力晶复工生产 投片量近8万片

发布者:zhuanshi最新更新时间:2009-08-20 来源: DigiTimes关键字:DRAM  力晶  存储器 手机看文章 扫描二维码
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64层第二代3D NAND存储产品及解决方案
全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品,这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。 该全新移动解决方案基于美光业界领先的三级单元 (TLC) 3D NAND 技术,可帮助智能手机制造商通过人工智能 (AI)、虚拟现实和面部识别等新一代移动功能来增强用户体验。 AI 在旗舰级手机中的出现推动了对能更快速高效地访问数据的更先进的存储解决方案的需求。分析机构 Gartner 预测,到 2022 年,80% 的智能手机将具有 AI 功能,这会增加在本地处理和存储更多数据的需求。 此外,由于智能手机已然成为摄
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朝鲜半岛交锋,台湾DRAM产业仍难救赎
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ATmega48 I/O存储器
ATmega48/88/168的 I/O P311“ 寄存器概述 ” 。 ATmega48/88/168 的所有 I/O 和外设都被放置在 I/O 空间。 所有的 I/O地址都可以通过LD/LDS/LDD和ST/STS/STD指令来访问,在32个通用工作寄存器和I/O之间传输数据。 地址为0x00 - 0x1F的I/O寄存器还可用SBI和CBI指令直接进行位寻址,而SBIS和SBIC则用来检查单个位置位与否。使用 IN 和 OUT 指令时地址必须在 0x00 - 0x3F之间。如果要象 SRAM 一样通过 LD 和 ST 指令访问 I/O 寄存器,相应的地址要加上 0x20。 ATmega48/88/168 是一个复杂的微处理器,
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国际大厂力量强势,中国存储器明年迎 “大战”
兆易创新与合肥市产业投资控股(集团)有限公司最近签署《关于存储器研发项目之合作协议》,约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,项目预算约为180亿元。此前,业界一直有兆易创新将与合肥长鑫合作发展DRAM内存芯片的消息传出。此协议的签署表明兆易创新正式加入存储竞争格局。 除兆易创新以及合肥长鑫外,国内投入存储芯片的主要企业还包括长江存储和福建晋华,目前三大存储芯片企业均在加紧建设存储芯片工厂,最快的预计将于明年下半年开始投产。也就是说,2018年有望成为国产存储器主流化发展元年。 兆易创新正式入局DRAM内存竞争 10月31日晚间,兆易创新发布重大事项停牌公告,
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兆易创新:估计上半年公司会有自研DRAM产品推出
2月4日,兆易创新在互动平台表示,预计上半年公司会有自研DRAM产品推出。 据兆易创新此前透露,其自研第一个产品会是DDR34Gb容量,面向利基市场。 虽然此前在DR
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英飞凌向尔必达提出专利侵权诉讼
    英飞凌科技股份公司宣布,该公司及其子公司英飞凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉书,称尔必达(Elpida Memory Inc.)制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面四项重要发明专利,涉嫌不公平贸易。     英飞凌公司管理委员会成员兼销售、营销、技术与研发负责人Hermann Eul博士指出:“英飞凌在业界一直处于先进半导体制程的领先地位。我们将尽力保护我们通过持续研发所获得的知识产权。”     英飞凌向美国国际贸易委员会提出诉讼,旨在寻求美国国际贸易委员会下达禁令,禁止尔必达或以尔必达的名义,向美国进口侵犯英飞凌专利的D
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DRAM产业十年一劫,中国全面抢滩市场
    中国扶植自有DRAM供应链计划浮上台面,业界透露中国将分三个阶段着手,包括扶植大型集团建立自有技术、高关税逼迫国际大厂合作、强制品牌系统厂采用, 由于上一轮全球DRAM市场崩盘是在2008年发生,业界直指十年一劫的DRAM淘汰赛恐将在2017年再度引爆,对于既有DRAM业者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小冲击。 半导体业者表示,中国建立DRAM产业最难解问题,似乎是如何取得被三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大厂所把持的DRAM技术,然事实上,中国发展DRAM产业真正瓶颈在于国际大厂所布下绵密的DRAM专利网,近年来一直没有新的DRAM供应商,主要便是因为DRAM芯片专利问题
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pic单片机教程之数据存储器的直接间接寻址方式
  数据存储器构成   数据存储器由特殊功能寄存器(SFR)和通用寄存器(GPR)组成。SFR控制器件的操作,而GPR则是数据存储和改写的通用区域。   SFR和GPR数据存储区分成不同的存储区。GPR区分成不同的存储区,以实现对超过96字节的通用RAM的寻址。SFR是用来控制外设和内核功能的寄存器。STATUS寄存器的存储区选择控制位(STATUS 7:5 )用于选择存储区。图6-5是数据存储器的构成映射,这个映射与器件型号有关。   从一个寄存器向另一个寄存器传送数据时,必须通过W寄存器。这意味着所有寄存器之间的数据传送,都需要两个指令周期。   整个数据存储器可以采用直接寻址或间接寻址来存取。直接寻址可能需要使用
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