s3c2440 nand flash 拷贝实验-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

首先明确一下我们的编程步骤。

（1）、加电在nand_flash加载boot.s中4K以内的程序。这4k将自动拷贝到SRAM（片内RAM）执行。

（2）、我们需要用这4k的程序实现nand-flash中4K以后的程序的拷贝（当然，拷贝到SDRAM基址为0x30000000处）继续执行（main.o部分的程序）。对于SDRAM的初始化和Watchdog的禁用已经在前一个实验中使用到了，这里就不再详细叙述。主要来看一下nand-flash的初始化和使用。

查阅一下s3c2440的空间布局。查看手册图Figure 5-1. S3C2440A Memory Map after Reset一目了然。

有8个banks— Total 8 memory banksSix memory banks for ROM, SRAM, etc.Remaining two memory banks for ROM, SRAM, SDRAM, etc .

每个bank拥有128M空间。当访问bankx时，对应的地址范围是128*n 到 128*(1+n)tq2440使用了64M的nand flash和64M的SDROMNAND Flash不对应任何bank，他是通过几组寄存器来访问的；上电以后，nand flash开始的4k数据被自动的复制到芯片内部一个称为steppingstone的RAM上。steppingstore的映射地址为0，上面的4k完成初始化工作；SDRAM则使用bank6，起始位置为0x30000000

该实验中我们将使用SDRAM的bank6实验目的：

（1）、mem controller的原理和工作过程

（2）、bank的使用

（3）、nand flash的读写控制

（4）、启动代码流程分析

在实际编程中，uboot和vivi都是绝佳的参考源码，我这里参考的是vivi的代码。

vivi已经上传到新浪共享：http://ishare.iask.sina.com.cn/f/11353581.html

datasheet上关于启动原理的介绍：

Bank0：The data bus of BANK0 (nGCS0) should be configured with a width as one of 16-bit and 32-bit ones. Because theBANK0 works as the booting ROM bank (map to 0x0000_0000), the bus width of BANK0 should be determinedbefore the first ROM access, which will depend on the logic level of OM[1:0] at Reset.

下面小结一下对nand flash控制器的操作过程.

s3c2440对nandflash读写操作寄存器配置的流程：

1.初始化

（1）NFCONT= (1<<0) //enable NAND flash controller

（2）NFCONT|= (1<<0)//chip disable

2.复位

（1）NFCONT&= ~(1<<1) //chip enable

（2）NFCMD= 0xff; //reset command

（3）while(!(NFSTAT& BUSY))等待NAND flashmemory ready to operate

3.读函数

（1）NFCONT&= ~(1<<1)//chip enable

（2）NFSTAT|= (1<<2) //NAND_CLEAR_RB ，RnBtransition is detected

（3）NFCMD= 0; //READ0，读上半叶

（4）//Write Address

NFADDR= i & 0xff;

NFADDR= (i >> 9) & 0xff;

NFADDR= (i >> 17) & 0xff;

NFADDR= (i >> 25) & 0xff;

（5）while(!(NFSTAT&(1<<0)) ); //NAND_DETECT_RB，等待NANDflash memory ready to operate

（6）*buf= (NFDATA & 0xff); //读数据线

（7）NFCONT|= (1<<1)//chip disable

用到的nand flash初始化读操作源码：

1 /*在第一次实用NAND Flash前，复位一下NAND Flash */

2 void nand_flash_reset()

3 {

4 NAND_CHIP_ENABLE;

5 NFCMD = 0xff; //reset command

6 wait_idle();

7 }

9 /*初始化NAND Flash */

10 void nand_flash_init()

11 {

12 //vivi init

13 int i = 0;

14 NFCONF = ( (7<<12)|(7<<8)|(7<<4)|(0<<0) );

15 NFCONT = ( (1<<4)|(0<<1)|(1<<0) );// Active low CE Control

16 NFSTAT = (0x6);//RnB Clear

17 NFCMD = 0xff; //reset command

18 for(i = 0; i < 10; i++)

19 ;

20 wait_idle();

