STM32CubeMX----杂记

（1）在使用FSMC作为LCD接口时，同时ENABLE了FreeRTOS，发现生成的工程文件，编译之后会出问题。

         研究后发现问题出在“FreeRTOSConfig.h”这段代码：

/* Cortex-M specific definitions. */

#ifdef __NVIC_PRIO_BITS

 /* __BVIC_PRIO_BITS will be specified when CMSIS is being used. */

 #define configPRIO_BITS         __NVIC_PRIO_BITS

#else

 #define configPRIO_BITS         4

#endif

   当我使用了FSMC并且ENABLE 了FreeRTOS，“__NVIC_PRIO_BITS”这个宏就会被定义，此时RTOS的宏

“configPRIO_BITS”会被定义为“__NVIC_PRIO_BITS”，这个宏在“stm32f205xx.h”里面：

#define __NVIC_PRIO_BITS          4U       /*!< STM32F2XX uses 4 Bits for the Priority Levels */

也就是说“configPRIO_BITS”这个宏被定义为“4U”也就是类型为“unsigned int”的4。

我尝试在汇编函数里，直接将：

mov r0, #configMAX_SYSCALL_INTERRUPT_PRIORITY

改为：

mov r0, #4U

编译出错，但如果将“4U”改为“4”是没问题的。

后记：在韦东山第一期加强版视频编写LED程序的视频有讲到，在汇编里面指令需要占据一定的位数，例如：

mov r0, #0x12345678

是不行的，因为“MOV”这个指令本身占据了一定的位数。而“4U“本身为32位，stm32为32位系统，所以”MOV“这个指令码被清零了。具体可以了解下机器码跟汇编。

（2）ADC采集一次信号后不再采集

        问题可以参考这个链接：http://www.ing10bbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=194&extra=

        除了RCC、SYS，只配置了ADC2的IN8，NVIC Settings打开ADC全局中断：

  生成工程的改动很小，增加了一个ADC值获取的回调函数以及一个ADC启动的函数：

void HAL_ADC_ConvCpltCallback(ADC_HandleTypeDef* hadc)

{

   ADC_VAL = ADC2->DR;

}

ADC初始化里面添加了IT启动：

HAL_ADC_Start_IT(&hadc2);

然后进入仿真发现，ADC采样一次信号后，ADC2->DR寄存器里面的值不变了。研究了老半天，看了几遍参考手册中ADC寄存器的描述，怀疑是EOCS寄存器的问题。所以将：

hadc2.Init.EOCSelection = ADC_EOC_SINGLE_CONV;

改为：

hadc2.Init.EOCSelection = ADC_EOC_SEQ_CONV;

很好，ADC连续采样了。但又产生一个新的问题，程序一直重复进入ADC中断，不进入while(1);大循环了。

由此猜测，是不是因为ADC采样转化太快了，导致未处理完一次中断又产生新的中断？

又进行修改：

sConfig.SamplingTime = ADC_SAMPLETIME_3CYCLES;

改为：

sConfig.SamplingTime = ADC_SAMPLETIME_56CYCLES;

这次可以正常运行了。其实，最好在启动ADC之后，关闭不必要的中断源，例如只需要看门狗中断：

__HAL_ADC_DISABLE_IT(&hadc2, ADC_IT_EOC|ADC_IT_JEOC|ADC_IT_OVR);

后记：在MDK仿真下观察寄存器，发现关闭中断的指令，关闭的是”ADC_IT_OVR“这个中断源。

这个是”溢出中断“的中断源。当ADC以”ADC_SAMPLETIME_3CYCLES“进行转换时，当前中断尚未处理完便再次触发中断

就会造成中断溢出。所以将ADC转换速率降低，或者关闭”ADC_IT_OVR“程序可以正常运行。

(3)内部FLASH的操作

MCU是F205VCT6

1、写

//STM FLASH写函数

void STMFLASH_Write_NoCheck ( uint32_t WriteAddr, uint16_t * pBuffer, uint16_t NumToWrite )   

{

        uint16_t i;        

     HAL_FLASH_Unlock();

     __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);

        for(i=0;i

        {

          HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,WriteAddr,pBuffer[i]);

          WriteAddr+=2;                                    //地址增加2.

        }  

HAL_FLASH_Lock();

}

写之前要去除FLASH的写保护，然后就是写函数中的清楚标志位问题。如执行了

HAL_FLASH_Unlock();

然后立即执行写函数，会发现第一个数据写不进FLASH，但是后续的数据是正常的。试过增加几十毫秒的延时，但是结果依旧错误。如果在写之前先清除错误标志位，则可以正常写入。

2、擦除

//STM FLASH擦除函数

void SectorErase(u32 SectorNum )  

{  

    FLASH_EraseInitTypeDef  eraseInit;  

    u32         error;  

 HAL_FLASH_Unlock();

 __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);

 eraseInit.Sector = SectorNum;

    eraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;   

    eraseInit.NbSectors   = 1;  

    eraseInit.VoltageRange   = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;

    if ( HAL_FLASHEx_Erase( &eraseInit, &error ) == HAL_OK )  

    {  

    }  

HAL_FLASH_Lock();

}  

跟写函数一样，解锁FLASH后立即擦除，需要先清除错误标志位。

另外，执行擦除函数，如果是擦除0~3扇区，则可以正常进入仿真（代码在扇区0，擦除扇区0会出现异常，但确实能进入仿真的）界面。

如果擦除4~5扇区，则出现以下问题

不能进入仿真，但是扇区擦除却是成功的。解决办法，暂时未找到