消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM-电子工程世界

1 月 16 日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，SK 海力士计划在 2024 年之前，完成对无锡 C2 工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram 工艺，该工艺达到 10nm 级别。

消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

无锡工厂是该公司的核心生产基地，约占 SK hynix D-RAM 总产量的 40%。该厂目前生产 10 纳米后期级别的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，属于旧（传统）产品线。

消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

消息称 SK 海力士会在无锡工厂完成第四代 D-RAM 的部分工艺，然后把晶圆运到韩国总部利川园区内，使用 EUV 加工之后再返回送到无锡工厂。

消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

由于第四代产品只有一个 D-RAM 层需要采用 EUV 工艺，该公司显然认为成本增加是值得的。

在 2013 年无锡工厂大火期间，该公司克服了 D-RAM 生产中断的困难，因此在这种方法上也积累了丰富的经验。

关于无锡工厂的工艺转型，SK 海力士表示无法确认该公司具体的工厂运营计划。

关键字：SK海力士 DRAM 引用地址：消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

上一篇：狂砸622万亿韩元，韩国拟建世界上最大半导体产业集群
下一篇：台积电美国建设第二座工厂再次推迟

推荐阅读最新更新时间：2024-11-12 17:35

紫光国芯:DRAM芯片设计技术处于世界先进水平

紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。　　同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。　　针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问，紫光国芯作出上述回应。 1月26日紫光国芯在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶圆的制造能力，公司会考虑与其合作。

[半导体设计/制造]

Micron宣布在台成立DRAM卓越制造中心

　　 Micron 宣布于本月14日成功标得达鸿先进科技的拍卖资产，并将以此建立 Micron 在台之后段生产基地。 Micron 现已取得这新生产基地之所有权。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　经由此收购案， Micron取得与其台中厂相邻的无尘室和设备，并将使Micron 的晶圆制造与后段封测得以集中于同一据点，并专注于建立集中式的后段封测营运。　　全球制造副总裁Wayne Allan指出：“此举为Micron在台建立 DRAM 卓越制造中心的重要一步。将晶圆制造和后段封测结合在同一地点，构建一个完整连贯的高效制造支援组织，提供更快的生产周期，将有利于我们的业务和客户。” 　　新的后端封测生产基地预计将于

[嵌入式]

SK海力士第二季营业利润率近46% 是三星电子两倍

　　据韩联社报道，今年第二季度 SK海力士营业利润率达到45.59%，在30家市值最大的上市公司中位列榜首，是三星电子利润率的两倍。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。　　烟草制造商KT&G(33.27%)、门户网站NAVER(25.25%)、三星电子(23.06%)等排名其后。　　全球半导体需求增加助推 SK海力士业绩高涨，三星电子的半导体业务也利润大增，创下历史新高。上市银行利润均普遍上升，新韩银行、韩亚银行、企业银行、KB金融、友利银行都实现两位数利润率。以上是关于手机便携中-SK海力士第二季营业利润率近46% 是三星电子两倍的相关介绍，如果想要了解更多相关信息，请多多关注eewor

[手机便携]

三星扩产 DRAM业风暴逼近

半导体设备商透露，存储器龙头三星半导体已启动韩国新厂line 18新厂扩建，将全数投入生产DRAM及NAND Flash，预计明年6月完成建厂，第3季装机投产，恐将打破近二年已趋稳定的DRAM平衡，为明年DRAM供需投下新变量。图／经济日报提供无独有偶，三星因自家手机销售不佳及苹果代工订单大量流失，今年起，将原生产28纳米制程逻辑芯片产能转作生产DRAM。根据三星下给设备厂的改造设备订单估算，位于韩国华城的line 17厂，至少将有月产能5万片全数转作生产DRAM，预计年底开始投片，相关转换进度已造成市场一定程度干扰。设备商预估，明年6月后，三星line 17及新厂line 18增加DRAM的产出，势必将打

[手机便携]

三星乐金SK海力士前进大陆设厂韩政府担忧盼业界三思

韩国政府忧心重点科技产业前往大陆设厂会造成技术外流，削弱国家竞争力，呼吁业者三思。但业界认为韩国投资环境不佳，阻挡前进大陆形同锁国，引发正反两派掀起论战。据韩媒ET News报导，2017年韩国半导体出口额预估将突破100兆韩元(约885亿美元)，其中以存储器的影响效果最大。但扣除半导体后，韩国其他产业几乎无成长趋势，凸显半导体技术的重要性。 OLED面板技术对韩国的重要性同样不在话下，因为日本、大陆、台湾等其他竞争业者也对OLED市场虎视眈眈，积极从事发展，但目前有量产能力的业者只有韩厂。韩国政府忧心国家重点产业技术若外流大陆，恐对韩国经济造成严重打击。韩国产业通商资源部长白云揆日前表示，大陆LCD产业能快速起飞

[半导体设计/制造]

打破了存储器框架，英特尔挑战三星、SK海力士

全球第一的非存储器半导体企业英特尔在韩国推出新一代存储器半导体，外界解读，英特尔选在存储器半导体强国发表新产品，是在向全球前两大存储器半导体企业三星电子、SK海力士宣战。英特尔首次选在韩国首尔举办全球意见领袖聚会，并公布数据中心用存储器的Optane系列、存储器市场策略。英特尔计划在墨西哥里约兰町（Rio Rancho）工厂生产Optane数据中心的DCPM（持续性存储器），并于明年上市。另一方面，英特尔也发表数据中心用固态硬盘144层4阶QLC（4bit为一单位）NAND闪存，比三星电子、SK海力士的128层的NAND更加密集。时隔34年，英特尔重返存储器市场据《韩国经济》报道，英特尔睽违多年重返存储器市场，重磅推出的O

[手机便携]

涨价效应发酵，将带动MOS/DRAM芯片厂商业绩走高

2017年全球半导体产业上游的涨价风潮，从硅晶圆一路吹到MOSFET芯片、利基型DRAM芯片、LCD驱动IC及MCU，芯片供应商为反应成本上扬而陆续调涨芯片价格，然因晶圆代工交期有8~12周的时间落差，必须等到新的晶圆量产出厂，才能反应到公司营收、毛利率及获利表现。据悉，2018年第1季虽适逢传统淡季，但台系MOSFET、利基型DRAM芯片业者自结1月营收纷逆势走扬，主要就是芯片价格调涨效应。面对2017年下半相关芯片价格陆续上调，不少业内人士乐观看待2018年上半营运表现。 MOSFET芯片价格持续上扬据IHS数据显示，2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元，2017年预计将增长到220亿美元。MOS

[半导体设计/制造]

DRAM供应偏紧或持续到年底 DDR3最高涨幅已超8成

近两年，AI、物联网等消费性电子产品对动态随机存取存储器（DRAM）需求大增，加之全球大厂逐渐退出利基型DRAM市场，导致DRAM市场供应持续偏紧。据市调机构IC Insights统计，2018年全球DRAM厂资本支出达232亿美元高峰后，接着逐年缩减，去年更只剩下151亿美元，同比下降20%。这意味着，全球存储器市场近两年并未大幅增产，但在宅经济、AI、5G与物联网带动下，DRAM需求增温，业内预计DRAM市场需求增长20％。目前来看，存储器市场需求旺盛，尤其是被归类为利基型 DRAM的DDR3，其市场需求更是火爆，价格也持续上涨。据了解，目前市面上最主流的规格是 DDR4，通常用于计算机、手机与服务器。不过，令人意外的是

[手机便携]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播