DS18b20 温度检测说明

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**  这是学习 msp430g2553 单片机时写的 DS18b20 的程序             **

**  DS18b20 单总线，时序严格，完全自学明白浪费了n久！！           **

**  最高精度0.0625，即温度每变 0.0625 就能被检测到                **

**  网上一些 *0.0625 、*256/1000 、 /16 的都是错误的（I think）   **

** DQ 接 p2.4                                                   **

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** DS18b20 操作时序：                                           **
** 1. DS18b20 初始化                                            **
** 2. 对64位ROM进行操作                                         **
**   读ROM                                                      **
**   搜索ROM                                                     **
**   跳过ROM                                                    **
**   告警搜索                                                   **
**  3. 对寄存器进行操作                                          **

** 4. 精度默认的为0.0625 ，无法重新设定，没找到相应的指令       **
**   相对应的转换时间为750ms                                   **
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#include
#include

#define DQ_1 P2OUT |= BIT4
#define DQ_0 P2OUT &= ~BIT4
#define DQ_in  P2DIR &= ~BIT4
#define DQ_out P2DIR |= BIT4
#define DQ_val (P2IN & BIT4)

#define Read_ROM 0x33 //读ROM
#define Match_ROM 0x55 //匹配ROM
#define Skip_ROM 0xcc  //跳过ROM
#define Search_ROM 0xf0  //搜索ROM
#define Alarm_Search 0xec  //告警搜索

#define Convert_Temperature 0x44 //温度转换
#define Read_Scratchpad 0xbe //读暂存存储器9字节内容

#define Write_Scratchpad 0x4e //写暂存存储器，写的是TH and TL ， 接着发送两位数据就可以

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**         内部暂存存储器9字节内容              **
**         1. 温度低8位                          **
**         2. 温度高8位                         **
**         3. 温度上限TH                        **
**         4. 温度下线TL                        **
**         5. 配置                              **
**         6.7.8 保留                           **
**          9. CRC 校验码                        **
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unsigned int Check_val; //初始化检测变量
unsigned int Temp;//温度整数值

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**            DS18b20 初始化方法：                                                  **
** 1 主机发送 480 - 960 us 的低电平，释放总线                                       **
**  2 等待 15 - 60 us                                                                **
**  3 检测DQ上是否有低电平出现                                                       **
**     有：复位成功 ，通常时间为 60-240 us                                          **
**     无：复位失败，继续等待                                                      **
**  4 DQ上出现低电平后，低电平持续15us，然后DS18b20开始对单片机发送的数据进行采样   **
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unsigned int DS18b20_init(void)
{
   DQ_out;
   DQ_0;
   __delay_cycles(600);
   DQ_1;
   __delay_cycles(60);
   DQ_in;
   _NOP();
   if(DQ_val)     
   {
       Check_val = 0;         //初始化失败
   }
   else
   {
       Check_val = 1;         //初始化成功
   }
   __delay_cycles(10);
   DQ_out;
   DQ_1;
   __delay_cycles(100);
    return Check_val;
} 

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**          DS18b20 写数据方法：                                    **
**  1 DS18b20 是“一位一位”的写‘0’和‘1’                         **
**  2 每写一次‘1’或‘0’为一个周期，每个周期约为 45 - 60 us        **
**  3 DQ拉低 1 us ，表示写周期开始，释放总线，让DQ随写入的值变化     **
**  4 若写1： DQ拉高至少60us，保证在采样周期内采到的值均为高         **
**  5 若写0： DQ拉低至少60us，保证在采样周期内采到的值均为低         **
** 6 释放总线                                                        **
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**     单片机发送数据时，是从写的数据的最低位开始发送               **

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void DS18b20_write_byte(unsigned int dat)
{
   unsigned int i;
   for(i = 0; i < 8;i++)
   {
       DQ_0;
       __delay_cycles(2);           
       if(dat & 0X01)   
         DQ_1;
       else 
         DQ_0;
       __delay_cycles(60);
       dat >>= 1;;         
       DQ_1;
       __delay_cycles(10);
   }
}

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**                         DS18b20 读数据方法：                                               **
** 1 DS18b20 是“一位一位”的读‘0’和‘1’                                                   **
**  2 每读一次‘1’或‘0’为一个周期，每个周期约为 45 - 60 us                                  **
**  3 DQ拉低 1 us ，表示读周期开始，释放总线，让DQ随DS18b20传送的值变化                        **
**  4 若传1：则检测到高电平，持续时间为60us左右，所以检测一次后要延时60us，                    **

**           再检测下一位传送的数据                                                            **
**  5 若传0：则检测到低电平，持续时间为60us左右                                                **
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** DS18b20 传送数据也是从最低位开始传，所以要把单片机中存储DS18b20发送数据的变量先右移，       **

**    把最低位移到最前面                                                                      **
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 unsigned int DS18b20_read_byte(void)
{
   unsigned i;
   unsigned int byte = 0;
   for(i = 0;i < 8;i++)
   {
       byte >>= 1; 
       DQ_0;
       __delay_cycles(2); 
       DQ_1;
       __delay_cycles(2); 
       DQ_in;
       _NOP();
       if(DQ_val)  
         byte |= 0x80;
        __delay_cycles(60);
       DQ_out;
       DQ_1;
       __delay_cycles(10);
   }
   return byte;
}

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**                        当用一个DS18b20进行温度测量时步骤：                                 **
** 1 DS18b20 初始化                                                                          **
**  2 跳过 ROM                                                                                **
**  3 控制寄存器：进行温度转换、读9_data ROM、读取温度第八位、读取温度高八位                   **
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**  注意： 单总线，所以每次读写都要分开：                                                     **

**         写数据要初始化一次，把所有的数据都写进去                                          ** **        读数据要初始化一次，把所有的数据都读出来                                           **

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 unsigned int get_one_temperature(void)
{
 unsigned int Temp_l;
 unsigned int Temp_h;
 
 DS18b20_init();
 DS18b20_write_byte(Skip_ROM);
 DS18b20_write_byte(Convert_Temperature);
 __delay_cycles(500000);
 
 DS18b20_init();
 DS18b20_write_byte(Skip_ROM);
 DS18b20_write_byte(Read_Scratchpad);
 Temp_l=DS18b20_read_byte();
 Temp_h=DS18b20_read_byte();
 Temp_l>>=4;
 Temp_h<<=4;
 Temp=Temp_h+Temp_l;
 return Temp;
}