ARM9学习笔记之——SDRAM实验

    学了点东西，写点总结。以下是我在做 Page130，2.6.8内存驱动实验总结。

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    我按照书上的指示，完成了代码的编写。对项目作如下配置：

上述的配置中 -ro-base 0x30000000 告诉Linker，本程序将被加载到 0x30000000 上运行。

    实验程序的功能是，程序最初是在0x00000000 地址上开始运行。它初始化SDRAM后，将自己到0x30000000地址上，然后跳到SDRAM中运行。

第一个问题：我在用AXD进行调试时，总是发现程序运行到 copyallloop 中死掉。

copyall
	IMPORT	|Image$$RO$$Base|    
	IMPORT	|Image$$RW$$Limit|    
	   
	ldr r0, = |Image$$RO$$Base|   
	ldr r1, = |Image$$RW$$Limit|   
	ldr r2, = 0x00000000   
	   
copyallloop
	teq r0, r1   
	beq quitcopy   
	ldr r3 , [r2], #4   
	str r3 , [r0], #4	     
	b copyallloop   
quitcopy
    mov pc, lr

copyall函数的功能是将 0x00000000 地址上的所有程序代到到SDRAM的 0x30000000 地址上去。可是总是在copyallloop 循环中死掉。

    结果查看寄存器才知道，知道程序开始并没有被加载到0x00000000的地址上，而是被加载到SDRAM中。如下是程序开始运行时，各寄存器的值：

由此可以得知，PC的初始值为0x3000005C，而不是PC = 0x00000000。说明调试时程序被加载到SDRAM中运行。

    这么一来，那么将0x00000000地址区间的数据考到0x30000000地址上来，而程序自身就运行在0x30000000地址上。这样一来，的数据将程序自己给覆盖了。难怪要死在那里。

    在进入copyallloop之前，反汇编如下：

当r0 = 0x3000000D0时：

此时，0x300000D0之前的指令已被更改。所以，死在这里了。

第二个问题：为什么xmain()函数被放在0x0000地址上，而不是start呢？

    令我奇怪的是，程序开始执行时，PC并不等于0x00000000，而是另一个值。如下所示：

可见，图中所示A处，PC并不等于0x0000，而是0x005C。不对呀！ARM核启动不是多0x0000开始的吗？怎么成了0x005C呢？再看D处，start启动程序被放到了0x005C的位置。而放在 0x0000 地址上的指令则是xmain函数入口，见C处。

    当我退出调试模式，直接复位运行。我发现，程序只在反复运行 xmain() 函数。而没有执行start处初始化相关的指令。可见ARM复位后，还是从0x0000地址上开始执行的。

    那么，为什么编译器要把 xmain 放在0x0000地址上，而不是 start 呢？我详细地对比了书上的配置界面的各项设置。发现在 Equivalent Command Line 栏中，我少写了 "-first init.o" 这句话的意思就是说，把init.o目标文件的代码放在首位。正确的命令串为：

    -info totals -ro-base 0x30000000 -first init.o

修改配置后，重新编译。在AXD中查看其反汇编代码，如下：

这样一来，start就被放到了前面了。

第三个问题：如何完成实验？

    现在，我把 RO Base设置成了0x30000000 ，只要一进入调试模式，AXD就自动将我的代码加载到了 SDRAM 的 0x30000000 地址上了。

    按照书中的要求，代码应该被烧录到 0x00000000 地址上（Nor Flash）中才对。而且工程编译后又没有bin或hex文件，也没法直接用H-Flasher烧。

    （1）我该怎么让代码在调试时烧到 0x00000000 上，而不是 0x30000000上。

    （2）如何让工程在编译时生成烧录文件。

关于生成bin文件方法：

1. DebugRel Settings->Linker->ARM fromELF->Output format指定Plain binary->Output file name 路径

2. DebugRel Settings->Target->Post-Linker中选择ARM fromELF

3. 重新Make，就会生成bin文件。