一、内部时钟方式:
利用单片机内部的振荡器,然后在引脚XTAL1(18脚)和XTAL2(19脚)两端接晶振,就构成了稳定的自激振荡器,其发出的脉冲直接送入内部时钟电路,外接晶振时,晶振两端的电容一般选择为30PF左右;这两个电容对频率有微调的作用,晶振的频率范围可在1.2MHz-12MHz之间选择。为了减少寄生电容,更好地保证振荡器稳定、可靠地工作,振荡器和电容应尽可能安装得与单片机芯片靠近。(提示一下,本站提供的学习套件全部采用的就是这种时钟方式)。
二、外部时钟方式:
此方式是利用外部振荡脉冲接入XTAL1或XTAL2。HMOS和CHMOS单片机外时钟信号接入方式不同,HMOS型单片机(例如8051)外时钟信号由XTAL2端脚注入后直接送至内部时钟电路,输入端XTAL1应接地。由于XTAL2端的逻辑电平不是TTL的,故建议外接一个上接电阻。对于CHMOS型的单片机(例如 80C51),因内部时钟发生器的信号取自反相器的输入端,故采用外部时钟源时,接线方式为外时钟信号接到XTAL1而XTAL2悬空。如下图
外接时钟信号通过一个二分频的触发器而成为内部时钟信号,要求高、低电平的持续时间都大于20ns,一般为频率低于12MHz的方波。片内时钟发生器就是上述的二分频触发器,它向芯片提供了一个2节拍的时钟信号。
时钟周期
机器周期
指令周期
通常含一个机器周期的指令称为单周期指令,包含两个机器周期的指令称为双周期指令。
MCS-51指令系统中,按它们的长度可分为单字节指令、双字节指令和三字节指令。执行这些指令需要的时间是不同的,也就是它们所需的机器周期是不同的,有下面几种形式:
·单字节指令单机器周期
·单字节指令双机器周期
·双字节指令单机器周期
·双字节指令双机器周期
·三字节指令双机器周期
·单字节指令四机器周期(如单字节的乘除法指令)
下图是MCS-51系列单片机的指令时序图:
上图是单周期和双周期取指及执行时序,图中的ALE脉冲是为了锁存地址的选通信号,显然,每出现一次该信号单片机即进行一次读指令操作。从时序图中可看出,该信号是时钟频率6分频后得到,在一个机器周期中,ALE信号两次有效,第一次在S1P2和S2P1期间,第二次在S4P2和S5P1期间。
接下来我们分别对几个典型的指令时序加以说明。
·单字节单周期指令:
单字节单周期指令只进行一次读指令操作,当第二个ALE信号有效时,PC并不加1,那么读出的还是原指令,属于一次无效的读操作。
·双字节单周期指令:
这类指令两次的ALE信号都是有效的,只是第一个ALE信号有效时读的是操作码,第二个ALE信号有效时读的是操作数。
·单字节双周期指令:
两个机器周期需进行四读指令操作,但只有一次读操作是有效的,后三次的读操作均为无效操作。
单字节双周期指令有一种特殊的情况,象MOVX这类指令,执行这类指令时,先在ROM中读取指令,然后对外部数据存储器进行读或写操作,头一个机器周期的第一次读指令的操作码为有效,而第二次读指令操作则为无效的。在第二个指令周期时,则访问外部数据存储器,这时,ALE信号对其操作无影响,即不会再有读指令操作动作。
上页的时序图中,我们只描述了指令的读取状态,而没有画出指令执行时序,因为每条指令都包含了具体的操作数,而操作数类型种类繁多,这里不便列出,有兴趣的读者可参阅有关书籍。
·外部程序存储器(ROM)读时序
右图8051外部程序存储器读时序图,从图中可看出,P0口提供低8位地址,P2口提供高8位地址,S2结束前,P0口上的低8位地址是有效的,之后出现在P0口上的就不再是低8位的地址信号,而是指令数据信号,当然地址信号与指令数据信号之间有一段缓冲的过度时间,这就要求,在S2其间必须把低8位的地址信号锁存起来,这时是用ALE选通脉冲去控制锁存器把低8位地址予以锁存,而P2口只输出地址信号,而没有指令数据信号,整个机器周期地址信号都是有效的,因而无需锁存这一地址信号。
从外部程序存储器读取指令,必须有两个信号进行控制,除了上述的ALE信号,还有一个PSEN(外部ROM读选通脉冲),上图显然可看出,PSEN从S3P1开始有效,直到将地址信号送出和外部程序存储器的数据读入CPU后方才失效。而又从S4P2开始执行第二个读指令操作。
·外部数据存储器(RAM)读时序
右图8051外部数据存储器读写时序图,从ROM中读取的需执行的指令,而CPU对外部数据存储的访问是对RAM进行数据的读或写操作,属于指令的执行周期,值得一提的是,读或写是两个不同的机器周期,但他们的时序却是相似的,我们只对RAM的读时序进行分析。
上一个机器周期是取指阶段,是从ROM中读取指令数据,接着的下个周期才开始读取外部数据存储器RAM中的内容。
在S4结束后,先把需读取RAM中的地址放到总线上,包括P0口上的低8位地址A0-A7和P2口上的高8位地址A8-A15。当RD选通脉冲有效时,将RAM的数据通过P0数据总线读进CPU。第二个机器周期的ALE信号仍然出现,进行一次外部ROM的读操作,但是这一次的读操作属于无效操作。
对外部RAM进行写操作时,CPU输出的则是WR(写选通信号),将数据通过P0数据总线写入外部存储中。
上一篇:51单片机存储器结构介绍(2)
下一篇:基于手机短信的设施农业温湿度远程监测系统的设计
推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 14:45