21 /*

22 //----------------------------------------------------------------

23 // following is the copy module

24 //----------------------------------------------------------------

25 NFCONT |= 0x2;//@ Flash Memory Chip Disable

26 //----------------------------------------------------------------

27 @ Flash Memory Chip Disable

28 @ get read to call C functions (for nand_read())

29 @ copy vivi to RAM

30 ldr r0, =VIVI_RAM_BASE

31 mov r1, #0x0

32 mov r2, #0x20000

33 bl nand_read_ll

34 //---------------------------------------------------------------

35 */

36 /*

37 NFCONT = (1<<0);

38 NAND_CHIP_DISABLE;

39 nand_flash_reset();

40 */

41 }

43 #define BUSY 1

44 inline void wait_idle(void)

45 {

46 while(!(NFSTAT & BUSY));

47 NFSTAT |= BUSY;

48 }

50 #define NAND_SECTOR_SIZE 512

51 #define NAND_BLOCK_MASK (NAND_SECTOR_SIZE - 1)

53 /* low level nand read function */

54 int nand_flash_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)

55 {

56 int i, j;

58 if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {

59 return -1; /* invalid alignment */

60 }

62 NAND_CHIP_ENABLE;

64 for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {

65 /*debug*/

66 (*(volatile unsigned long *)0x56000010) = 0x00015400;

67 (*(volatile unsigned long *)0x56000014) = 0x00000000;

68 /*debug*/

69 /* READ0 */

70 NAND_CLEAR_RB;

71 NFCMD = 0;

73 /* Write Address */

74 NFADDR = i & 0xff;

75 NFADDR = (i >> 9) & 0xff;

76 NFADDR = (i >> 17) & 0xff;

77 NFADDR = (i >> 25) & 0xff;

79 NAND_DETECT_RB;

81 for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {

82 *buf = (NFDATA & 0xff);

83 buf++;

84 }

85 /*debug*/

86 if(i >= 512)

87 {

88 for(j = 0; j < 2048; j++)

89 ;

90 (*(volatile unsigned long *)0x56000014) &= (1 << 5) & (1 << 6);

91 for(j = 0; j < 2048; j++)

92 ;

93 }

94 /*debug*/

95 }

96 NAND_CHIP_DISABLE;

97 return 0;

98 }

在sram执行的启动汇编代码：

1 @----------------------------------------------------

2 @ boot.s

3 @ yeven @2010.20.28

4 @----------------------------------------------------

5 .text

6 .global _start

7 _start:

8 ldr sp,=4096

9 bl disable_wd @关闭看门狗

10 bl memsetup @初始化SDRAM

11 bl nand_flash_init @初始化nand-flash

13 @下面调用 nand_flash_read,它需要三个参数：目标地址，源地址，数据长度

14 ldr r0,=0x30000000 @SDRAM新的起始位置

15 mov r1,#4096 @main.o在nand-flash中的偏移，即数据起始位置

16 mov r2,#1024 @复制长度

17 bl nand_flash_read @调用vivi代码中的拷贝函数

20 bl led_on_s

21 ldr pc, = set_sp @设置堆栈，进入main.o执行

22 set_sp:

23 ldr sp,=0x34000000 @设置堆栈栈顶指针

24 ldr lr,=halt_loop @设置主函数返回地址

25 ldr pc,=main @执行主函数

27 halt_loop:

28 b halt_loop

30 led_on_s:

31 ldr r0,=0x56000010

32 mov r1,#0x00000400

33 str r1,[r0]

34 ldr r0,=0x56000014

35 mov r1,#0x00000000

36 str r1,[r0]

主函数执行代码,这一段将在sdram-0x30000000执行.他只是不停的闪灯：

1 /*

2 * mem-con.c yeven @2010.10.27

3 * learn to use the sdram,control the memory and memory map

4 * the main program locate at boot.s

5 * we just light the four leds to test the result.

