GHz 下的输入和输出回波损耗进行优化的低噪声放大器
- eLQFP176封装的SPC58 4B Line的插座式微型模块
- HDMI进HDMI+VGA+模拟音频出转换器
- 使用 ON Semiconductor 的 RC1587T 的参考设计
- PlotClock
- DER-365 - 14.35 W 高效率、可控硅调光的、非隔离、抽头降压式 LED驱动器