推荐阅读最新更新时间:2024-11-09 22:05
linux-2.6.38到tiny6410的移植手册(连载1)__nand flash
2440的linux移植手册满天飞,到了6410怎么就没有了呢? 既然源码都给了,为什么不把移植步骤写出来,好让大家学习呢? 今日,小弟自搞奋勇,想自己移植一遍linux-2.6.38,参考友善给的源码,觉得既然源码都有了,想发掘移植步骤应该不难吧,嘿嘿 环境 VirtualBox+ubuntu 10.04 编译器,友善自带arm-linux-gcc-4.5.1-v6-vfp-20101103.tgz 硬件,tiny6410,核心板号1107 linux-2.6.38到tiny6410的移植手册(连载2)__网卡&NF http://www.arm9home.net/read.php?tid-14211.html linux
[单片机]
MSP430单片机学习(一)——Flash读写操作
声明:本文以MSP430F2122为例说明Flash读写操作。 一、MSP430F2122的FLASH结构 FLASH模块结构图如图一 图一 MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器分为主存储器和信息存储器。主存储器根据不同的容量分为若干段(segment)每个段为512字节,每一个段又有四个块(block),每个块为64字节;信息存储器分为SegmengA、SegmentB、SegmentC和SegmentD,其中每个段各有64个字节。如图二所示 图二 二、FLASH模块的寄存器 相关的寄存器有:FCTL1、FCTL2、FCTL3和IE1 图三 图四 图五 图六
[单片机]
浅谈STM32之SPI_FLASH之应用实例
SPI Flash 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍)。SPI一种 通信接口 。那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI 通信 的Flash,即,可能指NOR也可能是NAND。但现在大部分情况默认下人们说的SPI Flash指的是SPI No rF lash。早期Norflash的 接口 是parallel的形式,即把数据线和地址线并排与 IC 的管脚连接。但是后来发现不同容量的Norflash不能 硬件 上兼容(数据线和地址线的数量不一样),并且封装比较大,占用了较大的 PCB 板位置,所以后来逐渐被SPI(串行接口)N
[单片机]
从Nand Flash启动U-BOOT的基本原理
前4K的问题 如果S3C2410被配置成从Nand Flash启动(配置由硬件工程师在电路板设置), S3C2410的Nand Flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,Nand Flash控制器会自动的把Nand Flash上的前4K数据搬移到4K内部RAM中,并把0x00000000设置内部RAM的起始地址,CPU从内部RAM的0x00000000位置开 始启动。这个过程不需要程序干涉。 程序员需要完成的工作,是把最核心的启动程序放在Nand Flash的前4K中。 启动程序的安排 由于Nand Flash控制器从Nand Flash中搬移到内部RAM的代码是有限的,所以在启动代码的前4K里,我们必须完成S3C
[单片机]
MSP430F149嵌入式系统中FLASH K9F1G08U0M的应用
NAND Flash是采用NAND结构技术的非易失存储器,具有ROM存储器的特点,存储在该芯片中的数据可在断电情况下维持10年不丢失,而芯片的引脚与访问又具有类似于RAM的特点。NAND FLASH 存储器将数据线与地址线复用为8条线,另外还分别提供了命令控制信号线,因此,NAND FLASH 存储器不会因为存储容量的增加而增加引脚数目。从而极大方便了系统设计和产品升级。 1 元件介绍 1.1 MSP430芯片 MSP430系列单片机是TI公司推出的16位RISC系列单片机,该系列是一组超低功耗微控制器,供电电压范围为1.8V―3.6V。考虑到本系统有微体积、低功耗的要求,在此选用MSP430F149,它具有60KB Flas
[单片机]
武汉新芯50nm高性能的SPI NOR Flash产品全线量产
紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”),一家领先的非易失性存储供应商,宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产,产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作,为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。 XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz(在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持),工作温度范围可达-40℃到105℃。在电源电压下降后,时钟速度没有任何减慢,其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指
[手机便携]
NAND Flash合约价 恐一路跌到年底
市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺,加上厂商库存水位依旧偏高,采购意愿薄弱,因此11月上旬合约价较10月下旬下跌5~7%,NAND Flash合约价至今年年底前将维持下跌走势。 从供给面来看,SK海力士无锡厂9月份火灾后,SK海力士与三星分别将30%与5%不等的NAND Flash产能转往DRAM,让整体第3季与第4季的NAND Flash产出下降,因此2013年的产出位元年增率(bit growth),从40.8%再度下修至40.3%。 但NAND Flash前景不佳最大的因素,依旧来自于第4季整体需求的疲软,优盘市场受限于USB
[嵌入式]