6 */

8 //Register for the led

9 #define GPBCON (*(volatile unsigned long *)0x56000010)

10 #define GPBDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000014)

12 //led-data register value(GPB5-GPB8)

13 #define LED0_ON (1 << (5*2))

14 #define LED1_ON (1 << (6*2))

15 #define LED2_ON (1 << (7*2))

16 #define LED3_ON (1 << (8*2))

17 #define GPB_ON(n) (~(1 << n))

18 #define GPB_OFF(n) (1 << n)

20 void delayms(unsigned int n)

21 {

22 int i = 0;

23 for(i = 0; i < 10240*n; i++)

24 ;

25 }

27 int main()

28 {

29 GPBCON |= (LED0_ON | LED1_ON | LED2_ON | LED3_ON); //led0-4

30 while(1)

31 {

32 GPBDAT |= (GPB_ON(5) | GPB_ON(6) | GPB_ON(7) | GPB_ON(8));

33 delayms(1);

34 GPBDAT &= (GPB_OFF(5) & GPB_OFF(6) & GPB_OFF(7) & GPB_OFF(8));

35 delayms(1);

36 }

38 return 0;

39 }

编译的makfile和gnu ld文件：

SECTIONS

{

first 0x00000000: {boot.o init.o}

second 0x30000000: AT(4096){nand-flash-con.o}

}

1 nand-flash-con:init2.c init.h nand-flash-con.c boot.s

2 arm-linux-gcc -c -o boot.o boot.s

3 arm-linux-gcc -c -o init.o init2.c #init.h

4 arm-linux-gcc -c -o nand-flash-con.o nand-flash-con.c

5 arm-linux-ld -Tnand.lds boot.o init.o nand-flash-con.o -o nand-flash-con-tmp.o

6 arm-linux-objcopy -O binary -S nand-flash-con-tmp.o nand-flash-con

7 arm-linux-objdump -D -b binary -m arm nand-flash-con > ttt.s

8 clean:

9 rm *.o

10 rm nand-flash-con

关键字：s3c2440 nand flash 拷贝实验引用地址：s3c2440 nand flash 拷贝实验

上一篇：ARM-Linux汇编到ADS汇编转换需要注意的问题
下一篇：s3c2440启动时的内存拷贝过程分析

推荐阅读最新更新时间：2024-03-16 15:31

S3C2440 中断控制寄存器

1、 SUBSRCPND 寄存器(SUB SOURCE PENDING) SUBSRCPND 寄存器被用来标识 INT_RXD0、INT_TXD0 等中断(S3C2410中这类中断有 11 个，而 S3C2440 中有 15 个)是否已经发生，每位对应一个中断。当这些中断发生并且没有被 INTSUBMSK 寄存器屏蔽，则它们中的若干位将“汇集”出现在 SRCPND 寄存器的一位上。比如 SUBSRCPND 寄存器中的 3 个中断 INT_RXD0、INT_TXD0、INT_ERR0，只要有一个发生了并且它没有被屏蔽，则 SRCPND 寄存器中的 INT_UART0 位被置 1。要清楚中断时，往 SUBSRCPND 寄存器中某

[单片机]

<font color='red'>S3C2440</font> 中断控制寄存器

STM32用STLINK烧写外置FLASH遇到的问题

由于项目需要大量的图片字库还有音频文件，所以外挂了NOR flash和NAND flash，需要用到烧写算法STLDR（就是包含几段在SRAM里面运行的代码），调试的时候遇到了几个问题，都是大意造成的，所以写出来记录一下首先烧写用到PC端软件是STM32 STLINK Utility，在安装目录下附带了一些常用的flash的烧写算法，但没有我用到的那种，所以只能参考ST-LINK Utility UM手册在…\ST-LINK Utility\ExternalLoader目录下的工程模板上修改，修改需要用到对FLASH的初始化、读写、擦除函数，这个要提前调试好，填到对应的函数内就可以了，后面由上位机自己调用问题来了，主要

[单片机]

利用 Platform Flash PROM 实现多重启动功能

提要一些应用利用 Xilinx FPGA 在每次启动时可改变配置的能力，根据所需来改变 FPGA 的功能。Xilinx Platform Flash XCFxxP PROM 的设计修订 (Design Revisioning) 功能，允许用户在单个PROM 中将多种配置存储为不同的修订版本，从而简化了 FPGA 配置更改。在 FPGA 内部加入少量的逻辑，用户就能在 PROM 中存储的多达四个不同的修订版本之间进行动态切换。多重启动或从多个设计修订进行动态重新配置的能力，与 Spartan-3E FPGA 和第三方并行 flash PROM 一起使用时所提供的 MultiBoot 选项相似。本应用指南将进一步说明 Platf

