根据应用的要求,复位操作通常有两种基本形式:上电复位和上电或开关复位。
上电复位要求接通电源后,自动实现复位操作。常用的上电复位电路如下图A中左图所示。图中电容C1和电阻R1对电源十5V来说构成微分电路。上电后,保持RST一段高电平时间,由于单片机内的等效电阻的作用,不用图中电阻R1,也能达到上电复位的操作功能,如下图(A)中右图所示。
上电或开关复位要求电源接通后,单片机自动复位,并且在单片机运行期间,用开关操作也能使单片机复位。常用的上电或开关复位电路如上图(B)所示。上电后,由于电容C3的充电和反相门的作用,使RST持续一段时间的高电平。当单片机已在运行当中时,按下复位键K后松开,也能使RST为一段时间的高电平,从而实现上电或开关复位的操作。
根据实际操作的经验,下面给出这两种复位电路的电容、电阻参考值。
上图(A)中:Cl=10-30uF,R1=1kO
上图1.27(B)中:C:=1uF,Rl=lkO,R2=10kO
单片机复位后的状态:
单片机的复位操作使单片机进入初始化状态,其中包括使程序计数器PC=0000H,这表明程序从0000H地址单元开始执行。单片机冷启动后,片内RAM为随机值,运行中的复位操作不改变片内RAM区中的内容,21个特殊功能寄存器复位后的状态为确定值,见下表。
值得指出的是,记住一些特殊功能寄存器复位后的主要状态,对于了解单片机的初态,减少应用程序中的韧始化部分是十分必要的。
说明:表中符号*为随机状态;
A=00H,表明累加器已被清零;
特殊功能寄存器 | 初始状态 | 特殊功能寄存器 | 初始状态 |
A | 00H | TMOD | 00H |
B | 00H | TCON | 00H |
PSW | 00H | TH0 | 00H |
SP | 07H | TL0 | 00H |
DPL | 00H | TH1 | 00H |
DPH | 00H | TL1 | 00H |
P0~P3 | FFH | SBUF | 不定 |
IP | ***00000B | SCON | 00H |
IE | 0**00000B | PCON | 0*******B |
SP=07H,表明堆栈指针指向片内RAM 07H字节单元,根据堆栈操作的先加后压法则,第一个被压入的内容写入到08H单元中;
Po-P3=FFH,表明已向各端口线写入1,此时,各端口既可用于输入又可用于输出;
IP=×××00000B,表明各个中断源处于低优先级;
IE=0××00000B,表明各个中断均被关断;
51单片机在系统复位时,将其内部的一些重要寄存器设置为特定的值,(在特殊寄存器介绍时再做详细说明)至于内部RAM内部的数据则不变。
系统复位是任何微机系统执行的第一步,使整个控制芯片回到默认的硬件状态下。51单片机的复位是由RESET引脚来控制的,此引脚与高电平相接超过24个振荡周期后,51单片机即进入芯片内部复位状态,而且一直在此状态下等待,直到RESET引脚转为低电平后,才检查EA引脚是高电平或低电平,若为高电平则执行芯片内部的程序代码,若为低电平便会执行外部程序。
单片机的工作完全在其pc指针控制下,即pc指向哪,单片机就执行那里的指令。复位后pc执行0000h地址,即你的程序的第一条指令。你可以找一本单片机的教材,找到关于复位后单片机状态的地方好好看一下。
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