[应用]

ARM-Linux s3c2440 之UART分析（五）

从上面四篇介绍文章中，已经清楚了串口设备与串口驱动实现的各层次关系流程。是一种从上而下的关系，从第二篇的层次流程图中可以看出。之前说过串口设备是一种platform device，下面看看串口作为platform device的实现细节。串口的硬件平台实现smdk2440_map_io()初始化入口： static void __init smdk2440_map_io(void) { s3c24xx_init_io(smdk2440_iodesc,ARRAY_SIZE(smdk2440_iodesc)); s3c24xx_init_clocks(12000000); s3c24xx_

[单片机]

智能嵌入式系统力拱　高容量Flash MCU需求涨

嵌入式系统智能化商机旺　MCU厂升级eFlash制程　　微控制器（MCU）厂商在嵌入式快闪记忆体（eFlash）新一轮先进制程竞赛开打。值此智慧化嵌入式系统（Intelligent Embedded System）市场方兴未艾之际，Flash MCU内嵌的编码型快闪（NOR Flash）记忆体容量亦将大幅增长，以迎合智慧化嵌入式系统配备联网、图形化和语音人机介面等功能，以及内建精简型作业系统（OS）的设计要求。　　看好内嵌更高快闪记忆体容量的Flash MCU在智慧嵌入式系统市场前景，微控制器厂商正大举投资更先进的eFlash奈米（nm）製程，如继瑞萨电子（Renesas Electronics）和飞思卡尔（Freesca

[模拟电子]

智能嵌入式系统力拱　高容量<font color='red'>Flash</font> MCU需求涨

s3c2440 ARM9 裸机驱动第三篇—定时器

定时器这篇是比较艰辛的，过程中出现了很多小问题，有些解决了，有些还是没有完全弄明白，这些问题主要集中在汇编部分的程序。此部分主要是通过定时器中断的方式实现LED灯的闪烁。一、硬件部分： 1.LED部分：参见之前的文章 2.定时器：定时器的频率：Timer input clock Frequency = PCLK / {prescaler value+1} / {divider value} {prescaler value} = 0~255 {divider value} = 2, 4, 8, 16 其中PCLK如果配置了MPLL就是50M,prescaler value配置TCFG0得到，divider

[单片机]

<font color='red'>s3c2440</font> ARM9 裸机驱动第三篇—定时器

Flash搞双重标准?中国特供版搜集用户信息

自从隐私密探Vivo NEX问世以来，各种软件窃取用户信息的消息迅速传播开来，在这样一个大环境下，用户几乎没有隐私可言，没想到Adobe公司针给中国用户这么大的“优待”，特供版Flash可以搜集用户信息。 Adobe公司前不久与中国一家软件代理商思杰马克丁签署了合作协议，另外中国用户将会被安装一个特供版Flash Player软件，用户协议明确规定了可以搜集用户上网隐私。据悉，Adobe Flash Player国内特供版是跟重庆一家名为重橙网络科技有限公司合作的，安装后会常驻FlashHelperService服务，电脑如果检测到没有了这个服务，Flash就会停止工作，而用户协议中就直接说明了该服务会搜集用户的上网信

[嵌入式]

采用C51与插拔式FLASH闪存设计无纸记录仪

　　ATMEL公司推出的带有看门狗功能的单片机AT89C55WD带有20K的程序存储器，是8051系列中一款较为先进的产品，其看门狗功能可以大大提高产品的稳定性，大容量的内部程序存储器可以容纳功能丰富的软件。　　以往的许多无纸记录仪均采用3.5英寸软盘作为数据存贮介质，但软盘存贮的可靠性差、存储容量有限、成本较高等诸多缺点实在难以克服。　　作为一种高科技的非易失性存储设备，FLASH闪存首先在数码相机、PDA、移动电话等数字产品当中得到了应用，随着工艺的进步和价格的下降，逐步向其他应用领域扩展，其容量大、功耗低、速度快、不易受损等优点正受到人们越来越多的青睐，而且最大的好处是，随着技术水平的进步，FLASH闪存的容量也在不断

[测试测量]